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IR推出新系列車用MOSFET

  •   全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出堅固耐用的車用 MOSFET系列,適合多種內燃機 (ICE) 和混合動力車平臺應用。   
  • 關鍵字: IR  MOSFET  

Linear 推出 LTC4441 新的高可靠性 (MP 級) 版本

  •   凌力爾特公司(Linear Technology Corporation) 推出LTC4441新的高可靠性(MP 級) 版本,該器件是一款6A N 溝道MOSFET 柵極驅動器,在-55°C 至125°C的工作節(jié)溫范圍內工作。該高功率驅動器設計用于增加DC/DC 控制器的輸出功率及效率,從而使其能夠驅動高功率N 溝道MOSFET 或多個并聯(lián)的MOSFET。其柵極驅動電壓從5V 至8V 是可調的,從而允許設計師選擇標準門限或邏輯電平MOSFET。LTC4441 在5V 至25V 的寬輸入
  • 關鍵字: Linear  MOSFET  柵極驅動器  

Microchip擴展MOSFET驅動器系列產品

  •   Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)宣布擴展了其MOSFET驅動器系列產品。在已獲得業(yè)界推崇的Microchip下橋臂MCP14E3/4/54.5A MOSFET驅動器上,Microchip推出全新下橋臂MCP14E6/7/82A和MCP14E9/10/113A驅動器。經擴展后,這一低成本系列器件的額定峰值輸出電流為2A至4.5A,工作電壓范圍寬達4.5V至18V。全新器件具備使能輸入引腳,可實現(xiàn)關斷功能以節(jié)省能耗,并采用8引腳SOIC和8引腳6mm×5m
  • 關鍵字: Microchip  MOSFET  

Fairchild開發(fā)出用于MOSFET器件的Dual Cool封裝

  •   為了滿足高電流能力、高效率和更小外形尺寸的需求,飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出用于MOSFET器件的Dual Cool封裝,Dual Cool封裝是采用嶄新封裝技術的頂部冷卻PQFN器件,可以通過封裝的頂部實現(xiàn)額外的功率耗散。   Dual Cool封裝具有外露的散熱塊,能夠顯著減小從結點到外殼頂部的熱阻。與標準PQFN封裝相比,Dual Cool封裝在配合散熱片使用時,可將功率耗散能力提高60%以上。此外,采用Dual Cool封裝的MOSFET通過使用飛兆
  • 關鍵字: Fairchild  MOSFET  Dual Cool  

Vishay發(fā)布40V和60V N溝道TrenchFET功率MOSFET

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封裝,具有業(yè)內最低的導通電阻,以及最低的導通電阻與柵極電荷乘積,即優(yōu)值系數(shù)。   40 V SiR640DP在10V和4.5V下的導通電阻為1.7m?和2.2m?,在10V和4.5V下的FOM分別為128m?-nC和76m?-nC。器件在4.5V下的導通電阻比最
  • 關鍵字: Vishay  MOSFET  

saber下MOSFET驅動仿真實例

  • saber下MOSFET驅動仿真實例,設計中,根據IXYS公司IXFN50N80Q2芯片手冊中提供的ID-VDS,ID-VGS和Cap-VDS等特性曲線及相關參數(shù),利用saber提供的Model Architect菜單下Power MOSFET Tool建立IXFN50N80Q2仿真模型,圖5-1所示MOSFET DC Characteris
  • 關鍵字: 實例  仿真  驅動  MOSFET  saber  

Vishay新款N溝道功率MOSFET刷新最低導通電阻記錄

  •   賓夕法尼亞、MALVERN—2011年3月31日—日前,Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代號:VSH)宣布,發(fā)布新款40V和60VN溝道Trench FET?功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK?SO-8封裝,具有業(yè)內最低的導通電阻,以及最低的導通電阻與柵極電荷乘積,即優(yōu)值系數(shù)。
  • 關鍵字: MOSFET  最低導通電阻  

設計高效高可靠LED燈具的五個忠告

  •   進入2011年,澳大利亞已經率先禁止使用白熾燈,這為LED燈具的大規(guī)模普及揭開了序幕,另外,隨著歐盟各國、日本、加拿大等國家將在2012年禁止使用白熾燈,LED燈具的照明普及率會進一步提升,這讓掘金綠色照明革命的中國數(shù)千家LED燈具廠商歡欣鼓舞――因為一個巨大的市場就要開啟,而這次唱主角的是中國廠商。不過,應當看到,LED燈具要普及,不但需要大幅度降低成本,更需要解決能效和可靠性的難題,如何解決這些難題,Power Integrations市場營銷副總裁Doug Bailey分享了高效高可靠LED燈具
  • 關鍵字: PI  MOSFET  LED  

利用屏蔽柵極功率 MOSFET 技術降低傳導和開關損耗

大電流便攜式DC/DC變換中MOSFET功耗的計算

  • 0 引言 眾所周知,今天的便攜式電源設計者所面臨的最嚴峻挑戰(zhàn)就是為當今的高性能CPU提供電源。近年來,內核CPU所需的電源電流每兩年就翻一番,即便攜式內核CPU電源電流需求會高達40A之大,而電壓在0.9V和1.75
  • 關鍵字: 功耗  計算  MOSFET  變換  便攜式  DC/DC  電流  

功率MOSFET雪崩擊穿問題分析

  • 摘要:分析了功率MOSFET雪崩擊穿的原因,以及MOSFET故障時能量耗散與器件溫升的關系。和傳統(tǒng)的雙極性晶體管相比,反向偏置時MOSFET雪崩擊穿過程不存在“熱點”的作用,而電氣量變化卻十分復雜。寄生器件在
  • 關鍵字: 問題  分析  擊穿  雪崩  MOSFET  功率  

Vishay推出第三代TrenchFET?功率MOSFET

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK? SC-70封裝,具有8V柵源電壓和迄今為止雙芯片P溝道器件所能達到的最低導通電阻。   
  • 關鍵字: Vishay  MOSFET  SiA923EDJ  

MOSFET基礎:理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性

  • 通常,許多資料和教材都認為,MOSFET的導通電阻具有正的溫度系數(shù),因此可以并聯(lián)工作。當其中一個并聯(lián)的MOSFET的溫...
  • 關鍵字: MOSFET  RDS  

Vishay推出新的100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出兩款新的100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型ThunderFET?技術,在具有4.5V電壓等級的100V MOSFET中具有業(yè)內最低的導通電阻。
  • 關鍵字: Vishay  MOSFET  

DC/DC 控制器驅動5V 邏輯電平 MOSFET 以實現(xiàn)高效率

  • 近日(2010年11月2日)凌力爾特公司(LinearTechnologyCorporation)推出窄/寬輸入電壓范圍(2.7V至5...
  • 關鍵字: MOSFET  
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