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武漢新芯推出50nm高性能SPI NOR Flash產(chǎn)品系列

  • 近日,紫光集團(tuán)旗下武漢新芯集成電路制造有限公司,宣布推出業(yè)界先進(jìn)的50nm Floating Gate工藝SPI NOR Flash寬電壓產(chǎn)品系列XM25QWxxC。該系列支持低功耗寬電壓工作,為物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備和其它功耗敏感應(yīng)用提供靈活的設(shè)計方案。
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??煽菔蔂€,程序存儲的空間也會變

  • 現(xiàn)如今,基本上所有的東西都打上了一個叫做“保質(zhì)期”的標(biāo)簽。在電子產(chǎn)品那里,有一個更為專業(yè)一點的術(shù)語,叫做“產(chǎn)品生命周期”。
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兆易SPI NOR Flash GD25LX256E榮獲“中國芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎

  • 近日,?業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice(股票代碼 603986)宣布,其旗下全新一代高速8通道SPI NOR Flash---GD25LX256E榮獲中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院頒發(fā)的2019年第十四屆“中國芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎?!爸袊尽豹勴検悄壳皣鴥?nèi)最具權(quán)威性與影響力的獎項之一,本屆共有125家芯片企業(yè)、累計187款芯片產(chǎn)品參與報名,基本涵蓋國內(nèi)最具實力的集成電路企業(yè)和最具代表性的產(chǎn)品,是國內(nèi)集成電路產(chǎn)品和技術(shù)發(fā)展的風(fēng)向標(biāo)和大檢閱。此次SPI NOR Flash產(chǎn)品
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東芝存儲器最新發(fā)布XL-Flash技術(shù)

  • 據(jù)外媒報道,東芝存儲器美國子公司宣布推出一種新的存儲器(Storage Class Memory)解決方案:XL-Flash,該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC,XL-Flash將為數(shù)據(jù)中心和企業(yè)存儲帶來了低延遲和高性能的解決方案,樣品預(yù)計將于下月送樣檢測,或?qū)⒂?020年量產(chǎn)。
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NAND Flash 2020年新戰(zhàn)場暗潮洶涌 各家布局蓄勢待發(fā)

  • 受到東芝工廠停產(chǎn)及日韓貿(mào)易戰(zhàn)導(dǎo)致存儲器價格將反轉(zhuǎn)契機(jī)出現(xiàn),NAND Flash價格調(diào)漲從7月開始顯現(xiàn),而國際大廠之間的技術(shù)競爭更是暗潮洶涌。
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停電余威沖擊NAND Flash出貨 價格維持小跌

  • 日本三重縣四日市日前發(fā)生停電意外,市場傳出存儲器大廠東芝存儲器(TMC)當(dāng)?shù)貭I運的5座 NAND Flash工廠的營運中斷,盡管東芝存儲器尚未對外說明影響,但據(jù)傳出,合作投資的威騰(WD)已通知客戶可能無法按照原定時程出貨。
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數(shù)據(jù)存儲很重要,這塊把錢省不掉?

  • 多日后,當(dāng)李工在領(lǐng)導(dǎo)面前拍著桌子指責(zé)我的時候,我才知道,原來我倆在項目啟動會上的交鋒早已埋下了日后沖突的種子。
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2019年全球Flash支出達(dá)260億美元 連續(xù)3年高于DRAM與晶圓代工支出

  • 盡管隨著主要存儲器業(yè)者已完成或即將完成Flash存儲器產(chǎn)量擴(kuò)增計劃,2019年全球半導(dǎo)體業(yè)者在Flash業(yè)務(wù)上的資本支出將會大幅下滑,但該支出金額仍然會繼續(xù)高于各業(yè)者在DRAM與晶圓代工業(yè)務(wù)上的支出?! CInsights最新資料顯示,2016年全球半導(dǎo)體業(yè)者在Flash業(yè)務(wù)上的資本支出金額為144億美元,低于同年晶圓代工業(yè)務(wù)資本支出金額的219億美元?!?/li>
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美光行使認(rèn)購期權(quán),收購在IM Flash Technologies 合資公司中的剩余股份

  •   美光科技股份有限公司(納斯達(dá)克股票代碼:MU)今日宣布公司正在行使其認(rèn)購期權(quán),收購英特爾在雙方合資公司 IM Flash Technologies, LLC (簡稱“IM Flash”) 中的權(quán)益。2018 年 10 月 18 日,美光宣布了其行使期權(quán)的意向。  “收購 IM Flash 將使美光加速研發(fā)進(jìn)程,并優(yōu)化 3D Xpoint 制造計劃,”美光科技總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 說?!蔼q他州的工廠將幫助我們提升生產(chǎn)制造柔性,配備高技術(shù)型人才隊伍,以推動 3D Xpo
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真正的汽車0級EEPROM支持下一代汽車特性

  • 對于可擦除的、非易失性的存儲,業(yè)界已經(jīng)在兩項技術(shù)上進(jìn)行了標(biāo)準(zhǔn)化:Flash(閃存)和EEPROM。在某些方面,EEPROM被視為過時的方案,但它在一些具有特定需求的應(yīng)用中提供顯著的優(yōu)勢,例如當(dāng)數(shù)據(jù)的保留被視為安全至上時,EEPROM將是首選,因此十分適用于汽車電子等領(lǐng)域。
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H-Jtag V1.0 燒寫NOR Flash

DSP硬件設(shè)計需要知道的注意事項知多少?

  • 數(shù)字信號處理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(時鐘性能超過100MHZ)和高速先進(jìn)外圍設(shè)備,通過CMOS處理技術(shù),DSP芯片的功耗越來越低。這些巨大的進(jìn)步增加了D
  • 關(guān)鍵字: 硬件設(shè)計  FlaSh  DSP  

一招教你如何使用嵌入式參數(shù)代碼

  • 如果有幾個設(shè)置參數(shù)需要存儲到Flash中,我們一般會怎么存儲呢?將不同的參數(shù)都存儲到不同的頁中,還是將這幾個參數(shù)捆綁成一種結(jié)構(gòu)體,每次修改都同時寫
  • 關(guān)鍵字: 源代碼  RAM  FlaSh  

詳解嵌入式中參數(shù)存儲的一種方式

  • 如果有幾個設(shè)置參數(shù)需要存儲到Flash中,我們一般會怎么存儲呢?將不同的參數(shù)都存儲到不同的頁中,還是將這幾個參數(shù)捆綁成一種結(jié)構(gòu)體,每次修改都同時寫
  • 關(guān)鍵字: 工控  FlaSh  嵌入式  

對STM32的flash進(jìn)行操作的一些要點

  • 說到STM32的flash,我們的第一反應(yīng)是用來裝程序的,實際上,STM32的片內(nèi)FLASH不僅用來裝程序,還用來裝芯片配置、芯片ID、自舉程序等等。當(dāng)然, FLAS
  • 關(guān)鍵字: STM32  flash  
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flash介紹

閃存(Flash ROM): 是一種電擦除非易失型存儲器,由浮柵型場效應(yīng)管構(gòu)成,寫入時,利用熱電子注入,使浮柵帶電;擦除時,則利用高壓下的隧道效應(yīng),使浮柵失去電子。 FLASH閃存是半導(dǎo)體技術(shù),內(nèi)部是相對靜態(tài)的,體積小,抗震性很高(便于攜帶)。加上半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展很快,價格下降也很快,這是目前的MP3大多數(shù)是用FLASH閃存的原因。 [ 查看詳細(xì) ]

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