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EEPW首頁 >> 主題列表 >> elitesic mosfet

利用屏蔽柵極功率 MOSFET 技術降低傳導和開關損耗

大電流便攜式DC/DC變換中MOSFET功耗的計算

  • 0 引言 眾所周知，今天的便攜式電源設計者所面臨的最嚴峻挑戰(zhàn)就是為當今的高性能CPU提供電源。近年來，內(nèi)核CPU所需的電源電流每兩年就翻一番，即便攜式內(nèi)核CPU電源電流需求會高達40A之大，而電壓在0.9V和1.75
  • 關鍵字： 功耗  計算  MOSFET  變換  便攜式  DC/DC  電流  

功率MOSFET雪崩擊穿問題分析

  • 摘要：分析了功率MOSFET雪崩擊穿的原因，以及MOSFET故障時能量耗散與器件溫升的關系。和傳統(tǒng)的雙極性晶體管相比，反向偏置時MOSFET雪崩擊穿過程不存在“熱點”的作用，而電氣量變化卻十分復雜。寄生器件在
  • 關鍵字： 問題  分析  擊穿  雪崩  MOSFET  功率  

Vishay推出第三代TrenchFET?功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK? SC-70封裝，具有8V柵源電壓和迄今為止雙芯片P溝道器件所能達到的最低導通電阻。 　　
  • 關鍵字： Vishay  MOSFET  SiA923EDJ  

MOSFET基礎：理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性

  • 通常，許多資料和教材都認為，MOSFET的導通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此可以并聯(lián)工作。當其中一個并聯(lián)的MOSFET的溫...
  • 關鍵字： MOSFET  RDS  

Vishay推出新的100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出兩款新的100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型ThunderFET?技術，在具有4.5V電壓等級的100V MOSFET中具有業(yè)內(nèi)最低的導通電阻。
  • 關鍵字： Vishay  MOSFET  

DC/DC 控制器驅(qū)動5V 邏輯電平 MOSFET 以實現(xiàn)高效率

  • 近日（2010年11月2日）凌力爾特公司(LinearTechnologyCorporation)推出窄/寬輸入電壓范圍(2.7V至5...
  • 關鍵字： MOSFET  

IR新款高性能PQFN功率MOSFET系列

  • 全球功率半導體和管理方案領導廠商–國際整流器公司(InternationalRectifier，簡稱IR)推出一系列25V及3...
  • 關鍵字： MOSFET  

Linear 推出 LTC4444/-5 的 H 級版本

  • 　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC4444/-5 的 H 級版本，該器件是一款高速、高輸入電源電壓 (100V)、同步 MOSFET 柵極驅(qū)動器，為在同步整流轉(zhuǎn)換器拓撲中驅(qū)動高端和低端 N 溝道功率 MOSFET 而設計。該驅(qū)動器與功率 MOSFET 以及凌力爾特公司很多 DC/DC 控制器之一相結(jié)合，可構成完整的高效率同步穩(wěn)壓器。LTC4444H/-5 在 -40°C 至 150°C 的節(jié)溫范圍內(nèi)工作，而 I 級版本的工作溫度范
  • 關鍵字： Linear  MOSFET   

利用低門限電壓延長電池壽命

  •         降低能量消耗、延長電池壽命，這是每個工程師在設計便攜式電子產(chǎn)品時努力的目標。電池技術的進步非常緩慢，所以便攜式產(chǎn)品的設計者把延長電池壽命的重點放在電源管理上。多年以來，從事電源管理業(yè)務的半導體制造商盡力跟上終端系統(tǒng)用戶的需求。越來越多的便攜式電子產(chǎn)品在功能上花樣翻新，這些產(chǎn)品需要峰值性能，要求設計者在設備的物理尺度內(nèi)實現(xiàn)盡可能高的效率。雖然電池行業(yè)努力開發(fā)具有比傳統(tǒng)鎳鎘(NiCd)電池電量更高的替代電池技術，但還遠不能滿
  • 關鍵字： Vishay  MOSFET  

用創(chuàng)新封裝簡化電源設計

  •          今天，電源工程師面臨的一個主要挑戰(zhàn)是如何減小商用電子產(chǎn)品中電源電路的電路板空間。在任何電子產(chǎn)品零售商店里轉(zhuǎn)上一圈，你就會發(fā)現(xiàn)個人電腦已經(jīng)變得更小，甚至小型化已經(jīng)成為許多電子設備的發(fā)展趨勢。隨著這些產(chǎn)品的尺寸不斷減小，它們的功能正在增加。在更小的空間內(nèi)實現(xiàn)更多功能，意味著要縮小留給電源電路的面積，這會導致一系列熱、功率損耗和布局方面的嚴峻挑戰(zhàn)。 　　工程師應對這種挑戰(zhàn)的一個辦法是利用在MOSFET硅技術和封裝
  • 關鍵字： 電源設計  MOSFET  PowerPAIR  

英飛凌第35億顆高壓MOSFET順利下線

  • 　　英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)的第35億顆CoolMOS高壓MOSFET順利下線。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應商。通過不斷改進芯片架構，使得CoolMOS晶體管技術不斷優(yōu)化，這為取得成功奠定了堅實基礎。 　　
  • 關鍵字： 英飛凌  MOSFET  

安森美半導體推出6款單通道功率MOSFET

  • 　　應用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)推出6款新的通過AEC-Q101認證邏輯電平單通道功率MOSFET，用于汽車模塊，采用小型扁平引腳(FL)封裝。 　　
  • 關鍵字： 安森美  MOSFET  

IR推出車用平面MOSFET系列

  • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出車用平面 MOSFET 系列，適用于內(nèi)燃機 (ICE) 、混合動力和全電動汽車平臺的多種應用。 　　
  • 關鍵字： IR   MOSFET  

在升壓變換器中利用新型MOSFET減少開關損耗

  • 摘要：升壓變換器通常應用在彩色監(jiān)視器中。為提高開關電源的效率，設計者必須選擇低開關損耗的MOSFET。在升壓變換器中，利用QFET新型MOSFET能夠有效地減少系統(tǒng)損耗。1引言　　在開關電源設計中，效率是一個關鍵性的參
  • 關鍵字： 減少  開關  損耗  MOSFET  新型  變換器  利用  升壓  
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