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氮化鎵電源管理芯片市場將快速增長

  • 　　據(jù)iSuppli公司，由于高端服務器、筆記本電腦、手機和有線通訊領域的快速增長，氮化鎵(GaN)電源管理半導體市場到2013年預計將達到1.836億美元，而2010年實際上還幾乎一片空白。 　　GaN是面向電源管理芯片的一種新興工藝技術，最近已從大學實驗階段進入商業(yè)化階段。該技術對于供應商來說是一個有吸引力的市場機會，它可以向它們的客戶提供目前半導體工藝材料可能無法企及的性能。 　　iSuppli公司認為，在過去兩年里，有幾件事情使得GaN成為電源管理半導體領域中大有前途的新星。 　　首先，硅在
  • 關鍵字： iSuppli  MOSFET  電源管理芯片  

Vishay發(fā)布2010年的“Super 12”高性能產品

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出2010年的“Super 12”高性能產品。這些系列器件具有業(yè)內領先的標準，如容值電壓、電流等級和導通電阻。這些創(chuàng)新產品在http://www.vishay.com/landingpage/super12/2010/進行展示，是很多關鍵應用的理想選擇，也是Vishay廣泛的產品線組合的典型代表產品。 　　2010年將要發(fā)布的Super 12產品是： 597D和T97多模鉭電容：對于+28V應
  • 關鍵字： Vishay  電容  導通電阻  MOSFET  

Intersil推出最新的雙通道同步降壓穩(wěn)壓器 ISL8088

  • 　　全球高性能模擬半導體設計和制造領導廠商Intersil公司今天宣布，推出最新的雙通道同步降壓穩(wěn)壓器 --- ISL8088。該器件采用超小封裝，具有非常高的功率轉換效率和低靜態(tài)電流。 　　ISL8088是每通道800mA的雙通道降壓穩(wěn)壓器，內部集成了功率MOSFET。2.7V～5.5V的輸入電壓和35mA的靜態(tài)電流，使ISL8088成為電池供電和其他“綠色電源”應用的理想之選。ISL8088可以選擇工作在強制的PWM模式和自動的PWM/PFM模式，以延長電池壽命。 　　
  • 關鍵字： Intersil  穩(wěn)壓器  ISL8088  MOSFET  

Vishay發(fā)布新款microBUCK集成同步降壓穩(wěn)壓器

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出旗下microBUCK系列集成同步降壓穩(wěn)壓器中的新器件 --- SiC414。6A SiC414是DC-DC轉換器解決方案，具有先進的控制器IC和柵極驅動器、兩個針對PWM控制優(yōu)化的N溝道MOSFET(高邊和低邊)、在獨立降壓穩(wěn)壓器配置中的自啟動開關，采用節(jié)省空間的MLPQ 4mm x 4mm的28引腳封裝。 　　microBUCK系列的產品綜合了Vishay獨特的分立MOSFET設計、IC專長和封裝工藝，為客戶提供了具有成本效
  • 關鍵字： Vishay  microBUCK  MOSFET  封裝  

半橋拓撲結構高端MOSFET驅動方案選擇：變壓器還是硅芯片？

  • 　　在節(jié)能環(huán)保意識的鞭策及世界各地最新能效規(guī)范的推動下，提高能效已經成為業(yè)界共識。與反激、正激、雙開關反激、雙開關正激和全橋等硬開關技術相比，雙電感加單電容(LLC)、有源鉗位反激、有源鉗位正激、非對稱半橋(AHB)及移相全橋等軟開關技術能提供更高的能效。因此，在注重高能效的應用中，軟開關技術越來越受設計人員青睞。 　　另一方面，半橋配置最適合提供高能效/高功率密度的中低功率應用。半橋配置涉及兩種基本類型的MOSFET驅動器，即高端(High-Side)驅動器和低端(Low-Side)驅動器。高端表示M
  • 關鍵字： 安森美  MOSFET  變壓器  硅芯片  

RS推出1200種三洋半導體產品

  • 　　國際著名電子、電機和工業(yè)產品分銷商RS Components于今日宣布，通過其在線目錄RS Online(RS在線：http://www.rs-components.com)渠道推出三洋(SANYO)半導體公司的1200類半導體產品。 　　此次推出的產品中，除了有采用三洋半導體獨自技術達成的用于電源電池管理的MOSFET系列(具有業(yè)界最高水準的低導通電阻特性, 并實現(xiàn)了小型薄型大功率), 低壓驅動閃光用IGBT產品以外，還包括低飽和電壓,射頻用各種雙極晶體管產品。 通過驅使獨自的核心技術, 三洋在多
  • 關鍵字： RS  MOSFET  IGBT  

IR 推出一系列新型HEXFET 功率MOSFET

  • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能夠提供業(yè)界最低導通電阻 (RDS(on)) 的IRFH6200TRPbF。 　　這些新的功率MOSFET采用IR最先進的硅技術，是該公司首批采用5x6mm PQFN封裝、優(yōu)化銅片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF 20V器件可實現(xiàn)業(yè)界領先的RDS(on)，在4.5V Vgs下，最高僅為1.2m?，顯著降低了手工工具等直流電機驅動應用的傳導損耗。
  • 關鍵字： IR  MOSFET  HEXFET  

PI新推出的TOPSwitch-JX系列電源轉換IC

  • 　　PI公司今日宣布推出TOPSwitch-JX系列器件，新產品系列共由16款高度集成的功率轉換IC組成，其內部均集成有一個725 V功率MOSFET，適用于設計反激式電源。新型TOPSwitch-JX器件采用多模式控制算法，可提高整個負載范圍內的功率效率。由于在滿功率下工作效率較高，因此可減少正常工作期間的功率消耗量，同時降低系統(tǒng)散熱管理的復雜性及費用支出。在低輸入功率水平下，高效率還可使適配器的空載功耗降至最低，增大待機模式下對系統(tǒng)的供電量，這一點特別適用于受到能效標準和規(guī)范約束的產品應用。 　
  • 關鍵字： PI  功率轉換IC  TOPSwitch-JX  MOSFET  

基于UCC27321高速MOSFET驅動芯片的功能與應用

  • 基于UCC27321高速MOSFET驅動芯片的功能與應用,1　引言

    　　隨著電力電子技術的發(fā)展，各種新型的驅動芯片層出不窮，為驅動電路的設計提供了更多的選擇和設計思路，外圍電路大大減少，使得MOSFET的驅動電路愈來愈簡潔，.性能也獲得到了很大地提高。其中UCC27321
  • 關鍵字： 芯片  功能  應用  驅動  MOSFET  UCC27321  高速  基于  

飛兆半導體微型以封裝高效產品應對DC-DC設計挑戰(zhàn)

  • 　　飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)推出具高效率和出色熱性能，并有助實現(xiàn)更薄、更輕和更緊湊的電源解決方案的MOSFET產品系列，可應對工業(yè)、計算和電信系統(tǒng)對更高效率和功率密度的設計挑戰(zhàn)。 　　FDMC7570S是采用3mm x 3mm MLP 封裝、具有業(yè)界最低RDS(ON)的25V MOSFET器件，可提供無與倫比的效率和結溫性能。FDMC7570S在10VGS 下的RDS(ON) 為1.6mOhm，在4.5VGS下則為2.3mOhm;其傳導損耗更比其它外形尺寸相同
  • 關鍵字： Fairchild  MOSFET  電源  

飛兆半導體在IIC China展會上展示功率技術和移動技術

  • 　　飛兆半導體公司 (Fairchild Semicondcutor) 將在IIC China 2010展會上，展示其最新的功率技術和移動技術。時間及地點分別是3月4至5日于深圳會展中心2號展館2K19展臺，以及3月15至16日于上海世貿商城四樓8H01展臺。 　　智能移動解決方案： 　　飛兆半導體將展示其豐富的模擬技術產品系列，以及相關的定制解決方案和系統(tǒng)級專有技術，這些產品及方案在解決移動領域之設計和應用難題方面發(fā)揮不可或缺的重要作用。例如，飛兆半導體的業(yè)界最小的USB附件開關FSA800將所有主
  • 關鍵字： 飛兆  功率  智能移動  MOSFET  

馬達設計中提升更高的效率

  • 　　中心議題： 　　馬達的結構 　　提升馬達工作的效率 　　解決方案： 　　正弦脈沖調制控制方式 　　智能功率模塊 　　近些年來，家用電器對節(jié)能的要求變得越來越強烈。這是很顯然的，僅電冰箱所消耗的能量就超過家庭用電量的10%。由于電冰箱的馬達主要在低速運轉，就有非常大的節(jié)能潛力，通過在低速驅動器中簡單改進馬達的驅動效率就能實現(xiàn)。 　　同樣，據(jù)估計工業(yè)用電的65%被電驅動馬達所消耗，毫無疑問，商家正逐漸意識到節(jié)能將成為改善收益率和競爭能力的關鍵。在電驅動馬達中降低能量消耗有兩種主要的方式：改善
  • 關鍵字： 工業(yè)電子  馬達  MOSFET  

英飛凌推出OptiMOS調壓MOSFET和DrMOS系列

  • 　　英飛凌科技股份公司近日宣布，公司將在2010年應用電力電子會議和產品展示會上，推出OptiMOS 25V器件系列，壯大OptiMOS 功率 MOSFET產品陣容。該系列器件經過優(yōu)化，適合應用于計算機服務器電源的電壓調節(jié)電路和電信/數(shù)據(jù)通信的開關。這種全新的MOSFET還被集成進滿足英特爾DrMOS規(guī)范的TDA21220 DrMOS。 　　通過大幅降低三個關鍵的能效優(yōu)值(FOM)，這種全新的器件無論在任何負載條件下，都可使MOSFET功耗降低20%，同時達到更高的性能。此外，更高的功率密度還能讓典型電
  • 關鍵字： 英飛凌  OptiMOS  MOSFET  DrMOS  

開關電源中功率MOSFET的驅動技術薈萃

  • 功率MOSFET以其導通電阻低和負載電流大的突出優(yōu)點，已經成為開關電源（switch-mode power supplies，SMPS）整流組件的最佳選擇，專用MOSFET驅動器的出現(xiàn)又為優(yōu)化SMPS控制器帶來了契機。那些與SMPS控制器集成在一起的
  • 關鍵字： 技術  薈萃  驅動  MOSFET  功率  開關電源  電源  

CISSOID引入了新系列P通道高溫功率MOSFET晶體管

  • 　　CISSOID，在高溫半導體解決方案的領導者，介紹了 VENUS，他們的新系列高溫　30V 的 P通道功率 MOSFET 晶體管保證操作在攝氐負55度到225度之間。P通道功率 MOSFETs 的VENUS系列命名為 CHT-PMOS3002，CHT-PMOS3004 及CHT-PMOS3008，其最大漏電流額定分別為2A，4A及8A。它們補充了該公司在2009年11月介紹的 N 通道 MOSFETs 的 SATURN 系列。 　　VENUS 功率 MOSFETs 表現(xiàn)出色的高溫性能。在攝氏 225
  • 關鍵字： CISSOID  MOSFET  晶體管  
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