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IBM將與法國LETI聯(lián)手開發(fā)22nm制程技術(shù)
- IBM與法國原子能署下屬的電子資訊科技實驗室(CEA/LETI)近日宣布將合作研究開發(fā)半導體與納米電子相關(guān)技術(shù)。雙方將就22nm制程工藝有關(guān)的高級材料,設(shè)備及制造工藝方面進行合作,合約期為5年。 研究工作將在IBM公司在東Fishkill的300mm工廠,Nanotech/意法半導體公司在法國Crolles的工廠以及CEA/LETI位于Grenoble的300mm設(shè)施中展開。而來自CEA/LETI的一支研究團隊則將在Albany Nanotech公司開展這項研究工作。CEA/LETI將不會加入I
- 關(guān)鍵字: IBM CMOS 22nm
Point 35 Microstructures將氧化物釋放添加到MEMS制造系列
- 全球微機電系統(tǒng)(MEMS)產(chǎn)業(yè)蝕刻和沉積設(shè)備供應商Point 35 Microstructures公司,今日在上海宣布推出汽相氧化物釋放蝕刻模塊,進一步擴展其微機電系統(tǒng)(MEMS) 單晶圓制造memsstar?產(chǎn)品系列。這項新增的技術(shù)將確保MEMS器件設(shè)計師得到更多的生產(chǎn)選擇,同時帶來了寬泛的制造工藝窗口和各種工藝控制等等好處,從而使良率得到了最大的提升。 SVR-vHF氧化物釋放模塊結(jié)合現(xiàn)有的memsstar? SVR-Xe 犧牲性汽相釋放(SVR)模塊,利用無水氫氟蒸汽(aH
- 關(guān)鍵字: Point 35 Microstructures,SVR,MEMS
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