cmos-mems 文章進(jìn)入cmos-mems技術(shù)社區(qū)

利用MEMS提高醫(yī)療設(shè)備流量測(cè)量精度

流量傳感器是眾多醫(yī)療設(shè)備的關(guān)鍵器件，它被用來(lái)監(jiān)視氣體輸出量以確保流量精確。目前可用的流量傳感技術(shù)主要包...
關(guān)鍵字： MEMS 醫(yī)療

SoC與SiP各有千秋兩者之爭(zhēng)仍將繼續(xù)

　　對(duì)生命周期相對(duì)較長(zhǎng)的產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，SoC將繼續(xù)作為許多產(chǎn)品的核心；而若對(duì)產(chǎn)品開(kāi)發(fā)周期要求高、生命周期短、面積小、靈活性較高，則應(yīng)使用SiP。　　現(xiàn)代集成技術(shù)已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越了過(guò)去40年中一直以摩爾定律發(fā)展的CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)工藝。人們正在為低成本無(wú)源元件集成和MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))傳感器、開(kāi)關(guān)和振蕩器等電器元件開(kāi)發(fā)新的基于硅晶的技術(shù)。這意味著與集成到傳統(tǒng)CMOS芯片相比，可以把更多的功能放到SiP封裝(系統(tǒng)級(jí)封裝)中，這些新技術(shù)并不會(huì)替代CMOS芯片，而只是作為補(bǔ)充。　　如果
關(guān)鍵字： SoC CMOS SiP

ESC用MEMS需求不斷增長(zhǎng) 角速度傳感器市場(chǎng)異變

　　市場(chǎng)調(diào)查公司美國(guó)iSuppli預(yù)測(cè)，即使汽車(chē)需求減退，今后數(shù)年內(nèi)ESC（Electronic Stability Control，防側(cè)滑裝置）和用于該裝置的MEMS部件的市場(chǎng)規(guī)模也將繼續(xù)擴(kuò)大。　　該公司預(yù)測(cè)，美國(guó)08年新車(chē)銷(xiāo)量將比上年減少17.7％、為1330萬(wàn)輛，西歐市場(chǎng)將同比減少8.2％、為1540萬(wàn)輛。不過(guò)，預(yù)計(jì)新車(chē)ESC導(dǎo)入率將從06年的28％上升到2012年的57％。由于美歐必須配備ESC，所以盡管景氣出現(xiàn)惡化，但ESC市場(chǎng)仍在繼續(xù)擴(kuò)大。與此同時(shí)，用于ESC的加速度傳感器、角速度傳感器和
關(guān)鍵字： VTI MEMS 傳感器汽車(chē)

無(wú)懼金融危機(jī) 臺(tái)積電逆市上馬MEMS產(chǎn)能

　　據(jù)Digitims網(wǎng)站報(bào)道，在全球金融危機(jī)的席卷之下，多數(shù)廠商都不得不放緩了擴(kuò)張的步伐，轉(zhuǎn)而開(kāi)始進(jìn)入退守以節(jié)約資金挨過(guò)寒冬。不過(guò)對(duì)于優(yōu)秀的廠商和優(yōu)秀的產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō)，永遠(yuǎn)都不會(huì)缺乏關(guān)注，日前就有消息透露臺(tái)積電將進(jìn)一步提高在微機(jī)電系統(tǒng)(Micro Electro-Mechanical Systems，MEMS）業(yè)務(wù)領(lǐng)域的研發(fā)力度。　　據(jù)晶圓生產(chǎn)設(shè)備及材料供應(yīng)商方面的消息透露，臺(tái)積電目前就在按部就班為旗下Fab 8晶圓廠安裝微機(jī)電系統(tǒng)生產(chǎn)新設(shè)備，該公司在微機(jī)電系統(tǒng)服務(wù)領(lǐng)域的部署并未受到全球經(jīng)濟(jì)下滑因素影
關(guān)鍵字：金融危機(jī) 晶圓 MEMS 微機(jī)電系統(tǒng)

無(wú)線(xiàn)芯片在高集成化中尋找機(jī)遇挑戰(zhàn)竟?fàn)?/a>

　　連接性是未來(lái)電子產(chǎn)品最值得期待的特性，幾乎所有的電子產(chǎn)品消費(fèi)者都希望能夠通過(guò)無(wú)線(xiàn)連接與其他設(shè)備進(jìn)行互動(dòng)，因此，未來(lái)每個(gè)電子產(chǎn)品都有一個(gè)射頻收發(fā)模塊將成為無(wú)線(xiàn)芯片最主要的市場(chǎng)推動(dòng)力，在這樣龐大的市場(chǎng)機(jī)遇面前，并不是每個(gè)公司都可以分一杯羹，隨著無(wú)線(xiàn)技術(shù)的成熟，無(wú)線(xiàn)市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)遠(yuǎn)比以前更為激烈和復(fù)雜。　　集成化趨勢(shì) 　　無(wú)線(xiàn)半導(dǎo)體市場(chǎng)在早期以手機(jī)半導(dǎo)體為主，基帶是最早無(wú)線(xiàn)芯片的核心，TI正是以此奠定多年無(wú)線(xiàn)半導(dǎo)體老大的地位，隨著基帶技術(shù)的成熟和普及，NXP、Skyworks、ADI和MTK等公司

關(guān)鍵字：無(wú)線(xiàn)半導(dǎo)體博通 CMOS CSR 藍(lán)牙

低功耗高增益CMOS LNA的設(shè)計(jì)

0 引言　　快速增長(zhǎng)的無(wú)線(xiàn)通信市場(chǎng)使得無(wú)線(xiàn)通信技術(shù)向著低成本、低功耗、高集成度的方向發(fā)展，同時(shí)CMOS技術(shù)已經(jīng)發(fā)展到深亞微米水平，這使CMOS器件的高頻特性得以進(jìn)一步改善，目前已能與SiGe器件和GaAs器件相媲美。此外，CMOS器件功耗極低且集成度高，因而深亞微米CMOS技術(shù)在無(wú)線(xiàn)通信系統(tǒng)中具有應(yīng)用潛力。低噪聲放大器(LNA)是無(wú)線(xiàn)通信系統(tǒng)射頻接收機(jī)前端的關(guān)鍵模塊，在接收并放大信號(hào)的過(guò)程中起著關(guān)鍵性的作用，其增益、噪聲、線(xiàn)性度等都將直接影響著整個(gè)接收機(jī)的性能。典型的接收機(jī)的接收信號(hào)強(qiáng)度在-120～-
關(guān)鍵字： CMOS

一種新型MEMS微波功率傳感器的設(shè)計(jì)與模擬

摘要：提出了一種新型的三明治結(jié)構(gòu)MEMS微波功率傳感器結(jié)構(gòu)，與傳統(tǒng)傳感器相比，新結(jié)構(gòu)由于采用了垂直傳熱方式而...
關(guān)鍵字： MEMS傳感器 memset MEMS壓力傳感器 MEMS交換 MEMS開(kāi)關(guān) MEMS 傳感器

賽普拉斯為用于機(jī)器視覺(jué)與運(yùn)動(dòng)分析應(yīng)用的 LUPA 高速 SXGA CMOS圖像傳感器添加色彩

　　2008 年 11 月 17日，北京訊，—— 日前，賽普拉斯半導(dǎo)體公司 (NYSE: CY) 宣布推出具有高靈敏度以及高速超級(jí)擴(kuò)展圖形陣列 (SXGA) 分辨率 CMOS 色彩圖像傳感器的商用樣片。最新 130 萬(wàn)像素 LUPA-1300-2-color 傳感器具有觸發(fā)式與流水線(xiàn)式同步曝光與片上數(shù)字低壓差分信號(hào) (LVDS) 輸出。該圖像傳感器開(kāi)發(fā)用于需要區(qū)分不同色彩的機(jī)器視覺(jué)與運(yùn)動(dòng)分析應(yīng)用，其不僅可具有 500 幀每秒 (fps) 的高幀速率，同時(shí)還能夠提供可實(shí)現(xiàn)
關(guān)鍵字：賽普拉斯 CMOS 傳感器 LUPA-1300-2-c

賽普拉斯針對(duì)機(jī)器視覺(jué)與全息數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用推出全球數(shù)據(jù)吞吐能力最高的 CMOS 圖像傳感器

　　2008 年 11 月 17 日，北京訊 – 日前，賽普拉斯半導(dǎo)體公司(NYSE: CY)宣布提供推出具有 13.2Gbps 業(yè)界最高數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)吞吐能力的 CMOS 圖像傳感器商用樣片。最新 300萬(wàn)像素 LUPA-3000 傳感器具有 485幀/秒 (fps)高幀速率的觸發(fā)式與流水線(xiàn)式同步快門(mén)以及能夠確保保真圖像與快速讀取的視窗功能。該款傳感器還具有片上數(shù)字低壓差分信號(hào) (LVDS) 輸出，其能夠簡(jiǎn)化機(jī)器視覺(jué)與全息數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用的傳感器數(shù)據(jù)傳輸與整體攝像機(jī)設(shè)計(jì)。　　LUPA-3000
關(guān)鍵字：賽普拉斯 CMOS LUPA-3000

MEMS市場(chǎng)全年成長(zhǎng)率首度呈個(gè)位數(shù) 明年緩步滑落

　　全球MEMS工業(yè)群體執(zhí)行大會(huì)剛于日前正式閉幕，與會(huì)的市場(chǎng)人士大多認(rèn)為，2008年全球MEMS產(chǎn)值成長(zhǎng)幅度恐將僅剩下個(gè)位數(shù)，而這也是成長(zhǎng)率首度剩下個(gè)位數(shù)成長(zhǎng)的1年，對(duì)于2009年全球MEMS市場(chǎng)產(chǎn)值預(yù)估，大多數(shù)與會(huì)人士則認(rèn)為，由于2009年的景氣還處于混亂不明的狀態(tài)，因此認(rèn)為將會(huì)是緩步滑落的1年，且正因?yàn)槿绱?，市?chǎng)分析師認(rèn)為過(guò)去相當(dāng)多創(chuàng)投愿意將資金投入在MEMS公司，但如今這樣的門(mén)坎也開(kāi)始拉高。　　事實(shí)上，對(duì)于多家MEMS公司來(lái)說(shuō)，到了2008年上半為止，全球MEMS市場(chǎng)仍舊處在相當(dāng)不錯(cuò)狀態(tài)，
關(guān)鍵字： MEMS

賽普拉斯為用于機(jī)器視覺(jué)與運(yùn)動(dòng)分析應(yīng)用的 LUPA 高速 SXGA CMOS

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： SXGA CMOS LVDS

CMOS集成電路中ESD保護(hù)技術(shù)研究

　　靜電在芯片的制造、封裝、測(cè)試和使用過(guò)程中無(wú)處不在，積累的靜電荷以幾安培或幾十安培的電流在納秒到微秒的時(shí)間里釋放，瞬間功率高達(dá)幾百千瓦，放電能量可達(dá)毫焦耳，對(duì)芯片的摧毀強(qiáng)度極大。所以芯片設(shè)計(jì)中靜電保護(hù)模塊的設(shè)計(jì)直接關(guān)系到芯片的功能穩(wěn)定性，極為重要。隨著工藝的發(fā)展，器件特征尺寸逐漸變小，柵氧也成比例縮小。二氧化硅的介電強(qiáng)度近似為8×106V／cm，因此厚度為10 nm的柵氧擊穿電壓約為8 V左右，盡管該擊穿電壓比3.3 V的電源電壓要高一倍多，但是各種因素造成的靜電，一般其峰值電壓遠(yuǎn)超過(guò)8 V
關(guān)鍵字： CMOS ESD

賽普拉斯業(yè)界領(lǐng)先的定制 CMOS 圖像傳感器系列贏得第 100 個(gè)設(shè)計(jì)中標(biāo)

　　2008 年 11 月12 日，北京訊 – 日前，賽普拉斯半導(dǎo)體公司(NYSE: CY) 宣布該公司已經(jīng)完成其第 100 項(xiàng)定制 CMOS 圖像傳感器設(shè)計(jì)。賽普拉斯豐富的產(chǎn)品系列能夠滿(mǎn)足眾多應(yīng)用需求，如：工業(yè)與醫(yī)療 X 光成像、內(nèi)窺鏡檢查、機(jī)器視覺(jué)、太空星體跟蹤與遙感、條形碼閱讀器、生物測(cè)量、高速線(xiàn)陣傳感器以及高速運(yùn)動(dòng)分析傳感器等。　　這些廣泛的定制設(shè)計(jì)中標(biāo)包括 Vision Research、Toshiba Teli、Micro Imaging 和 ARRI 公司的多項(xiàng)設(shè)計(jì)以及全球其
關(guān)鍵字：賽普拉斯 CMOS ARRI 傳感器

政府指令改變ESC系統(tǒng)的供應(yīng)格局

　　政府統(tǒng)計(jì)得出的結(jié)論認(rèn)為，電子穩(wěn)定控制系統(tǒng)(ESC)是重要的安全保護(hù)措施，可能是安全帶出現(xiàn)以來(lái)最重要的措施。ESC系統(tǒng)建立在防抱死剎車(chē)系統(tǒng)基礎(chǔ)之上，幫助司機(jī)在快速轉(zhuǎn)向、復(fù)位操縱和突然并線(xiàn)時(shí)保持對(duì)汽車(chē)的控制。在躲避障礙時(shí)可能出現(xiàn)這些操作。　　美國(guó)政府最先發(fā)出了有關(guān)汽車(chē)安全的指令，最近歐洲交通安全機(jī)構(gòu)也發(fā)出了類(lèi)似指令，其目標(biāo)是分別在2012年和2014年要求所有汽車(chē)都安裝ESC系統(tǒng)。這些指令正在加熱微電機(jī)系統(tǒng)(MEMS)傳感器的ESC系統(tǒng)市場(chǎng)。這些傳感器包括壓力、橫向加速計(jì)和偏航率陀螺儀。上述規(guī)定為ME
關(guān)鍵字： ESC系統(tǒng) 汽車(chē)安全 MEMS OEM 陀螺儀

DRAM廠另謀出路搶進(jìn)晶圓代工市場(chǎng)

　　DRAM現(xiàn)貨價(jià)跌破一美元，DRAM廠為了維持12吋廠利用率，但又不想再繼續(xù)燒錢(qián)生產(chǎn)DRAM，所以包括力晶及茂德，已經(jīng)開(kāi)始把12吋廠產(chǎn)能移轉(zhuǎn)投入晶圓代工市場(chǎng)。據(jù)了解，兩家業(yè)者利用12吋廠經(jīng)濟(jì)規(guī)模優(yōu)勢(shì)，大搶LCD驅(qū)動(dòng)IC、CMOS感測(cè)器等訂單，已對(duì)聯(lián)電、世界先進(jìn)等造成沖擊。　　DRAM報(bào)價(jià)持續(xù)探底，燒錢(qián)速度愈來(lái)愈快，DRAM廠為了守住手中現(xiàn)金，均大砍明年資本支出，延緩50奈米制程微縮。再者，因?yàn)?0奈米以下DRAM制程需導(dǎo)入先進(jìn)的浸潤(rùn)式微影技術(shù)，投資金額過(guò)于龐大，也不適合將現(xiàn)有12吋廠進(jìn)行改建。所
關(guān)鍵字： DRAM CMOS