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傳梁孟松加盟中芯國際 兩岸半導體技術戰(zhàn)一觸即發(fā)

  • 　　繼網(wǎng)羅到蔣尚義這位臺灣半導體大將后，大陸半導體產(chǎn)業(yè)又有新動作。據(jù)報道，傳大陸行業(yè)領頭羊中芯國際要將梁孟松收入麾下，梁孟松或于 5 月出任中芯國際 CTO 或 COO。和蔣尚義一樣，梁孟松同樣來自臺積電技術研發(fā)高層，他曾任臺積電資深研發(fā)處長。 　　之前蔣尚義加入中芯時，已經(jīng)是半導體行業(yè)的一枚重磅炸彈了，畢竟無論是從他 40 多年的行業(yè)經(jīng)驗還是在臺積電的任職時間來看，他都堪稱元老。在臺積電，蔣尚義參與主導了從0.25微米、0.18微米直至16納米制程技術的研發(fā)，張忠謀曾感激他為“臺積電16年
  • 關鍵字： 中芯國際  FinFET  

臺積電公開回復：東芝競標案和3nm廠選址

  • 　　臺積電13日的法說會中，針對近期兩大熱門議題：日本半導體大廠東芝NAND Flash部門競標案、先進制程3奈米晶圓廠的選址，一一對外界做最新的回覆。 　　自從臺積電董事長張忠謀公開表示，考慮參與日本半導體大廠東芝(Toshiba)競標案后，臺積電對該案的態(tài)度備受市場關注，尤其參與競標者又是鴻海、SK海力士(SK Hynix)、威騰(WD)等全球大廠。 　　臺積電13日指出，內(nèi)部確實評估過該案，但最后決定不去參與競標，主要是兩大原因，第一，內(nèi)部認為這種標準型記憶體的商業(yè)模式和邏輯產(chǎn)業(yè)很不一樣，第二是
  • 關鍵字： 臺積電  3nm  

英特爾7億美金建廠美國 臺積電5000億投資3nm技術

  • 　　晶圓代工龍頭臺積電正式將赴美國設立晶圓廠列入選項，且目標直指最先進且投資金額高達5000億元的3納米制程。臺灣地區(qū)媒體報道稱，臺積電3納米出走將撼動全球半導體江山。 　　擔憂臺灣代工基地空氣不佳、電力不穩(wěn) 　　臺媒引述指出，臺積電政策轉(zhuǎn)向，主因是南科高雄園區(qū)路竹基地，環(huán)評作業(yè)完成時間可能無法配合臺積電需求，加上空氣品質(zhì)及臺灣電力后續(xù)穩(wěn)定不佳，也是干擾設廠的變數(shù)。 　　臺積電表示，南科高雄園區(qū)路竹基地也未排除在外，持續(xù)觀察，選地尚未決定。至于電力問題，臺積電重申，考慮設廠地點，水、電、土地、人才，
  • 關鍵字： 英特爾  3nm  

臺積電斥資157億美元打造5nm/3nm芯片生產(chǎn)線

  • 　　臺科技部長陳良基15日接受經(jīng)濟日報專訪時表示,他上任后主動拜會臺積電董事長張忠謀等科技大老,對臺積電3納米計劃需求,政府將全力協(xié)助,也會特別關注半導體產(chǎn)業(yè),并從近程及長期著手協(xié)助產(chǎn)業(yè)升級。 　　對于空污總量管制等環(huán)保要求,會否影響臺積電3納米進程,陳良基說:「我比較審慎樂觀。我有看到臺積電對3納米需求,水電、土地、空污等因應措施,并沒有不能解決的悲觀?！顾㈩A言,以人工智能(AI)技術為主的沛星互動科技(Appier),十年后有可能成為另一個「臺積電」。 　　陳良基說,他跟張忠謀常碰面,上任后
  • 關鍵字： 臺積電  3nm  

FinFET之父胡正明談人才培育

  • 　　潘文淵文教基金會日前舉行“潘文淵獎”頒獎典禮，2016年的得獎人是加州大學柏克萊分校講座教授胡正明，他曾回臺擔任臺積電首任技術長，也是工研院院士，他所研發(fā)的3D鰭式晶體管(FinFET)突破物理極限，堪稱半導體工業(yè)40多年來的最大變革。 　　胡正明目前仍深耕學術教育，為產(chǎn)學研界培育眾多優(yōu)秀人才。 在頒獎典禮中，胡正明與清華大學前校長劉炯朗以“創(chuàng)新人才培育─邁向科技新世代”為題進行高峰論壇，兩人提出許多深具啟發(fā)性的見解。 　　肯定自己 解決問題就是創(chuàng)新
  • 關鍵字： FinFET  

胡正明續(xù)寫摩爾傳奇 FinFET/FD-SOI廠商如何押寶？

  • 　　近日格羅方德12英寸晶圓廠落戶中國成都引起業(yè)界關注，為何?因為FD-SOI技術。 　　眾所周知，當柵極長度逼近20nm大關時，對電流控制能力急劇下降，漏電率相應提高。FinFET與FD-SOI恰是半導體微縮時代續(xù)命的高招。 　　盡管FinFET與FD-SOI師出同門，但是，兩者卻被“陣營化”，F(xiàn)inFET陣營占據(jù)絕對優(yōu)勢。格羅方德是為數(shù)不多的FD-SOI技術堅守與推動者了。FD-SOI能是否叫板FinFET?希望格羅方德12英寸晶圓廠能給出答案。 　　今天我們就來談談Fi
  • 關鍵字： FinFET  FD-SOI  

SOI與finFET工藝對比 中國需要發(fā)展誰才正確

  • 中國半導體業(yè)發(fā)展可能關鍵不在于方向在那里?而是確定方向之后，如何踏實去干，去解決一個一個難題。任何進步?jīng)]有捷徑，其中骨干企業(yè)的責任尤為重要。
  • 關鍵字： SOI  finFET  

高通總裁談服務器芯片：更低功耗實現(xiàn)相同性能

  • 　　2016年12月7日，高通宣布在服務器領域的最新進展：其首款10nm服務器芯片Qualcomm Centriq 2400開始商用送樣，預計在2017年下半年實現(xiàn)商用。作為Qualcomm Centriq系列的首款產(chǎn)品，Centriq 2400采用最先進的10nm FinFET制程技術，這也是全球首款10nm處理器芯片，最高可配置48個核心。 　　高通官方介紹，Qualcomm Centriq 2400系列主打QDT的ARMv8可兼容定制內(nèi)核——Qualcomm? Fa
  • 關鍵字： 高通  FinFET  

中國微電子所在FinFET工藝上的突破有何意義？

  • 　　最近，中國微電子所集成電路先導工藝研發(fā)中心在下一代新型FinFET邏輯器件工藝研究上取得重要進展。微電子所殷華湘研究員的課題組，利用低溫低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上實現(xiàn)了全金屬化源漏(MSD)，能顯著降低源漏寄生電阻，從而將N/PMOS器件性能提高大約30倍，使得驅(qū)動性能達到了國際先進水平。 　　基于本研究成果的論文被2016年IEEE國際電子器件大會(IEDM)接收，并在IEDM的關鍵分會場之一——硅基先導CMOS 工藝和制造技術(PMT)上，由張青竹
  • 關鍵字： FinFET  摩爾定律  

中國突破半導體新工藝 先要從這位美籍華人講起

  • 由于技術和商業(yè)上的原因，摩爾定律也失去了效力，而且受制于光刻技術、硅材料的極限等因素，芯片制程提升很可能會遭遇瓶頸，這種情況下胡正明教授的FinFET研究就尤為重要。
  • 關鍵字： 半導體  FinFET  

格羅方德展示基于先進14nm FinFET工藝技術的業(yè)界領先56Gbps長距離SerDes

  • 　　格羅方德公司今天宣布，已證實運用14納米FinFET工藝在硅芯片上實現(xiàn)真正長距離56Gbps SerDes性能。作為格羅方德高性能ASIC產(chǎn)品系列的一部分，F(xiàn)X-14? 具有56Gbps SerDes，致力于為提高功率和性能的客戶需求而生，亦為應對最嚴苛的長距離高性能應用需求而準備。　　格羅方德56Gbps SerDes 內(nèi)核同時支持 PAM4 和 NRZ 信號傳導，可補償超過35dB的插入損耗，因而無須在目前極
  • 關鍵字： 格羅方德  FinFET  

控告三星/高通/蘋果FinFET技術侵權 這家公司有多牛？

  • 　　盡管距離國際標準化組織確定的2020年5G商用仍有3年時間之久，現(xiàn)在的4G網(wǎng)絡還有潛力挖掘和價值提升的空間，然而全球“大T”們(運營商)的發(fā)展焦點已經(jīng)向5G轉(zhuǎn)移，紛紛從技術研發(fā)、標準制定、產(chǎn)業(yè)儲備等方面入手，對5G進行全面布局。 　　“預計2022年全球?qū)⒂?.5億5G用戶，其中北美和亞太將成為發(fā)展最快的兩大地區(qū)?！辫b于全球運營商的積極行動，業(yè)界紛紛調(diào)高了對5G發(fā)展速度的預期，愛立信在近期發(fā)布的《移動市場報告》中就給出了2020年5.5億用戶的預期。
  • 關鍵字： 三星  FinFET  

FinFET技術發(fā)明人胡正明：網(wǎng)速有千百倍成長空間

  • 　　半導體領域FinFET技術發(fā)明人胡正明說，由于半導體技術的突破，網(wǎng)際網(wǎng)路的速度和普及度還有千百倍的成長空間。 　　在中國大陸烏鎮(zhèn)舉行的第3屆世界互聯(lián)網(wǎng)大會，今年首次舉辦“世界互聯(lián)網(wǎng)領先科技成果發(fā)布活動”，由海內(nèi)外網(wǎng)路專家組成的專家征集并評選出15項最尖端的技術成果和最具創(chuàng)新性的商業(yè)模式。胡正明及其率領的研究團隊，在半導體微型化的突破成就是其中之一。 　　胡正明率領的美國加州大學柏克萊分校團隊，將平面二維晶體管創(chuàng)新制作成垂直三維的“鰭式電晶體”，讓半導
  • 關鍵字： FinFET  

SoC系統(tǒng)開發(fā)人員：FinFET在系統(tǒng)級意味著什么？

  • 大家都在談論FinFET——可以說，這是MOSFET自1960年商用化以來晶體管最大的變革。幾乎每個人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜(FDSOI)的人，都認為20 nm節(jié)點以后，F(xiàn)inFET將成為SoC的未來。但
  • 關鍵字： SoC  FinFET  MOSFET  

FinFET 技術中的電路設計：演進還是革命?

  • 所有大型晶圓代工廠都已宣布 FinFET 技術為其最先進的工藝。Intel 在 22 nm 節(jié)點上采用該晶體管，TSMC 在其 16 nm 工藝上使用，而 Samsung 和 GlobalFoundries 則將其用于 14 nm 工藝中。
  • 關鍵字： FinFET  電路設計  
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