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EEPW首頁 >> 主題列表 >> elitesic mosfet

TI 推出一款同步 MOSFET 半橋

  • 　　德州儀器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 電流下實現(xiàn)超過 90% 高效率的同步 MOSFET 半橋，其占位面積僅為同類競爭功率 MOSFET 器件的 50%。TI 全新 CSD86350Q5D 功率模塊通過高級封裝將 2 個非對稱 NexFET 功率 MOSFET 進行完美整合，可為服務器、臺式機與筆記本電腦、基站、交換機、路由器以及高電流負載點 (POL) 轉換器等低電壓同步降壓半橋應用實現(xiàn)高性能。 　　NexFET 功率模塊除提高效率與功率密度外，還能夠以高達 1.5 MHz 的開關頻率生
  • 關鍵字： TI  MOSFET  

Vishay改進ThermaSim在線MOSFET熱仿真工具

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，對其ThermaSim在線MOSFET熱仿真工具進行了改進，為設計者提供更好的仿真精度、效率和用戶友好度。 　　Vishay的ThermaSim是一個免費工具，可讓設計者在制造原型前，對器件進行細致的熱仿真，從而加快產(chǎn)品上市。ThermaSim是首款使用結構復雜的功率MOSFET模型的在線MOSFET仿真工具，使用有限元分析(FEA)技術生成的MOSFET模型提高了仿真精度。 　　設計者還可以定義其他散熱器件，并仿真這些元器件對M
  • 關鍵字： Vishay  熱仿真工具  MOSFET  ThermaSim  

功率半導體行業(yè)的春天

  • 　　功率半導體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟復蘇勢頭增強，iSuppli公司預測2010年半導體市場營業(yè)收入為2833億美元，增長率達到23.2%. 　　MOSFET市場前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元，MOSFET的銷售額占全部功率半導體的比重大約為20%,MOSFET主要應用于消費電子、計算機、工業(yè)控制、網(wǎng)絡通信、汽車電子和電力設備六大領域。 　　IGBT:節(jié)能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷售額大約為31.36億美元，IGBT的銷售額占全部功率半
  • 關鍵字： MOSFET  IGBT  功率半導體  

功率半導體下游需求旺盛 前景看好

  • 　　功率半導體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟復蘇勢頭增強，iSuppli公司預測2010年半導體市場營業(yè)收入為 2833億美元，增長率達到23.2%。 　　MOSFET市場前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元，MOSFET的銷售額占全部功率半導體的比重大約為20%，MOSFET主要應用于消費電子、計算機、工業(yè)控制、網(wǎng)絡通信、汽車電子和電力設備六大領域。 　　IGBT:節(jié)能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷售額大約為31.36億美元，IGBT的銷售額占全部功率
  • 關鍵字： MOSFET  IGBT  

Maxim推出內(nèi)置MOSFET的供電設備(PSE)控制器

  • 　　Maxim推出單端口、供電設備(PSE)控制器MAX5971A，適用于IEEE® 802.3af/at兼容的大功率以太網(wǎng)供電(PoE+)應用。器件集成導通電阻為0.5Ω的功率MOSFET和檢測電阻，有效節(jié)省了空間和成本，能夠為IP電話、IP照相機、無線LAN接入點以及視頻監(jiān)控照相機等用電設備(PD)提供每端口高達40W的功率。 　　MAX5971A完全兼容IEEE 802.3af和IEEE 802.3at標準。器件工作在32V至60V電壓范圍，為IEEE 802.3af/at兼容
  • 關鍵字： Maxim  控制器  MOSFET  

電壓高（120VP-P）的功率MOSFET放大器

  • 電路的能功要使放大后的波形與輸入波形相似，放大電路必須采用對稱電路，而且有源元件的特性要一致。本電路就是波形失真小的放大電路，各級均為推挽對稱電路，可以獲得上升邊和下降邊時間常數(shù)基本相等的脈沖響應以及
  • 關鍵字： MOSFET  VP-P  120  電壓    

高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器

  • 電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其轉換速度比單級晶體管快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉換速度的激勵器，而且還在輸出級采用了MOSFET，使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負載。
  • 關鍵字： MOSFET  高頻特性  放大器    

英飛凌推出新型ThinPAK 8x8無管腳SMD

  • 　　英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間僅為64平方毫米(D2PAK的占板空間為150平方毫米)，高度僅為1毫米(D2PAK的高度為4.4毫米)。大幅縮小的封裝尺寸結合低寄生電感，使設計者能以全新方式有效降低高功率密度應用所需的系統(tǒng)解決方案尺寸。 　　全新封裝采用表面貼裝方式，在8x8毫米的無管腳封裝內(nèi)，貼裝業(yè)界標準TO-220晶粒，并具備金屬裸焊盤，便于內(nèi)部高效散熱。其低矮外形便于設計者設計出更薄的電源外殼，滿足當今市場對時
  • 關鍵字： 英飛凌  MOSFET  SMD  ThinPAK   

MOSFET的UIS及雪崩能量解析

  • 在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設計電源系統(tǒng)的過程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應用有什么樣的聯(lián)系，如何在實際的應用中評
  • 關鍵字： 解析  能量  雪崩  UIS  MOSFET  

基于功率MOSFET設計考量

  • 用作功率開關的MOSFET
    隨著數(shù)十年來器件設計的不斷優(yōu)化，功率MOSFET晶體管帶來了新的電路拓撲和電源效率的提升。功率器件從電流驅動變?yōu)殡妷候寗?，加快了這些產(chǎn)品的市場滲透速度。上世紀80年代，平面柵極功率MOSFET
  • 關鍵字： 考量  設計  MOSFET  功率  基于  

Vishay推出30V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAK? 1212-8封裝的30V P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET --- Si7625DN。在這種電壓等級和3.3mmx3.3mm占位面積的P溝道MOSFET中，該器件的導通電阻是最低的。 　　新款Si7625DN可用于筆記本電腦、上網(wǎng)本和工業(yè)/通用系統(tǒng)中的適配器、負載和電池開關。適配器開關(在適配器、墻上電源和電池電源之間切換)通常是開啟并且吸收電流。Si7625DN更低的
  • 關鍵字： Vishay  MOSFET  PowerPAK  TrenchFET  

集成式解決方案提高功率調(diào)節(jié)器的效率

  • 　　引言 　　通信電路板常常采用負載點(PoL)DC-DC轉換器來為數(shù)字IC (FPGA、DSP 及 ASIC) 供電。一般而言，一個48V的背板采用中間總線架構(IBA)作為電路板的輸入電源，為不同負載點(PoL)供電，而中間電壓通常選為12V(見圖1)。這種傳統(tǒng)方案包含一個分立式PoL，該PoL是以分立的方式使用控制器、驅動器和MOSFET。由于該方案需要額外的設計和制造時間，故半導體供應商目前開始轉而采用完全集成的調(diào)節(jié)器解決方案，以期縮短上市時間，減小PCB空間，并使終端應用達到更高的效率水平。本
  • 關鍵字： Fairchild  電源設計  MOSFET  

英飛凌第二財季扭虧為盈 凈利潤1.042億美元

  • 　　據(jù)國外媒體報道，歐洲第二大芯片制造商英飛凌(Infineon Technologies AG)近日公布的財報顯示，結束于3月份的本財年第二財季凈利潤為7900萬歐元(約合1.042億美元)，去年同期虧損2.39億歐元;第二財季營收為 10億歐元，同比增長55%。 　　第二財季凈利潤好于分析師預期，營收與分析師預期相當。據(jù)彭博社調(diào)查的分析師此前曾預計，該公司第二季度經(jīng)調(diào)整凈利潤7130萬歐元。第二財季為英飛凌連續(xù)第三季度實現(xiàn)盈利，而在那之前10個季度該公司累計虧損額高達39億歐元。 　　英飛凌上調(diào)了
  • 關鍵字： 英飛凌  MOSFET  

Vishay推出P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片級MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面積內(nèi)，這款20V器件提供業(yè)內(nèi)P溝道MOSFET最低的導通電阻。 　　新的Si8499DB是采用第三代TrenchFET P溝道技術的首款芯片級產(chǎn)品。這種最先進的技術能夠實現(xiàn)超精細、亞微米的節(jié)距工藝，將業(yè)內(nèi)P溝道MOSFET所能實現(xiàn)的最低導通電阻減小了一半：在4.5V、2
  • 關鍵字： Vishay  MOSFET  TrenchFET  

英飛凌與飛兆半導體達成功率MOSFET兼容協(xié)議

  • 　　英飛凌科技股份公司與飛兆半導體公司近日宣布，兩家公司就采用Power Stage 3x3和MLP 3x3 (Power33™)封裝的功率MOSFET達成封裝合作伙伴協(xié)議。 　　兼容協(xié)議旨在保證供貨穩(wěn)定性，同時滿足對同級最佳的DC-DC轉換效率和熱性能的需求。這項協(xié)議利用了兩家企業(yè)的專業(yè)技術，為3A至20A的DC-DC應用提供非對稱MOSFET、雙MOSFET和單MOSFET。 　　英飛凌低壓MOSFET產(chǎn)品總監(jiān)兼產(chǎn)品線經(jīng)理Richard Kuncic表示：“我們的客戶將從功
  • 關鍵字： 英飛凌  MOSFET  飛兆半導體  
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