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IR推出堅固的新系列40V至75V車用MOSFET

  • 　　全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)近日推出新的車用MOSFET系列，適合要求低導通電阻的一系列應用，包括傳統(tǒng)內(nèi)燃機 (ICE) 平臺以及微型和混合動力汽車平臺上的重載應用。
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Diodes 全新MOSFET組合可減少直流電機損耗

  • Diodes 公司推出一對互補性雙 MOSFET 組合DMC4040SSD，可用于低壓單相/三相無刷直流（BLDC）電機控制應用。該組合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道導通電阻（Rdson）性能，以確保平衡分配電機負載的直流損耗并將其減少到最小。
  • 關(guān)鍵字： Diodes  MOSFET  DMC4040SSD  

Diodes 全新MOSFET 組合可減少直流電機損耗

  • 　　Diodes 公司推出一對互補性雙 MOSFET 組合DMC4040SSD，可用于低壓單相/三相無刷直流(BLDC)電機控制應用。該組合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道導通電阻(Rdson)性能，以確保平衡分配電機負載的直流損耗并將其減少到最小?！　?/li>
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說出你的故事：中國IC設(shè)計及應用創(chuàng)新案例

  • 　　現(xiàn)代創(chuàng)新理論的提出者約瑟夫·熊彼特認為，企業(yè)家的職能就是實現(xiàn)“創(chuàng)新”，引進生產(chǎn)要素或生產(chǎn)條件的“新組合”，目的是最大限度地獲取超額利潤。創(chuàng)新催生利潤，因此“創(chuàng)新”一詞得到狂熱追捧，幾乎所有企業(yè)都在打出各式各樣的創(chuàng)新口號。 　　不僅業(yè)內(nèi)企業(yè)在摸索和實踐著創(chuàng)新，作為“深圳(國際)集成電路技術(shù)創(chuàng)新與應用展覽會”的組織機構(gòu)——深圳市半導體行業(yè)協(xié)會也在積極行動。他們在深入調(diào)研了
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飛兆半導體功率級非對稱雙MOSFET器件

  • 電源工程師一直面對減小應用空間和提高功率密度的兩個主要挑戰(zhàn)，而在筆記本電腦、負載點、服務器、游戲和電信應用中，上述兩點尤為重要。為了幫助設(shè)計人員應對這些挑戰(zhàn)，全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出FDMS36xxS系列功率級非對稱雙MOSFET模塊。
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IR推出新款PQFN 2mm x 2mm封裝

  • 　　全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù)，為一系列的低功耗應用，包括智能手機、平板電腦、攝像機、數(shù)碼相機、筆記本電腦、服務器和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案?！?/li>
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IR新款超小型PQFN2x2功率MOSFET登場

  • 全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù)，為一系列的低功耗應用，包括智能手機、平板電腦、攝像機、數(shù)碼相機、筆記本電腦、服務器和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案。
  • 關(guān)鍵字： IR  HEXFET MOSFET  

2011年中國功率MOSFET市場放緩的兩個因素

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，2010年中國功率MOSFET市場快速增長，銷售額達到23億美元，比2009年的16億美元增長43%。 　　直到去年第三季度，功率MOSFET在2010年多數(shù)時間都處于供應不足局面，難以滿足中國各行業(yè)的需求，包括本地數(shù)據(jù)處理、消費與通信領(lǐng)域。功率MOSFET是為處理較高的功率級而設(shè)計的功率半導體器件，主要用于電源與DC-DC轉(zhuǎn)換器中的低電壓開關(guān)?！?/li>
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  DC-DC轉(zhuǎn)換器  

同步降壓MOSFET電阻比的正確選擇

  • 在這篇《電源設(shè)計小貼士》中，我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導功耗進行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常有用的起始點。通常，作為設(shè)計過程的一個組
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混合動力電動車應用中大功率器件的五大要素

  • 盡管標準內(nèi)燃機驅(qū)動的汽車可以相對輕松地從12V電池供電和相應的12V/14V交流發(fā)電機獲取車載系統(tǒng)的電氣需...
  • 關(guān)鍵字： 混合動力  電動車  大功率器件  IGBT  MOSFET  

2011年中國功率MOSFET市場放緩的兩個因素

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，2010年中國功率MOSFET市場快速增長，銷售額達到23億美元，比2009年的16億美元增長43%。 　　直到去年第三季度，功率MOSFET在2010年多數(shù)時間都處于供應不足局面，難以滿足中國各行業(yè)的需求，包括本地數(shù)據(jù)處理、消費與通信領(lǐng)域。功率MOSFET是為處理較高的功率級而設(shè)計的功率半導體器件，主要用于電源與DC-DC轉(zhuǎn)換器中的低電壓開關(guān)。 　　去年功率MOSFET在中國市場強勁增長，可能主要歸功于中國政府的推動。為了鼓勵投資和刺激經(jīng)濟，中國政府推出了一系
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  無線通信  

飛兆半導體推出60V PowerTrench MOSFET器件

  • 　　DC-DC電源、馬達控制、熱插拔和負載開關(guān)應用，以及服務器的次級同步整流應用的設(shè)計人員，需要使用具有更低傳導損耗和開關(guān)損耗的MOSFET器件以期提高設(shè)計的效率。 　　
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Vishay發(fā)布2011年“Super 12”特色產(chǎn)品

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，Vishay發(fā)布2011年的“Super 12”特色產(chǎn)品。這些元器件具有業(yè)界領(lǐng)先的規(guī)格標準，如導通電阻、導通電阻與柵極電荷乘積(FOM)、溫度范圍和電流等級。這些創(chuàng)新產(chǎn)品在http://www.vishay.com/landingpage/super12/ver3/ 進行展示，是許多關(guān)鍵應用的上佳之選，也充分反映出Vishay產(chǎn)品線之豐富?！?/li>
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恩智浦NextPower MOSFET具有行業(yè)最低RDS (on)

  • 　　恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ：NXPI) 今日宣布，其采用LFPAK封裝的NextPower系列25V和30V MOSFET將有15款新產(chǎn)品開始供貨。這些恩智浦功率MOSFET家族的最新成員在六個關(guān)鍵參數(shù)方面找到了最佳平衡點，并且具有行業(yè)最低的RDS (on) (25V和30V均為亞1 mΩ級)，是高性能、高可靠性開關(guān)應用的理想之選。
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英飛凌新一代高壓MOSFET設(shè)立能效新標準

  • 　　英飛凌的最新一代高壓CoolMOS? MOSFET取得了又一項創(chuàng)新，設(shè)立了能效的新標準。在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會(5月17日至19日)上，英飛凌展出了全新推出的650V CoolMOS? CFD2，它是世界上第一款漏源擊穿電壓為650V并且集成了快速體二極管的高壓晶體管。這個新的CFD2器件延續(xù)了600V CFD產(chǎn)品的優(yōu)點，不僅可以提高能效，而且具備更軟的交換功能，從而降低了電磁干擾(EMI)，提升產(chǎn)品的競爭優(yōu)勢。
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