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EEPW首頁 >> 主題列表 >> elitesic mosfet

PI推出帶集成控制器/MOSFET的高效率功率因數校正IC產品系列

  • 　　用于高能效電源轉換的高壓集成電路業(yè)界的領導者Power Integrations公司今日宣布推出全新的HiperPFS產品，一款集成高壓MOSFET并可實現功率因數校正(PFC)的控制器芯片。HiperPFS器件采用創(chuàng)新的控制方案，可提高輕載條件下的效率。此外，與使用分立式MOSFET和控制器的設計相比，HiperPFS器件能大幅減少元件數和縮小電路板占用面積，同時簡化系統(tǒng)設計并增強可靠性。HiperPFS器件采用極為緊湊的薄型eSIPä封裝，適合75 W至1 kW的PFC應用。 　　歐洲
  • 關鍵字： PI  HiperPFS  MOSFET  控制器芯片  

Vishay Siliconix推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅動下具有0.07Ω的超低最大導通電阻，柵極電荷減小到216nC，采用TO-247封裝。 　　
  • 關鍵字： Vishay Siliconix  MOSFET  

Diodes 推出強固型MOSFET

  • 　　Diodes 公司推出專為IP電話(VoIP)通信開發(fā)的新型60V N溝道器件，擴展了其MOSFET產品系列。新型 Diodes DMN60xx 系列專為處理產生正極線和負極線換行線路饋電 (Tip and Ring Linefeeds) 所需的高脈沖電流，以及抵擋電源開關時引起的雪崩能量而設計。該器件能夠滿足基于變壓器的用戶線路接口電路 (SLIC) 直流/直流轉換器對基本切換功能的嚴格要求。 　　Diodes 這次推出的四款產品提供四種不同的行業(yè)標準封裝選擇，包括：SOT223封裝的DMN606
  • 關鍵字： Diodes  MOSFET  

IR 拓展堅固可靠、系統(tǒng)可擴展的車用 DirectFET?2 功率 MOSFET 系列

  • 　　全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布拓展了車用DirectFET®2功率MOSFET系列。該系列具有非常出色的功率密度、雙面冷卻功能以及最小寄生電感和電阻，適用于重負載應用，包括電動助力轉向系統(tǒng)、電源、混合動力汽車的電池開關、微型混合動力汽車的集成起動發(fā)電機系統(tǒng)等。 　　與傳統(tǒng)的標準塑料封裝器件相比，IR 的車用 DirectFET®2 器件可以實現整個系統(tǒng)級尺寸和更低的成本，以及超高的性
  • 關鍵字： IR  MOSFET  

滿足供電需求的新型封裝技術和MOSFET

  • 當維持相同的結點溫度時，可以獲得更高的輸出功率和改善功率密度。另外，散熱能力的提高使得電路在提供額定電流的同時，還可以額外提供不超過額定電流50%的更高電流，并使器件工作在更低的溫度、減少發(fā)熱對其他器件的影響，也提高了系統(tǒng)的可靠性。
  • 關鍵字： 技術  MOSFET  封裝  新型  供電  需求  滿足  

Vishay Siliconix 推出新款500V的 N溝道功率MOSFET超低導通電阻

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新型500V、16A的N溝道功率MOSFET --- SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C。新MOSFET在10V柵極驅動下具有0.38Ω的超低最大導通電阻，柵極電荷降至68nC，采用TO-220AB、TO-220 FULLPAK、D2PAK和TO-247AC封裝。 　　SiHP16N50C (TO-220AB)、SiHF16N50C (TO-220 FULLPA
  • 關鍵字： Vishay  MOSFET   

一種MOSFET雙峰效應的簡單評估方法

  • 金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)是由一個金氧半(MOS)二機體和兩個與其緊密鄰接的P-n接面(p-n junction)所組成。自從在1960年首次證明后，MOSFET快速的發(fā)展
  • 關鍵字： MOSFET  雙峰效  方法    

Diodes 推出強固型MOSFET 輕松應對IP電話通信設備的嚴峻考驗

  • 　　Diodes 公司推出專為IP電話(VoIP)通信開發(fā)的新型60V N溝道器件，擴展了其MOSFET產品系列。新型 Diodes DMN60xx 系列專為處理產生正極線和負極線換行線路饋電 (Tip and Ring Linefeeds) 所需的高脈沖電流，以及抵擋電源開關時引起的雪崩能量而設計。該器件能夠滿足基于變壓器的用戶線路接口電路 (SLIC) 直流/直流轉換器對基本切換功能的嚴格要求。 　　Diodes 這次推出的四款產品提供四種不同的行業(yè)標準封裝選擇，包括：SOT223封裝的DMN606
  • 關鍵字： Diodes  MOSFET  

硅功率MOSFET在電源轉換領域的應用

  • 　功率MOSFET作為雙極晶體管的替代品最早出現于1976年。與那些少數載流子器件相比，這些多數載流子器件速度更快、更堅固，并且具有更高的電流增益。因此開關型電源轉換技術得以真正商用化。早期臺式電腦的AC/DC開關電
  • 關鍵字： 領域  應用  轉換  電源  MOSFET  功率  

Panasonic電工PhotoMOS MOSFET的控制電路

  • 　　前言 　　Panansonic電工的PhotoMOS在輸出中采用了光電元件和功率MOSFET，是作為微小模擬信號用而開發(fā)出的SSD，以高功能型的HF型為首，正逐步擴展系列，如通用型的GU型、高頻型的RF型。 　　上次介紹了PhotoMOS的概要，此次將介紹內置在PhotoMOS中構成控制電路的獨特的光電元件的特點、構造、布線等。 　　FET型MOSFET輸出光電耦合器的基本電路 　　圖1是PhotoMOS中具有代表性的、即所謂的FET型MOSFET輸出光電耦合器的最基本電路。在該電路中由于輸出
  • 關鍵字： Panansonic  PhotoMOS  MOSFET  

瑞薩電子推出3款新型功率MOSFET產品

  • 　　高級半導體解決方案領導廠商瑞薩電子株式會社(以下簡稱瑞薩電子)已于近日宣布開始供應第12代新型功率MOSFET(金屬氧化物半導體晶體管)產品—— RJK0210DPA、RJK0211DPA和RJK0212DPA。新產品作為面向DC/DC轉換器的功率半導體器件，主要面向計算機服務器和筆記本電腦等的應用。 　　本次推出的3款功率MOSFET可用于控制CPU和存儲器的電壓轉換電路。例如，可作為降壓電路，用于將電池提供的12V電壓轉換為1.05V，以便為CPU所用。隨著公司進一步推進
  • 關鍵字： 瑞薩電子  MOSFET  

Panasonic電工PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的概要2

  • 　　b觸點型“PhotoMOS”的開發(fā) 　　隨著PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的優(yōu)勢被廣泛了解，人們將其用于信息通信設備、OA設備、FA設備及其他廣泛的領域。為了滿足大眾進一步的需求，本公司開發(fā)出了“可通過機械實現、并擁有所有觸點構成(b觸點、c觸點)”的PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器。 　　為實現該產品的開發(fā)，我們在功率MOSFET制造工藝中采用了融有DSD法(Double-Diffused and Selective Do
  • 關鍵字： Panasonic  MOSFET  PhotoMOS  

IR 推出為 D 類應用優(yōu)化的汽車用 DirectFET2 功率 MOSFET

  • 　　全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 今天宣布推出汽車用 DirectFET®2 功率 MOSFET 系列，適合D 類音頻系統(tǒng)輸出級等高頻開關應用。 　　新推出的 AUIRF7640S2、AUIRF7647S2 和 AUIRF7675M2 器件，拓展了 IR 適用于汽車 D 類音頻系統(tǒng)的 DirectFET®2 功率 MOSFET 陣營，并利用低柵極電荷 (Qg) 作出優(yōu)化，來改善總諧波失真
  • 關鍵字： IR  MOSFET  

基于功率MOSFET的激光器外觸發(fā)系統(tǒng)研制

  • 采用功率MOSFET及其驅動器和光纖收發(fā)器件，研究了激光觸發(fā)開關脈沖功率源控制技術中的快上升沿(≤5 ns)觸發(fā)信號產生、驅動、傳輸及光纖隔離、高耐壓脈沖變壓器使用等關鍵技術。給出了激光器外觸發(fā)控制電路的設計及測試結果，并對其應用特點進行了分析和討論。
  • 關鍵字： MOSFET  激光器  觸發(fā)系統(tǒng)    
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