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hbm 內(nèi)存 文章 進入hbm 內(nèi)存技術社區(qū)

HBM4持續(xù)加速:AI時代競爭新焦點

  • HBM4是目前發(fā)布的HBM3標準的進化版,旨在進一步提高數(shù)據(jù)處理速率,同時保持基本特性,例如更高的帶寬、更低功耗和更大的每個芯片和/或堆棧容量 —— 這些對于需要高效處理大數(shù)據(jù)集和復雜計算的應用至關重要,包括生成人工智能(AI)、高性能計算、高端顯卡和服務器。
  • 關鍵字: HBM  AI  內(nèi)存  

臺積電要抄三星的后路

  • 在芯片制造領域,先進制程的影響力和統(tǒng)治力越來越大,已經(jīng)從之前的邏輯芯片晶圓代工領域,拓展到最先進的存儲芯片制造,這在臺積電和三星身上有凸出的體現(xiàn)。當下的 3nm 制程晶圓代工,臺積電的市場統(tǒng)治力很明顯,三星處于弱勢地位。未來的 2nm 制程,三星必須加緊趕上,否則會越來越困難。在高帶寬內(nèi)存(HBM)芯片制造方面,原本都由存儲芯片 IDM 大廠自家完成,但是,到了下一代的 HBM4,技術難度和制造難度提高了不少,需要更先進的制程工藝參與進來。2nm 制程針鋒相對據(jù)報道,臺積電將于 7 月中旬開始試生產(chǎn) 2n
  • 關鍵字: HBM  

HBM排擠效應 DRAM漲勢可期

  • 近期在智慧手機、PC、數(shù)據(jù)中心服務器上,用于暫時儲存數(shù)據(jù)的DRAM價格漲勢停歇,買家拉貨不積極,影響DRAM報價漲勢。 業(yè)者期待,SK海力士、三星及美光前三大廠HBM產(chǎn)能增開,對一般型DRAM產(chǎn)生的排擠效應,加上產(chǎn)業(yè)旺季來臨,可帶動DRAM重啟漲勢。 據(jù)了解,6月指針性產(chǎn)品DDR4 8GB合約價約2.10美元、容量較小的4GB合約價1.62美元左右,表現(xiàn)持平,主要是供需雙方對價格談判,呈現(xiàn)拉鋸狀況。而另一方面,三星新一代HBM3E,據(jù)傳有望通過輝達(NVIDIA)認證,輝達GB200將于2025年放量,其
  • 關鍵字: HBM  DRAM  美光  

巨頭搶奪戰(zhàn),HBM被徹底引爆

  • 在英偉達一步步站穩(wěn)萬億市值腳根的道路上,少不了兩項關鍵技術支持,其中之一是由臺積電主導的 CoWoS 先進封裝,另一個便是席卷當下的 HBM(高帶寬存儲)。英偉達 H200 是首次采用 HBM3E 存儲器規(guī)格的 AI 加速卡。借助內(nèi)存速度更快、容量更大的 HBM3e,英偉達 H200 以每秒 4.8TB 的速度提供 141GB 的內(nèi)存,與 A100 相比,容量幾乎是其兩倍,帶寬也提升了 43%,從而加速生成式 AI 和大語言模型,提高高性能計算(HPC)的工作負載。隨著人工智能的興起,HBM 成為巨頭們搶
  • 關鍵字: HBM  

SK海力士將在HBM生產(chǎn)中采用混合鍵合技術

  • 《科創(chuàng)板日報》17日訊,SK海力士計劃于2026年在其HBM生產(chǎn)中采用混合鍵合,目前半導體封裝公司Genesem已提供兩臺下一代混合鍵合設備安裝在SK海力士的試驗工廠,用于測試混合鍵合工藝。混合鍵合取消了銅焊盤之間使用的凸塊和銅柱,并直接鍵合焊盤,這意味著芯片制造商可以裝入更多芯片進行堆疊,并增加帶寬。
  • 關鍵字: SK  海力士  HBM  混合鍵合技術  

HBM新戰(zhàn)局,半導體存儲廠商們準備好了嗎?

  • 在半導體存儲領域,參與HBM市場競爭的存儲廠商主要為SK海力士、三星和美光,三者的競爭已經(jīng)延續(xù)到HBM3e。而近日,行業(yè)標準制定組織固態(tài)技術協(xié)會JEDEC宣布HBM4即將完成的消息引發(fā)了業(yè)界關注,這似乎也預示著HBM領域新的戰(zhàn)場已經(jīng)開啟...?堆棧通道數(shù)較HBM3翻倍?據(jù)悉,JEDEC于7月10日表示,備受期待的高帶寬存儲器 (HBM) DRAM標準的下一個版本:HBM4標準即將完成定稿。圖片來源:JEDEC官網(wǎng)截圖HBM4是目前發(fā)布的HBM3標準的進化版,旨在進一步提高數(shù)據(jù)處理速率,同時保持更高的帶寬、
  • 關鍵字: HBM  半導體  存儲  

信越推出新型半導體后端制造設備,可無需中介層實現(xiàn) HBM 內(nèi)存 2.5D 集成

  • IT之家 7 月 11 日消息,日本信越化學 6 月 12 日宣布開發(fā)出新型半導體后端制造設備,可直接在封裝基板上構建符合 2.5D 先進封裝集成需求的電路圖案?!?nbsp;蝕刻圖案這意味著可在 HBM 內(nèi)存集成工藝中完全省略昂貴的中介層(Interposer),在大大降低生產(chǎn)成本的同時也縮短了先進封裝流程。▲ 2.5D 集成結構對比信越表示,該新型后端設備采用準分子激光器蝕刻布線,無需光刻工藝就能批量形成大面積的復雜電路圖案,達到了傳統(tǒng)制造路線無法企及的精細度。結合信越化學開發(fā)的光
  • 關鍵字: 信越化學  HBM  先進封裝  

全球三大廠HBM沖擴產(chǎn) 明年倍增

  • AI應用熱!SK海力士、三星及美光等全球前三大內(nèi)存廠,積極投入高帶寬內(nèi)存(HBM)產(chǎn)能擴充計劃,市場人士估計,2025年新增投片量約27.6萬片,總產(chǎn)能拉高至54萬片,年增105%。 HBM是AI芯片占比最高的零組件,根據(jù)外媒拆解,英偉達H100近3,000美元成本,SK海力士HBM成本就占2,000美元,超過生產(chǎn)封裝。HBM經(jīng)歷多次迭代發(fā)展,進入第四代HBM3和第五代HBM3E,AI芯片相繼采用HBM3E,SK海力士在2023年基本上是壟斷HBM3市場,而2024年HBM3與HBM3E訂單都滿載。美光2
  • 關鍵字: SK海力士  三星  美光  HBM  

內(nèi)存制造技術再創(chuàng)新,大廠新招數(shù)呼之欲出

  • 制造HBM難,制造3D DRAM更難。
  • 關鍵字: HBM  3D DRAM  

三星HBM芯片據(jù)稱通過英偉達測試

  • 財聯(lián)社7月4日電,韓國媒體NewDaily報道稱,三星電子的HBM3e芯片通過了英偉達的產(chǎn)品測試,三星將很快就大規(guī)模生產(chǎn)HBM并供應給英偉達一事展開談判。
  • 關鍵字: 三星  HBM  芯片  英偉達  測試  

HBM、先進封裝利好硅晶圓發(fā)展

  • 隨著人工智能技術快速發(fā)展,AI芯片需求正急劇上升,推動先進封裝以及HBM技術不斷提升,硅晶圓產(chǎn)業(yè)有望從中受益。近期,環(huán)球晶董事長徐秀蘭對外透露,AI所需的HBM內(nèi)存芯片,比如HBM3以及未來的HBM4,都需要在裸片(die)上做堆疊,層數(shù)從12層到16層增加,同時結構下面還需要有一層基底的晶圓,這增加了硅晶圓的使用量。此前,媒體報道,AI浪潮之下全球HBM嚴重供不應求,原廠今明兩年HBM產(chǎn)能售罄,正持續(xù)增加資本投資,擴產(chǎn)HBM。據(jù)業(yè)界透露,相較于同容量、同制程的DDR5等內(nèi)存技術,HBM高帶寬存儲芯片晶圓
  • 關鍵字: HBM  先進封裝  硅晶圓  

HBM之后存儲器市場掀起新風暴

  • AI人工智能應用持續(xù)推動存儲器市場前行,其中HBM(高帶寬內(nèi)存)是當之無愧的“寵兒”,不斷吸引存儲器廠商加大資本支出與擴產(chǎn)。與此同時,存儲器市場新的力量已經(jīng)悄然形成,GDDR7有望接過HBM大棒,在AI浪潮下繼續(xù)推動存儲器市場穩(wěn)步向前。GDDR7與HBM的差異GDDR7與HBM同屬于圖形DRAM,二者均具備高帶寬和高速數(shù)據(jù)傳輸能力,可為AI計算提供強大支持,不過GDDR7與HBM在技術、應用場景與性能表現(xiàn)方面略有不同。GDDR7主要用于增強GPU的可用帶寬和內(nèi)存容量,是GDDR家族的最新一代技術。今年3月
  • 關鍵字: HBM  存儲器  

HBM供應吃緊催生DRAM漲價 美光股價飆漲

  • 內(nèi)存大廠美光預計6月26日公布季報,自美光的高帶寬內(nèi)存(HBM)開始供貨給輝達后,已化身為AI明星股,年初至今,美光股價大漲近七成,市值大增636.26億美元,至1,545.22億美元。 市場分析師預期,美光經(jīng)營層將大談需求改善、行業(yè)供應緊張、價格進一步上揚,以及他們供應給輝達和其他AI芯片廠商的HBM,下一世代的發(fā)展,提出對后市正向的看法。由于AI應用的需求,人們對DRAM、HBM的興趣與日俱增,且內(nèi)存市場通常存在「FOMO」(Fear of missing out)現(xiàn)象,意思是「害怕錯失機會」,在美光
  • 關鍵字: HBM  DRAM  美光  

HBM產(chǎn)能緊 美光傳大舉擴產(chǎn)

  • 在人工智能(AI)熱潮席卷全球下,帶動市場對于高帶寬內(nèi)存(HBM)需求大幅增長,造成產(chǎn)能緊張。知情者透露,美國內(nèi)存芯片大廠美光(Micron)為掌握更多HBM產(chǎn)量,正在美國打造多條測試生產(chǎn)線以求擴大產(chǎn)能,并首度考慮在馬來西亞生產(chǎn)HBM,同時擴大在臺中的產(chǎn)能。 日本經(jīng)濟新聞20日報導,美光今年6月初曾經(jīng)表示目標在2025年底,把其HBM市占率大幅提升至目前的逾3倍,達到25%附近,這跟其目前在全球DRAM市占率差不多,美光正積極要在HBM領域追上韓國SK海力士與三星電子。知情者表示,美光正擴大其愛達荷州博伊
  • 關鍵字: HBM  美光  

有望改變 AI 半導體規(guī)則,消息稱三星電子年內(nèi)將推出 HBM 三維封裝技術 SAINT-D

  • IT之家 6 月 18 日消息,據(jù)韓媒《韓國經(jīng)濟日報》報道,三星電子將于年內(nèi)推出可將 HBM 內(nèi)存與處理器芯片 3D 集成的 SAINT-D 技術。報道同時指出,在今年發(fā)布后,三星有望于明年推出的 HBM4 內(nèi)存中正式應用 SAINT(IT之家注:即 Samsung Advanced INterconnect Technology 的簡寫)-D 技術。SAINT-D 是三星電子的一項 3DIC 先進封裝技術,旨在垂直集成邏輯裸片和 DRAM 內(nèi)存裸片。報道
  • 關鍵字: HBM  內(nèi)存  三星  
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