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Cortex-A50的希望：14nm ARM成功流片

  • 　　電子設計企業(yè)Cadence Design Systems, Inc.今天宣布，借助IBM FinFET晶體管技術，已經(jīng)成功流片了14nm工藝的ARM Cortex-M0處理器試驗芯片。 　　 ? 　　Cadence、ARM、IBM三者之間已經(jīng)達成了多年的合作協(xié)議 　　Cadence、ARM、IBM三者之間已經(jīng)達成了多年的合作協(xié)議，共同開發(fā)14nm以及更先進的半導體工藝，14nm芯片和生態(tài)系統(tǒng)就是三方合作的一個重要里程碑。 　　這次的試驗芯片主要是用來對14nm工藝設計IP的
  • 關鍵字： Cadence  芯片  FinFET  

臺積電擬攜ARM V8進軍16nm FinFET

  • 　　臺積電在本周二(10月16日)的年度大會中，宣布制訂了20nm平面、16nm FinFET和2.5D發(fā)展藍圖。臺積電也將使用ARM的第一款64位元處理器V8來測試16nm FinFET制程，并可望在未來一年內推出首款測試晶片。 　　臺積電與其合作伙伴們表示，用于20nm和16nm FinFET的雙重圖形技術對晶片設計人員帶來了極大挑戰(zhàn)。臺積電的發(fā)展藍圖大致與競爭對手Globalfoundries 類似，都希望能在明年啟動20nm制程，2014開始14nm FinFET制程。 　　臺積電的目標提前在
  • 關鍵字： 臺積電  FinFET  ARM V8  

GLOBALFOUNDRIES: 14nm準備好了嗎?

  •  　　日前，GLOBALFOUNDRIES宣布推出采用FinFET架構的14nm-XM技術，其全球銷售和市場營銷執(zhí)行副總裁Michael Noonen近日接受媒體訪問，對有關問題進行了解讀。 　　XM 是 eXtreme Mobility 的縮寫，作為業(yè)界領先的非平面結構，它真正為移動系統(tǒng)級芯片(SoC)設計做了優(yōu)化，能提供從晶體管到系統(tǒng)級的全方位產品解決方案。與目前20納米節(jié)點的二維平面晶體管相比，該技術可望實現(xiàn)電池功耗效率提升 40%~60%。 　　Noonen表示：“201
  • 關鍵字： FinFET  14nm   

inFET聯(lián)電拚F可能搶先臺積電

  • 臺積電最近表示，其首個 FinFET 制程將會搭配16nm節(jié)點，而且可能會在2015年下半年量產。不過，臺積電也會在20nm后段制程中使用 FinFET ，因此，該公司的 FinFET 時程表可能還會有變數(shù)。
  • 關鍵字： 臺積電  FinFET   

基于SOI和體硅的FinFET對比研究

  • 隨著半導體產業(yè)向22納米技術節(jié)點外觀的發(fā)展，一些制造商正在考慮從平面CMOS晶體管向三維（3D）FinFET器件結構的過渡。相對于平面晶體管，F(xiàn)inFET元件提供更好的渠道控制，因此，降低短通道效應。當平面晶體管的柵極在溝道之上，F(xiàn)inFET的柵極環(huán)繞溝道，從雙向提供靜電控制。
  • 關鍵字： SOI  體硅  FinFET  

英特爾Finfet晶體管架構未到瓜熟蒂落時

  • 　　自從Intel正式對外公布22nm制程節(jié)點將啟用Finfet垂直型晶體管結構，吸引了眾人的注意之后，臺積電，GlobalFoundries等芯片代工廠最近紛紛表態(tài)稱芯片代工市場在未來一段時間內(至少到下一個節(jié)點制程時)仍將采用傳統(tǒng)基于平面型晶體管結構的技術。他們給出的理由是，Intel手上只有少數(shù)幾套芯片產品，因此Intel方面要實現(xiàn)到Finfet的晶體管架構升遷時，在芯片設計與制造方面需要作出的改動相對較小，而芯片代工商則情況 完全不同。
  • 關鍵字： 臺積電  Finfet  
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