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elitesic mosfet 文章 進(jìn)入elitesic mosfet技術(shù)社區(qū)
利用DAC、運(yùn)算放大器和 MOSFET 晶體管 構(gòu)建多功能高精度可編程電流源
- 電路功能與優(yōu)勢(shì) 數(shù)字控制電流源在許多應(yīng)用中至關(guān)重要,如電源管理、電磁閥控制、電機(jī)控制、阻抗測(cè)量、傳 ...
- 關(guān)鍵字: 實(shí)驗(yàn)室電路 MOSFET 運(yùn)算放大器
Linear 推出 LTC4441 新的高可靠性 (MP 級(jí)) 版本
- 凌力爾特公司(Linear Technology Corporation) 推出LTC4441新的高可靠性(MP 級(jí)) 版本,該器件是一款6A N 溝道MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器,在-55°C 至125°C的工作節(jié)溫范圍內(nèi)工作。該高功率驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于增加DC/DC 控制器的輸出功率及效率,從而使其能夠驅(qū)動(dòng)高功率N 溝道MOSFET 或多個(gè)并聯(lián)的MOSFET。其柵極驅(qū)動(dòng)電壓從5V 至8V 是可調(diào)的,從而允許設(shè)計(jì)師選擇標(biāo)準(zhǔn)門(mén)限或邏輯電平MOSFET。LTC4441 在5V 至25V 的寬輸入
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Microchip擴(kuò)展MOSFET驅(qū)動(dòng)器系列產(chǎn)品
- Microchip Technology Inc.(美國(guó)微芯科技公司)宣布擴(kuò)展了其MOSFET驅(qū)動(dòng)器系列產(chǎn)品。在已獲得業(yè)界推崇的Microchip下橋臂MCP14E3/4/54.5A MOSFET驅(qū)動(dòng)器上,Microchip推出全新下橋臂MCP14E6/7/82A和MCP14E9/10/113A驅(qū)動(dòng)器。經(jīng)擴(kuò)展后,這一低成本系列器件的額定峰值輸出電流為2A至4.5A,工作電壓范圍寬達(dá)4.5V至18V。全新器件具備使能輸入引腳,可實(shí)現(xiàn)關(guān)斷功能以節(jié)省能耗,并采用8引腳SOIC和8引腳6mm×5m
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Fairchild開(kāi)發(fā)出用于MOSFET器件的Dual Cool封裝
- 為了滿(mǎn)足高電流能力、高效率和更小外形尺寸的需求,飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開(kāi)發(fā)出用于MOSFET器件的Dual Cool封裝,Dual Cool封裝是采用嶄新封裝技術(shù)的頂部冷卻PQFN器件,可以通過(guò)封裝的頂部實(shí)現(xiàn)額外的功率耗散。 Dual Cool封裝具有外露的散熱塊,能夠顯著減小從結(jié)點(diǎn)到外殼頂部的熱阻。與標(biāo)準(zhǔn)PQFN封裝相比,Dual Cool封裝在配合散熱片使用時(shí),可將功率耗散能力提高60%以上。此外,采用Dual Cool封裝的MOSFET通過(guò)使用飛兆
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Vishay發(fā)布40V和60V N溝道TrenchFET功率MOSFET
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封裝,具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻,以及最低的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積,即優(yōu)值系數(shù)。 40 V SiR640DP在10V和4.5V下的導(dǎo)通電阻為1.7m?和2.2m?,在10V和4.5V下的FOM分別為128m?-nC和76m?-nC。器件在4.5V下的導(dǎo)通電阻比最
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saber下MOSFET驅(qū)動(dòng)仿真實(shí)例
- saber下MOSFET驅(qū)動(dòng)仿真實(shí)例,設(shè)計(jì)中,根據(jù)IXYS公司IXFN50N80Q2芯片手冊(cè)中提供的ID-VDS,ID-VGS和Cap-VDS等特性曲線(xiàn)及相關(guān)參數(shù),利用saber提供的Model Architect菜單下Power MOSFET Tool建立IXFN50N80Q2仿真模型,圖5-1所示MOSFET DC Characteris
- 關(guān)鍵字: 實(shí)例 仿真 驅(qū)動(dòng) MOSFET saber
Vishay新款N溝道功率MOSFET刷新最低導(dǎo)通電阻記錄
- 賓夕法尼亞、MALVERN—2011年3月31日—日前,Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代號(hào):VSH)宣布,發(fā)布新款40V和60VN溝道Trench FET?功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK?SO-8封裝,具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻,以及最低的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積,即優(yōu)值系數(shù)。
- 關(guān)鍵字: MOSFET 最低導(dǎo)通電阻
設(shè)計(jì)高效高可靠LED燈具的五個(gè)忠告
- 進(jìn)入2011年,澳大利亞已經(jīng)率先禁止使用白熾燈,這為L(zhǎng)ED燈具的大規(guī)模普及揭開(kāi)了序幕,另外,隨著歐盟各國(guó)、日本、加拿大等國(guó)家將在2012年禁止使用白熾燈,LED燈具的照明普及率會(huì)進(jìn)一步提升,這讓掘金綠色照明革命的中國(guó)數(shù)千家LED燈具廠商歡欣鼓舞――因?yàn)橐粋€(gè)巨大的市場(chǎng)就要開(kāi)啟,而這次唱主角的是中國(guó)廠商。不過(guò),應(yīng)當(dāng)看到,LED燈具要普及,不但需要大幅度降低成本,更需要解決能效和可靠性的難題,如何解決這些難題,Power Integrations市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)副總裁Doug Bailey分享了高效高可靠LED燈具
- 關(guān)鍵字: PI MOSFET LED
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