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汽車電子功率MOSFET解決方案

  • 過去15到20年間，汽車用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話題發(fā)展成為蓬勃的商業(yè)領(lǐng)域。選用功率MOSFET是因?yàn)槠淠軌蚰?..
  • 關(guān)鍵字： 電子系統(tǒng)  MOSFET  瞬態(tài)高壓  

用非傳統(tǒng)MOSFET方案提高功率CMOS器件的功效

  • 我們發(fā)現(xiàn)日益改進(jìn)的靜電學(xué)及晶體管傳輸有助于形成一種成熟的方法，這種方法能夠降低有源和待機(jī)功耗。要做到這一點(diǎn)，新型晶體管結(jié)構(gòu)和材料拓展了性能?功耗設(shè)計(jì)空間，使之超躍了傳統(tǒng)的本體硅晶體管。最終，通過構(gòu)成一個(gè)由多層系統(tǒng)-電路-器件電源管理生態(tài)系統(tǒng)構(gòu)成的底層，晶體管的創(chuàng)新將會(huì)繼續(xù)在定義下一代提高功效的策略時(shí)發(fā)揮關(guān)鍵作用。

  • 關(guān)鍵字： CMOS  器件  功效  功率  提高  MOSFET  方案  非傳統(tǒng)  

瑞薩電子推出具有大電流和低功率的半導(dǎo)體器件

  • 高級半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商瑞薩電子公司（TSE：6723，以下簡稱“瑞薩電子”）宣布開發(fā)面向消費(fèi)類產(chǎn)品（如無線電動(dòng)工具和電動(dòng)自行車）中電機(jī)驅(qū)動(dòng)的100A大電流功率MOSFET，以便加強(qiáng)公司的整個(gè)功率半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線。新款功率MOSFET提供了較寬的電壓范圍，其中3款新產(chǎn)品（包括N0413N）具有40V的電壓容差，而另外3款新產(chǎn)品（包括N0601N）具有60V的電壓容差。新款功率MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低的功率損耗水平，是延長電池壽命的理性之選。
  • 關(guān)鍵字： 瑞薩  MOSFET  N0413N  

高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的新進(jìn)展

  • 從1957年第一只晶閘管的誕生開始，功率電子技術(shù)以相當(dāng)迅猛的速度發(fā)展。近年來又取得了長足的進(jìn)展，產(chǎn)生極佳的經(jīng)濟(jì)及社會(huì)效益。從美國高能效經(jīng)濟(jì)委員會(huì)(ACEE)出版的一份報(bào)告可以看到，到2030年，受益于采用半導(dǎo)體技術(shù)而獲得的更高能效，可以使美國的經(jīng)濟(jì)規(guī)模擴(kuò)大70%以上，與此同時(shí)，使用的電能卻將減少11%。作為高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先廠商，安森美半導(dǎo)體一直專注于超低損耗MOSFET/IGBT、智能電源IC及集成功率模塊等方面的研發(fā)和創(chuàng)新，而且取得了長足的進(jìn)展
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IR推出微電子繼電器設(shè)計(jì)師手冊以簡化選型和電路設(shè)計(jì)

  • 　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出光盤版微電子繼電器 (MER) 設(shè)計(jì)師手冊，內(nèi)容包括 IR 公司MER 產(chǎn)品系列的選型指南、應(yīng)用手冊、數(shù)據(jù)資料和設(shè)計(jì)技巧等。 　　IR 的 MER 產(chǎn)品系列包括以 MOSFET 和 IGBT 為基礎(chǔ)的光伏繼電器和光電隔離器。其中以 MOSFET 為基礎(chǔ)的器件是理想的固態(tài)繼電器，能把AC 和 DC 負(fù)載和感測信號從幾毫安轉(zhuǎn)換成幾百瓦，廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、測試設(shè)備、外圍電信設(shè)備、電腦外設(shè)
  • 關(guān)鍵字： IR  微電子繼電器  MOSFET  

完全自保護(hù)MOSFET功率器件分析

  • 為了提高系統(tǒng)可靠性并降低保修成本，設(shè)計(jì)人員在功率器件中加入故障保護(hù)電路，以免器件發(fā)生故障，避免對電子系統(tǒng)造成高代價(jià)的損害。這通常利用外部傳感器、分立電路和軟件來實(shí)現(xiàn)，但是在更多情況下，設(shè)計(jì)人員使用完全
  • 關(guān)鍵字： 器件  分析  功率  MOSFET  保護(hù)  完全  

IR推出雙PQFN2x2和雙PQFN3.3x3.3功率MOSFETs

  • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴(kuò)展其PQFN封裝系列，推出PQFN 2mm x 2mm和PQFN 3.3mm x 3.3mm封裝。新型封裝集成了兩個(gè)采用IR最新硅技術(shù)的HEXFET? MOSFET，為低功率應(yīng)用提供高密度、低成本的解決方案，這些應(yīng)用包括智能手機(jī)、平板電腦、攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、直流電動(dòng)機(jī)、無線感應(yīng)充電器、筆記本電腦、服務(wù)器、網(wǎng)通設(shè)備等
  • 關(guān)鍵字： IR  MOSFET  

IR日推出新車用MOSFET系列

  • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)近日推出新的車用MOSFET系列，適合要求低導(dǎo)通電阻的一系列應(yīng)用，包括傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī) (ICE) 平臺(tái)以及微型和混合動(dòng)力汽車平臺(tái)上的重載應(yīng)用。
  • 關(guān)鍵字： IR  MOSFET  

IR推出堅(jiān)固的新系列40V至75V車用MOSFET

  • 　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)近日推出新的車用MOSFET系列，適合要求低導(dǎo)通電阻的一系列應(yīng)用，包括傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī) (ICE) 平臺(tái)以及微型和混合動(dòng)力汽車平臺(tái)上的重載應(yīng)用。
  • 關(guān)鍵字： IR  柵級驅(qū)動(dòng)  MOSFET  

Diodes 全新MOSFET組合可減少直流電機(jī)損耗

  • Diodes 公司推出一對互補(bǔ)性雙 MOSFET 組合DMC4040SSD，可用于低壓單相/三相無刷直流（BLDC）電機(jī)控制應(yīng)用。該組合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道導(dǎo)通電阻（Rdson）性能，以確保平衡分配電機(jī)負(fù)載的直流損耗并將其減少到最小。
  • 關(guān)鍵字： Diodes  MOSFET  DMC4040SSD  

Diodes 全新MOSFET 組合可減少直流電機(jī)損耗

  • 　　Diodes 公司推出一對互補(bǔ)性雙 MOSFET 組合DMC4040SSD，可用于低壓單相/三相無刷直流(BLDC)電機(jī)控制應(yīng)用。該組合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道導(dǎo)通電阻(Rdson)性能，以確保平衡分配電機(jī)負(fù)載的直流損耗并將其減少到最小?！　?/li>
  • 關(guān)鍵字： Diodes  DMC4040SSD  MOSFET   

說出你的故事：中國IC設(shè)計(jì)及應(yīng)用創(chuàng)新案例

  • 　　現(xiàn)代創(chuàng)新理論的提出者約瑟夫·熊彼特認(rèn)為，企業(yè)家的職能就是實(shí)現(xiàn)“創(chuàng)新”，引進(jìn)生產(chǎn)要素或生產(chǎn)條件的“新組合”，目的是最大限度地獲取超額利潤。創(chuàng)新催生利潤，因此“創(chuàng)新”一詞得到狂熱追捧，幾乎所有企業(yè)都在打出各式各樣的創(chuàng)新口號。 　　不僅業(yè)內(nèi)企業(yè)在摸索和實(shí)踐著創(chuàng)新，作為“深圳(國際)集成電路技術(shù)創(chuàng)新與應(yīng)用展覽會(huì)”的組織機(jī)構(gòu)——深圳市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)也在積極行動(dòng)。他們在深入調(diào)研了
  • 關(guān)鍵字： IC設(shè)計(jì)  MOSFET  音頻解碼器  

飛兆半導(dǎo)體功率級非對稱雙MOSFET器件

  • 電源工程師一直面對減小應(yīng)用空間和提高功率密度的兩個(gè)主要挑戰(zhàn)，而在筆記本電腦、負(fù)載點(diǎn)、服務(wù)器、游戲和電信應(yīng)用中，上述兩點(diǎn)尤為重要。為了幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出FDMS36xxS系列功率級非對稱雙MOSFET模塊。
  • 關(guān)鍵字： 飛兆  MOSFET  FDMS36xxS  

IR推出新款PQFN 2mm x 2mm封裝

  • 　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴(kuò)展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù)，為一系列的低功耗應(yīng)用，包括智能手機(jī)、平板電腦、攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、筆記本電腦、服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案。　
  • 關(guān)鍵字： IR  PQFN  MOSFET  

IR新款超小型PQFN2x2功率MOSFET登場

  • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴(kuò)展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù)，為一系列的低功耗應(yīng)用，包括智能手機(jī)、平板電腦、攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、筆記本電腦、服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案。
  • 關(guān)鍵字： IR  HEXFET MOSFET  
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