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低功耗低噪聲CMOS放大器設(shè)計與優(yōu)化
- 分析了兩種傳統(tǒng)的基于共源共柵結(jié)構(gòu)的低噪聲放大器LNA技術(shù):實現(xiàn)噪聲優(yōu)化和輸入匹配SNIM技術(shù)并在功耗約束下同時實現(xiàn)噪聲優(yōu)化和輸入匹配PCSNIM技術(shù)。針對其固有不足,提出了一種新的低功耗、低噪聲放大器設(shè)計方法。
- 關(guān)鍵字: CMOS 低功耗 低噪聲 放大器設(shè)計
SoC與SiP各有千秋 兩者之爭仍將繼續(xù)
- 對生命周期相對較長的產(chǎn)品來說,SoC將繼續(xù)作為許多產(chǎn)品的核心;而若對產(chǎn)品開發(fā)周期要求高、生命周期短、面積小、靈活性較高,則應(yīng)使用SiP。 現(xiàn)代集成技術(shù)已經(jīng)遠遠超越了過去40年中一直以摩爾定律發(fā)展的CMOS(互補金屬氧化物半導(dǎo)體)工藝。人們正在為低成本無源元件集成和MEMS(微機電系統(tǒng))傳感器、開關(guān)和振蕩器等電器元件開發(fā)新的基于硅晶的技術(shù)。這意味著與集成到傳統(tǒng)CMOS芯片相比,可以把更多的功能放到SiP封裝(系統(tǒng)級封裝)中,這些新技術(shù)并不會替代CMOS芯片,而只是作為補充。 如果
- 關(guān)鍵字: SoC CMOS SiP
無線芯片在高集成化中尋找機遇挑戰(zhàn)竟?fàn)?/a>
- 連接性是未來電子產(chǎn)品最值得期待的特性,幾乎所有的電子產(chǎn)品消費者都希望能夠通過無線連接與其他設(shè)備進行互動,因此,未來每個電子產(chǎn)品都有一個射頻收發(fā)模塊將成為無線芯片最主要的市場推動力,在這樣龐大的市場機遇面前,并不是每個公司都可以分一杯羹,隨著無線技術(shù)的成熟,無線市場的競爭遠比以前更為激烈和復(fù)雜。 集成化趨勢 無線半導(dǎo)體市場在早期以手機半導(dǎo)體為主,基帶是最早無線芯片的核心,TI正是以此奠定多年無線半導(dǎo)體老大的地位,隨著基帶技術(shù)的成熟和普及,NXP、Skyworks、ADI和MTK等公司
- 關(guān)鍵字: 無線半導(dǎo)體 博通 CMOS CSR 藍牙
低功耗高增益CMOS LNA的設(shè)計
- 0 引言 快速增長的無線通信市場使得無線通信技術(shù)向著低成本、低功耗、高集成度的方向發(fā)展,同時CMOS技術(shù)已經(jīng)發(fā)展到深亞微米水平,這使CMOS器件的高頻特性得以進一步改善,目前已能與SiGe器件和GaAs器件相媲美。此外,CMOS器件功耗極低且集成度高,因而深亞微米CMOS技術(shù)在無線通信系統(tǒng)中具有應(yīng)用潛力。低噪聲放大器(LNA)是無線通信系統(tǒng)射頻接收機前端的關(guān)鍵模塊,在接收并放大信號的過程中起著關(guān)鍵性的作用,其增益、噪聲、線性度等都將直接影響著整個接收機的性能。典型的接收機的接收信號強度在-120~-
- 關(guān)鍵字: CMOS
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