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2011年中國(guó)功率MOSFET市場(chǎng)放緩的兩個(gè)因素

　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，2010年中國(guó)功率MOSFET市場(chǎng)快速增長(zhǎng)，銷售額達(dá)到23億美元，比2009年的16億美元增長(zhǎng)43%。　　直到去年第三季度，功率MOSFET在2010年多數(shù)時(shí)間都處于供應(yīng)不足局面，難以滿足中國(guó)各行業(yè)的需求，包括本地?cái)?shù)據(jù)處理、消費(fèi)與通信領(lǐng)域。功率MOSFET是為處理較高的功率級(jí)而設(shè)計(jì)的功率半導(dǎo)體器件，主要用于電源與DC-DC轉(zhuǎn)換器中的低電壓開關(guān)。　
關(guān)鍵字： MOSFET DC-DC轉(zhuǎn)換器

在這篇《電源設(shè)計(jì)小貼士》中，我們將研究在同步降壓功率級(jí)中如何對(duì)傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進(jìn)行這種折中處理可得到一個(gè)用于 FET 選擇的非常有用的起始點(diǎn)。通常，作為設(shè)計(jì)過(guò)程的一個(gè)組
關(guān)鍵字： MOSFET 同步降壓電阻比

盡管標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)燃機(jī)驅(qū)動(dòng)的汽車可以相對(duì)輕松地從12V電池供電和相應(yīng)的12V/14V交流發(fā)電機(jī)獲取車載系統(tǒng)的電氣需...
關(guān)鍵字：混合動(dòng)力電動(dòng)車大功率器件 IGBT MOSFET

　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，2010年中國(guó)功率MOSFET市場(chǎng)快速增長(zhǎng)，銷售額達(dá)到23億美元，比2009年的16億美元增長(zhǎng)43%。　　直到去年第三季度，功率MOSFET在2010年多數(shù)時(shí)間都處于供應(yīng)不足局面，難以滿足中國(guó)各行業(yè)的需求，包括本地?cái)?shù)據(jù)處理、消費(fèi)與通信領(lǐng)域。功率MOSFET是為處理較高的功率級(jí)而設(shè)計(jì)的功率半導(dǎo)體器件，主要用于電源與DC-DC轉(zhuǎn)換器中的低電壓開關(guān)。　　去年功率MOSFET在中國(guó)市場(chǎng)強(qiáng)勁增長(zhǎng)，可能主要?dú)w功于中國(guó)政府的推動(dòng)。為了鼓勵(lì)投資和刺激經(jīng)濟(jì)，中國(guó)政府推出了一系
關(guān)鍵字： MOSFET 無(wú)線通信

　　DC-DC電源、馬達(dá)控制、熱插拔和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用，以及服務(wù)器的次級(jí)同步整流應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員，需要使用具有更低傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗的MOSFET器件以期提高設(shè)計(jì)的效率。　　
關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，Vishay發(fā)布2011年的“Super 12”特色產(chǎn)品。這些元器件具有業(yè)界領(lǐng)先的規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)，如導(dǎo)通電阻、導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積(FOM)、溫度范圍和電流等級(jí)。這些創(chuàng)新產(chǎn)品在http://www.vishay.com/landingpage/super12/ver3/ 進(jìn)行展示，是許多關(guān)鍵應(yīng)用的上佳之選，也充分反映出Vishay產(chǎn)品線之豐富。　
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET

　　恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ：NXPI) 今日宣布，其采用LFPAK封裝的NextPower系列25V和30V MOSFET將有15款新產(chǎn)品開始供貨。這些恩智浦功率MOSFET家族的最新成員在六個(gè)關(guān)鍵參數(shù)方面找到了最佳平衡點(diǎn)，并且具有行業(yè)最低的RDS (on) (25V和30V均為亞1 mΩ級(jí))，是高性能、高可靠性開關(guān)應(yīng)用的理想之選。
關(guān)鍵字：恩智浦 MOSFET

　　英飛凌的最新一代高壓CoolMOS? MOSFET取得了又一項(xiàng)創(chuàng)新，設(shè)立了能效的新標(biāo)準(zhǔn)。在德國(guó)紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會(huì)(5月17日至19日)上，英飛凌展出了全新推出的650V CoolMOS? CFD2，它是世界上第一款漏源擊穿電壓為650V并且集成了快速體二極管的高壓晶體管。這個(gè)新的CFD2器件延續(xù)了600V CFD產(chǎn)品的優(yōu)點(diǎn)，不僅可以提高能效，而且具備更軟的交換功能，從而降低了電磁干擾(EMI)，提升產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
關(guān)鍵字：英飛凌 MOSFET

　　Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產(chǎn)品線。該封裝僅占用0.6平方毫米的PCB面積，較同類SOT723封裝器件節(jié)省一半以上的占板空間，其結(jié)點(diǎn)至環(huán)境熱阻 (ROJA) 為256oC/W，在連續(xù)條件下功耗高達(dá)1.3W，而同類產(chǎn)品的功耗則多出一倍。　　
關(guān)鍵字： Diodes MOSFET

電路功能與優(yōu)勢(shì) 數(shù)字控制電流源在許多應(yīng)用中至關(guān)重要，如電源管理、電磁閥控制、電機(jī)控制、阻抗測(cè)量、傳 ...
關(guān)鍵字：實(shí)驗(yàn)室電路 MOSFET 運(yùn)算放大器

　　Diodes公司推出旗下有助節(jié)省空間的DFN3020封裝分立式產(chǎn)品系列的首批MOSFET。這三款雙MOSFET組合包含了20V和30V N溝道及30V互補(bǔ)器件。這些雙DFN3020 MOSFET的電學(xué)性能與較大的SOT23封裝器件不相上下，可以替代兩個(gè)獨(dú)立的SOT23封裝MOSFET，節(jié)省七成的電路板空間?！?/li>
關(guān)鍵字： Diodes MOSFET

高電壓MOSFET技術(shù)在過(guò)去幾年中經(jīng)歷了很大變化，給電源工程師帶來(lái)了不少選擇。只要提供有關(guān)不同技術(shù)的使用指南，就可以幫助工程師選擇合適的部件以達(dá)成其應(yīng)用的效率和成本目標(biāo)。了解不同MOSFET部件的細(xì)微差別及不同開
關(guān)鍵字： MOSFET 高壓合適選擇應(yīng)用

　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出了一款優(yōu)化版車用DirectFET?2 功率 MOSFET 芯片組，適合內(nèi)燃機(jī)、混合動(dòng)力和電動(dòng)車中的DC-DC 應(yīng)用。　　
關(guān)鍵字： IR MOSFET

　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出堅(jiān)固耐用的車用 MOSFET系列，適合多種內(nèi)燃機(jī) (ICE) 和混合動(dòng)力車平臺(tái)應(yīng)用。　　
關(guān)鍵字： IR MOSFET

　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，由于工業(yè)與消費(fèi)領(lǐng)域的需求增長(zhǎng)，中國(guó)絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場(chǎng)未來(lái)幾年將快速增長(zhǎng)，2014年銷售額將從2009年的4.297億美元上升到9.75億美元，增長(zhǎng)一倍以上。　　
關(guān)鍵字： IGBT MOSFET