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主CMOS為鎂光合作產(chǎn)品 尼康V1全面拆解

  • 半導(dǎo)體行業(yè)網(wǎng)站Chipworks于近日對尼康新出品的微單相機(jī)V1做了非常詳細(xì)而且徹底的拆解，在這次拆解過程中我們也發(fā)現(xiàn)了不少秘密，首當(dāng)其沖的就是主CMOS上發(fā)現(xiàn)了Aptina的痕跡。Aptina是美國半導(dǎo)體企業(yè)鎂光旗下的感光元件生產(chǎn)廠商，也推出過APS-C規(guī)格的16M像素CMOS。這也是首次明確發(fā)現(xiàn)尼康與Aptina合作，還是讓我們先來看看圖片吧！
  • 關(guān)鍵字： 尼康  V1  CMOS  

意法半導(dǎo)體推出新品運(yùn)動傳感器技術(shù)

  • 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商及全球第一大消費(fèi)電子和便攜式設(shè)備MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))傳感器供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)推出兩款采用2x2mm微型封裝，擁有超低功耗及高性能的三軸加速度計(jì)芯片。新產(chǎn)品較上一代產(chǎn)品尺寸縮減50%，因此尤為適用于手機(jī)、平板電腦及游戲機(jī)等對功耗和尺寸限制嚴(yán)格的消費(fèi)電子產(chǎn)品。
  • 關(guān)鍵字： ST  MEMS  LIS2DH  LIS2DM  

SuVolta發(fā)布Deeply Depleted Channel技術(shù)

  • 致力于開發(fā)可微縮低功耗CMOS技術(shù)的公司SuVolta今日在2011年IEDM會議上發(fā)布其Deeply Depleted Channel (DDC - 深度耗盡通道)的技術(shù)細(xì)節(jié)。SuVolta的DDC技術(shù)是該公司的PowerShrink低功耗CMOS平臺的組成部分。該低功耗技術(shù)已向業(yè)界證明可以在不影響速度的前提下降低功耗百分之五十。配合先進(jìn)的電壓降低手段，DDC技術(shù)甚至可以降低功耗達(dá)百分之八十或更多。
  • 關(guān)鍵字： SuVolta  CMOS   

MEMS/NEMS表面3-D輪廓測量中基于模板的相位解包裹算法

  • 相位解包裹是使用相移顯微干涉法測量MEMS/NEMS表面3-D輪廓時的重要步驟.本文針對普通的相位解包裹方
    法在復(fù)雜輪廓或包含非理想數(shù)據(jù)區(qū)的表面輪廓測量中的局限性,提出一種基于模板的廣度優(yōu)先搜索相位展開方法.通過模板
    的使用,先將非相容區(qū)域標(biāo)記出來,在相位解包裹的過程中繞過這些區(qū)域,即可得到準(zhǔn)確可靠的相位展開結(jié)果.通過具體的應(yīng)
    用實(shí)例可以證明,使用不同模板可以根據(jù)不同應(yīng)用的需要靈活而準(zhǔn)確地實(shí)現(xiàn)微納結(jié)構(gòu)表面3-D輪廓測量中的相位展開.
    關(guān)鍵詞:MEMS/NEMS;表面
  • 關(guān)鍵字： 模板  相位  包裹  算法  基于  測量  表面  3-D  輪廓  MEMS/NEMS  

一種基于動態(tài)閾值NMOS的1．2V CMOS模擬乘法器

  • 摘要 分析了以動態(tài)閾值NMOS晶體管作為輸入信號的輸入晶體管，利用4個動態(tài)閾值NMOS和2個有源電阻設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)的一種1．2 V低功耗CMOS模擬乘法器電路。該電路具有節(jié)省輸入晶體管數(shù)目、偏置晶體管和偏置電路，以及性能指標(biāo)
  • 關(guān)鍵字： 模擬  法器  CMOS  2V  動態(tài)  NMOS  基于  

共源共柵CMOS功率放大器效率的提高方案

  • 利用共源共柵電感可以提高共源共柵結(jié)構(gòu)功率放大器的效率。這里提出一種采用共源共柵電感提高效率的5.25GHzW ...
  • 關(guān)鍵字： 共源  共柵  CMOS  功率放大器  

基于MEMS的LED芯片封裝光學(xué)特性分析

  • 本文提出了一種基于MEMS的LED芯片封裝技術(shù)，利用體硅工藝在硅基上形成的凹槽作為封裝LED芯片的反射腔。分析了反射腔對LED的發(fā)光強(qiáng)度和光束性能的影響，分析結(jié)果表明該反射腔可以提高芯片的發(fā)光效率和光束性能；討論了反射腔的結(jié)構(gòu)參數(shù)與芯片發(fā)光效率之間的關(guān)系。最后設(shè)計(jì)r封裝的工藝流程。利用該封裝結(jié)構(gòu)可以降低芯片的封裝尺，提高器件的發(fā)光效率和散熱特性。
  • 關(guān)鍵字： MEMS  LED  芯片封裝  光學(xué)特性    

愛普科斯MEMS技術(shù)解析

  • 越來越多的移動設(shè)備，如手機(jī)、耳機(jī)、相機(jī)和MP3，采用了先進(jìn)的降噪技術(shù)，以消除背景音，提高聲音質(zhì)量。要使這種先進(jìn)...
  • 關(guān)鍵字： 愛普科斯  MEMS  

MEMS麥克風(fēng)可增強(qiáng)音頻系統(tǒng)的質(zhì)量和可靠性

  • 新型MEMS麥克風(fēng)將高質(zhì)量音頻采集能力賦予便攜式設(shè)備，同時能夠降低成本、功耗和尺寸。
  • 關(guān)鍵字： ADI  MEMS  201111  

MEMS傳感器整合解決方案

  • MEMS傳感器包括測量線性加速度和地球重力矢量的加速度計(jì)、測量角速率的陀螺儀、測量地球磁場強(qiáng)度以確定方位的地磁計(jì)和測量氣壓以確定高度的壓力傳感器。把這些傳感器整合在一起將會大幅擴(kuò)大這些傳感器的應(yīng)用范圍。本文以互補(bǔ)濾波器、卡爾曼濾波器和擴(kuò)展型卡爾曼濾波器(EKF)為例，論述在一個傳感器整合解決方案內(nèi)如何讓這些傳感器協(xié)調(diào)工作，幫助讀者了解如何把傳感器整合從概念變?yōu)楝F(xiàn)實(shí)。
  • 關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體  MEMS  傳感器  201111  

采用綜合法封裝MEMS加速儀

  • MEMS封裝系統(tǒng)應(yīng)有MEMS執(zhí)行感應(yīng)功能，而且還要避免受到外界環(huán)境的影響，同時持續(xù)地改進(jìn)質(zhì)量，達(dá)到較高的ppm性能。本文采用SOIC封裝，必須維持一個特定的共振頻率，從而防止傳感器被粘住或卡住。同時，封裝必須確保傳感器是可靠和完整的，沒有出現(xiàn)斷裂或輸出偏差。本文采用一種綜合學(xué)科研究方法，以確定合適的固晶材料來徹底解決器件斷裂的問題。這種方法涉及振動分析、電氣響應(yīng)測定、壓力分析和斷裂力學(xué)。
  • 關(guān)鍵字： 飛思卡爾  MEMS  加速儀  201111  

加速創(chuàng)新步伐的MEMS傳感器

  • 近年來，傳感器市場持續(xù)保持增長，其增速超過15%。特別是MEMS傳感器依靠獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢，逐漸成為改變電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)理念的幕后推手。
  • 關(guān)鍵字： MEMS  傳感器  201111  

MEMS運(yùn)動處理方案對消費(fèi)類電子的影響

  • 對設(shè)備在三維空間中的運(yùn)動進(jìn)行測量及智能處理的運(yùn)動處理技術(shù)，將是下一個重大的革命性技術(shù)，會對未來的手持消費(fèi)電子設(shè)備、人機(jī)接口、及導(dǎo)航和控制產(chǎn)生重大影響。
    這場變革的推動力量是基于微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的消費(fèi)級
  • 關(guān)鍵字： 消費(fèi)  電子  影響  對消  方案  運(yùn)動  處理  MEMS  

CMOS與CCD圖像傳感器

  • CCD（Charge Coupled Device）圖像傳感器（以下簡稱CCD）和CMOS圖像傳感器（CMOS Image Sensor以下簡稱CIS）的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結(jié)構(gòu)不同而導(dǎo)致制造工藝的不同。CCD感光單元實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后，以電荷的方
  • 關(guān)鍵字： 傳感器  圖像  CCD  CMOS  

不同電源供電的器件間的橋接

  • 半導(dǎo)體行業(yè)從一開始就以“更小、更快、更便宜、更好”為宗旨。當(dāng)前的掌上電腦(PocketPC)比占地整整一幢樓...
  • 關(guān)鍵字： CMOS  TTL  電源供電  
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