首頁(yè)　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會(huì)展　 EETV　 百科 　 問(wèn)答　 電路圖　 工程師手冊(cè) 　 Datasheet　 100例 　 活動(dòng)中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請(qǐng)
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 3nm finfet

三星推11納米FinFET，宣布7nm將全面導(dǎo)入EUV

  • 　　隨著臺(tái)積電宣布全世界第一個(gè) 3 奈米制程的建廠計(jì)劃落腳臺(tái)灣南科之后，10 奈米以下個(gè)位數(shù)制程技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)就正式進(jìn)入白熱化的階段。 臺(tái)積電的對(duì)手三星 29 日也宣布，將開(kāi)始導(dǎo)入 11 奈米的 FinFET，預(yù)計(jì)在 2018 年正式投產(chǎn)之外，也宣布將在新一代的 7 奈米制程上全面采用 EUV 極紫外線光刻設(shè)備。 　　根據(jù)三星表示，11 奈米 FinFET 制程技術(shù)「11LPP (Low Power Plus)」是現(xiàn)今 14 奈米和 10 奈米制程的融合，一方面采用 10 奈米制程 BEOL (后端制程)，
  • 關(guān)鍵字： 三星  FinFET  

FD SOI生態(tài)持續(xù)完善，與FinFET分庭抗禮局勢(shì)形成

  • 　　FD SOI技術(shù)在物聯(lián)網(wǎng)蓬勃發(fā)展的大環(huán)境下，以其低功耗、集成射頻和存儲(chǔ)、高性能等優(yōu)勢(shì)獲得業(yè)界各方重視;在以芯原、Globalfoundries(格芯)、三星等為代表的企業(yè)的推動(dòng)下，該產(chǎn)業(yè)鏈正逐步得到完善。此外，在中國(guó)大力發(fā)展集成電路的當(dāng)口，F(xiàn)D-SOI技術(shù)還給中國(guó)企業(yè)帶去更多的發(fā)展空間和機(jī)遇，如何充分利用FD-SOI技術(shù)優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)差異化創(chuàng)新成了眾IC設(shè)計(jì)企業(yè)的探討重點(diǎn)。此外，5G網(wǎng)絡(luò)與物聯(lián)網(wǎng)的不斷進(jìn)化，對(duì)RF技術(shù)革新的強(qiáng)烈需求，對(duì)RF SOI技術(shù)帶來(lái)更廣大的市場(chǎng)前景。 　　FD SOI生態(tài)系統(tǒng)逐步完
  • 關(guān)鍵字： FinFET  物聯(lián)網(wǎng)  

格芯發(fā)布為IBM系統(tǒng)定制的14納米FinFET技術(shù)

  • 　　格芯(GLOBALFOUNDRIES)正在提供其為IBM的下一代服務(wù)器系統(tǒng)處理器定制的量產(chǎn)14納米高性能(HP)技術(shù)。這項(xiàng)雙方共同開(kāi)發(fā)的工藝專(zhuān)為IBM提供所需的超高性能和數(shù)據(jù)處理能力，從而在大數(shù)據(jù)和認(rèn)知計(jì)算的時(shí)代為IBM的云、商業(yè)和企業(yè)解決方案提供支持。IBM在9月13日宣布推出IBM Z產(chǎn)品?！　?4HP是業(yè)內(nèi)唯一將三維FinFET晶體管架構(gòu)結(jié)合在SOI襯底上的技術(shù)。該技術(shù)采用了17層金屬層結(jié)構(gòu)，每個(gè)芯片上有80多億個(gè)晶體管，通過(guò)嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)以及其它創(chuàng)新功能，達(dá)到比前代
  • 關(guān)鍵字： 格芯  FinFET  

格芯為高性能應(yīng)用推出全新12納米 FinFET技術(shù)

  • 　　格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布計(jì)劃推出全新12納米領(lǐng)先性能(12LP)的FinFET半導(dǎo)體制造工藝。該技術(shù)預(yù)計(jì)將提高當(dāng)前代14納米 FinFET產(chǎn)品的密度和性能，同時(shí)滿(mǎn)足從人工智能、虛擬現(xiàn)實(shí)到高端智能手機(jī)、網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施等最具計(jì)算密集型處理需求的應(yīng)用?！　∵@項(xiàng)全新的12LP技術(shù)與當(dāng)前市場(chǎng)上的16 /14納米 FinFET解決方案相比，電路密度提高了15%，性能提升超過(guò)10%。這表明12LP完全可與其它晶圓廠的12納米 FinFET產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)。這項(xiàng)技術(shù)
  • 關(guān)鍵字： 格芯  FinFET  

張忠謀:3nm制程會(huì)出來(lái) 2nm后很難

  • 　　臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀表示，摩爾定律可能還可再延續(xù)10年，3nm制程應(yīng)該會(huì)出來(lái)，2nm則有不確定性，2nm之后就很難了。 　　張忠謀表示，1998年英特爾總裁貝瑞特來(lái)臺(tái)時(shí)，兩人曾針對(duì)摩爾定律還可延續(xù)多久進(jìn)行討論，他當(dāng)時(shí)回答還有15年，貝瑞特較謹(jǐn)慎回答，大概還有10年。 　　現(xiàn)在已經(jīng)2017年，張忠謀表示，兩人當(dāng)時(shí)的答案都錯(cuò)了;他指出，目前大膽預(yù)測(cè)摩爾定律可能再有10年。 　　張忠謀表示，臺(tái)積電明年將生產(chǎn)7nm制程，5nm已研發(fā)差不多，一定會(huì)出來(lái)，3nm也已經(jīng)做2至3年，看來(lái)也是會(huì)出來(lái)。 　　張忠謀
  • 關(guān)鍵字： 3nm  2nm  

臺(tái)積備戰(zhàn)3nm全靠極紫外光（EUV）微影設(shè)備

  • 　　極紫外光(EUV)微影設(shè)備無(wú)疑是半導(dǎo)體制程推向3nm的重大利器。這項(xiàng)每臺(tái)要價(jià)高達(dá)逾近億美元的尖端設(shè)備，由荷商ASML獨(dú)家生產(chǎn)供應(yīng)，目前主要買(mǎi)家全球僅臺(tái)積電、三星、英特爾及格羅方德等大廠為主。 　　EUV設(shè)備賣(mài)價(jià)極高，原因是開(kāi)發(fā)成本高，因此早期ASML為了分?jǐn)傞_(kāi)發(fā)風(fēng)險(xiǎn)，還特別邀請(qǐng)臺(tái)積電、三星和英特爾三大廠入股，但隨著開(kāi)發(fā)完成，臺(tái)積電后來(lái)全數(shù)出脫艾司摩爾股票，也獲利豐碩。 　　有別于過(guò)去半導(dǎo)體采用浸潤(rùn)式曝光機(jī)，是在光源與晶圓中間加入水的原理，使波長(zhǎng)縮短到193/132nm的微影技術(shù)，EUV微影設(shè)備是利
  • 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電  3nm  

臺(tái)灣：AI終端芯片需要3nm制程生產(chǎn)

  • 　　人工智能(AI)成為下世代科技發(fā)展重點(diǎn)，工研院 IEK 計(jì)劃副組長(zhǎng)楊瑞臨表示，AI 終端載具數(shù)量將遠(yuǎn)小于手機(jī)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)挑戰(zhàn)恐將增大，芯片業(yè)者應(yīng)朝系統(tǒng)與服務(wù)領(lǐng)域發(fā)展。 　　工研院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)與趨勢(shì)研究中心(IEK)計(jì)劃副組長(zhǎng)楊瑞臨指出，人工智能大致可分為數(shù)據(jù)收集與決策兩部分;其中，數(shù)據(jù)收集方面，因需要大量運(yùn)算，應(yīng)在云端進(jìn)行。 　　決策方面，目前各國(guó)仍以云端發(fā)展為主，楊瑞臨表示，未來(lái)決策能否改由終端執(zhí)行，是各界視為臺(tái)灣發(fā)展 AI 的一大機(jī)會(huì)。 　　只是無(wú)人機(jī)、自駕車(chē)、機(jī)器人與虛擬現(xiàn)實(shí)(VR)/擴(kuò)增實(shí)境
  • 關(guān)鍵字： AI  3nm  

臺(tái)灣：臺(tái)積電在臺(tái)灣投資3nm廠是必然

  • 　　近期因限電危機(jī)，傳出臺(tái)積電3nm廠可能轉(zhuǎn)往美國(guó)投資，臺(tái)灣“行政院長(zhǎng)”林全表示，「臺(tái)積電在臺(tái)灣投資3nm廠是必然的」，現(xiàn)在的問(wèn)題只是落腳哪里。 　　林全表示，包括臺(tái)南、高雄都拚命爭(zhēng)取臺(tái)積3nm廠落腳。 相較于其他企業(yè)也有很好的投資案，但地方政府就沒(méi)有這么大的回響，或許和企業(yè)形象、經(jīng)營(yíng)成功度、員工待遇都有很大關(guān)系。 　　外界質(zhì)疑政府只關(guān)愛(ài)臺(tái)積電一家公司，林全反駁，政府對(duì)企業(yè)是「一視同仁的，不會(huì)有差別待遇」。 他以臺(tái)塑為例表示，臺(tái)塑遇到最大的挫折就是環(huán)評(píng)被退回，因此他去年上任后就
  • 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電  3nm  

MOS器件的發(fā)展與面臨的挑戰(zhàn)

  • 隨著集成電路工藝制程技術(shù)的不斷發(fā)展，為了提高集成電路的集成度，同時(shí)提升器件的工作速度和降低它的功耗，MOS器件的特征尺寸不斷縮小，MOS器件面臨一系列的挑戰(zhàn)。
  • 關(guān)鍵字： MOS  FinFET  

模擬技術(shù)的困境

  • 　　在這樣一個(gè)對(duì)數(shù)字電路處理有利的世界中，模擬技術(shù)更多地用來(lái)處理對(duì)它們不利的過(guò)程。但這個(gè)現(xiàn)象可能正在改變。　　我們生活在一個(gè)模擬世界中，但數(shù)字技術(shù)已經(jīng)成為主流技術(shù)?；旌闲盘?hào)解決方案過(guò)去包含大量模擬數(shù)據(jù)，只需要少量的數(shù)字信號(hào)處理，這種方案已經(jīng)遷移到系統(tǒng)應(yīng)用中，在系統(tǒng)中第一次產(chǎn)生了模數(shù)轉(zhuǎn)換過(guò)程?！　∧M技術(shù)衰落有幾個(gè)原因，其中一些是建立在自身缺陷上的。摩爾定律適用于數(shù)字電路而不是模擬電路;晶體管可以而且必須做得更小，這有利于數(shù)字電路。但這對(duì)模擬晶體管的影響并不大，反而器件尺寸越小，模擬器件特性往往越差。器件的
  • 關(guān)鍵字： 摩爾定律  FinFET  

格芯交付性能領(lǐng)先的7納米FinFET技術(shù)在即

  • 　　格芯今日宣布推出其具有7納米領(lǐng)先性能的(7LP)FinFET半導(dǎo)體技術(shù)，其40%的跨越式性能提升將滿(mǎn)足諸如高端移動(dòng)處理器、云服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施等應(yīng)用的需求。設(shè)計(jì)套件現(xiàn)已就緒，基于7LP技術(shù)的第一批客戶(hù)產(chǎn)品預(yù)計(jì)于2018年上半年推出，并將于2018年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)?！　?016年9月，格芯曾宣布將充分利用其在高性能芯片制造中無(wú)可比擬的技術(shù)積淀，來(lái)研發(fā)自己7納米FinFET技術(shù)的計(jì)劃。由于晶體管和工藝水平的進(jìn)一步改進(jìn)，7LP技術(shù)的表現(xiàn)遠(yuǎn)優(yōu)于最初的性能目標(biāo)。與先前基于14納米FinFET技術(shù)的產(chǎn)品相比，預(yù)
  • 關(guān)鍵字： 格芯  FinFET  

SoC系統(tǒng)開(kāi)發(fā)人員：FinFET對(duì)你來(lái)說(shuō)意味著什么？

  • 大家都在談?wù)揊inFETmdash;mdash;可以說(shuō)，這是MOSFET自1960年商用化以來(lái)晶體管最大的變革。幾乎每個(gè)人mdash;mdash;除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜（FDSOI）的人，都認(rèn)為20 nm節(jié)點(diǎn)以后，F(xiàn)inFET將成為SoC的未來(lái)。但是對(duì)于要使用這些SoC的系統(tǒng)開(kāi)發(fā)人員而言，其未來(lái)會(huì)怎樣呢？
  • 關(guān)鍵字： SoC  Synopsys  FinFET  

ALD技術(shù)在未來(lái)半導(dǎo)體制造技術(shù)中的應(yīng)用

  • 由于低溫沉積、薄膜純度以及絕佳覆蓋率等固有優(yōu)點(diǎn)，ALD（原子層淀積）技術(shù)早從21世紀(jì)初即開(kāi)始應(yīng)用于半導(dǎo)體加工制造。DRAM電容的高k介電質(zhì)沉積率先采用此技術(shù)，但近來(lái)ALD在其它半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域也已發(fā)展出愈來(lái)愈廣泛的應(yīng)用。
  • 關(guān)鍵字： ALD  半導(dǎo)體制造  FinFET  PVD  CVD  

FinFET布局和布線要經(jīng)受各種挑戰(zhàn)

  • 　　隨著高級(jí)工藝的演進(jìn)，電路設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)在最先進(jìn)的晶片上系統(tǒng)內(nèi)加載更多功能和性能的能力日益增強(qiáng)。與此同時(shí)，他們同樣面臨許多新的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。多重圖案拆分給設(shè)計(jì)實(shí)施過(guò)程帶來(lái)了許多重大布局限制，另外為降低功耗和提高性能而引入 FinFET 晶體管使之更加復(fù)雜，因?yàn)樗鼘?duì)擺設(shè)和布線流程帶來(lái)了更多的限制。下面就隨模擬電子小編一起來(lái)了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。 　　FinFET布局和布線要經(jīng)受各種挑戰(zhàn) 　　隨著高級(jí)工藝的演進(jìn)，電路設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)在最先進(jìn)的晶片上系統(tǒng)內(nèi)加載更多功能和性能的能力日益增強(qiáng)。與此同時(shí)，他們同樣面臨許多新的設(shè)
  • 關(guān)鍵字： FinFET  

英特爾推全新低功耗FinFET技術(shù)　22納米制程戰(zhàn)場(chǎng)煙硝起

  • 　　英特爾(Intel)宣布將在2017年底之前啟動(dòng)全新22納米鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)制程22 FFL，相關(guān)開(kāi)發(fā)套件(PDK)在接下來(lái)幾個(gè)月也將陸續(xù)到位，市場(chǎng)上認(rèn)為22 FFL的推出，顯然是針對(duì)GlobalFoundries等業(yè)者以全空乏絕緣上覆硅(FD-SOI)為移動(dòng)裝置及物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應(yīng)用所生產(chǎn)之同類(lèi)芯片而來(lái)。 　　據(jù)EE Times Asia報(bào)導(dǎo)，英特爾稱(chēng)自家22 FFL是市場(chǎng)上首款為低功耗IoT應(yīng)用及移動(dòng)裝置產(chǎn)品而開(kāi)發(fā)出來(lái)的FinFET技術(shù)，能打造出高效能及低功耗的電晶體，漏電流(le
  • 關(guān)鍵字： 英特爾  FinFET  
共291條 13/20 |‹ « 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 »
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473