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EEPW首頁 >> 主題列表 >> hbm 內(nèi)存

你所需要知道的HBM技術(shù)

  • 在2024年即將到來之際，多家機構(gòu)給出預測，認定生成式AI將成為2024年的增長重點之一。回顧2023年，年初的ChatGPT引爆了今年的生成式AI熱潮，不僅僅是下游市場的AI應用，這股大火一直燒到了上游芯片領域，根據(jù)權(quán)威機構(gòu)預測，2023年和2024年，AI服務器將有38%左右的增長空間。隨著GPU等AI芯片走向高峰的同時，也極大帶動了市場對新一代內(nèi)存芯片HBM（高帶寬內(nèi)存）的需求。 HBM是何方神圣？ 首先，我們先來了解一下什么是HBM。HBM全稱為High Bandwich Me
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三大原廠 HBM 路線圖

  • 預計英偉達 HBM3e 驗證將于 2024 Q1 完成。
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DRAM掀起新一輪熱潮，封裝技術(shù)發(fā)揮關(guān)鍵作用

  • 處理器，無論是 CPU、GPU、FPGA，還是 NPU，要想正常運行，都離不開 RAM，特別是 DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器），它已經(jīng)成為各種系統(tǒng)（PC，手機，數(shù)據(jù)中心等）中內(nèi)存的代名詞。根據(jù)應用不同，系統(tǒng)對芯片面積和功耗有不同要求，因此，DRAM 被分成標準 DDR（雙倍數(shù)據(jù)速率）、LPDDR、GDDR 等，當然，主要就是這三類。其中，DDR 是相對于 SDR（單數(shù)據(jù)速率）而言的，將 I/O 時鐘加倍了，主要為 PC 和數(shù)據(jù)中心的 CPU 服務，目前已經(jīng)發(fā)展到 DDR5；LPDDR 是低功耗的 DDR，
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SK海力士成立新部門負責AI半導體業(yè)務

  • 據(jù)韓媒，韓國SK海力士公司周四表示，將成立一個名為AI Infra的新部門，負責人工智能（AI）半導體相關(guān)業(yè)務，由現(xiàn)任全球銷售營銷部門負責人Kim Juseon管理。報道稱，新部門將整合分散在公司內(nèi)部的高帶寬內(nèi)存（HBM）能力和功能，還將主導新一代HBM芯片等人工智能技術(shù)的發(fā)展，尋找并開發(fā)新市場。
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存儲器大廠積極布局，DDR5與HBM受青睞

  • 今年以來，ChatGPT持續(xù)推動生成式AI需求上漲，加上PC與服務器領域平臺不斷推陳出新，HBM與DDR5等高附加值DRAM芯片備受市場青睞，存儲器大廠不約而同積極布局上述產(chǎn)品。DDR5：美光發(fā)布新品、三星計劃擴大產(chǎn)線當前DDR5制程已經(jīng)來到1β DRAM，今年10月美光科技宣布推出基于1β技術(shù)的DDR5內(nèi)存，速率高達 7200 MT/s，現(xiàn)已面向數(shù)據(jù)中心及 PC 市場的所有客戶出貨。此外，該款DDR5內(nèi)存采用先進的High-K CMOS器件工藝、四相時鐘和時鐘同步技術(shù)，相比上一代產(chǎn)品，性能提升高
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一文看懂TSV技術(shù)

  • 前言從HBM存儲器到3D NAND芯片，再到CoWoS，硬件市場上有許多芯片是用英文稱為TSV構(gòu)建的，TSV是首字母縮寫，TSV（Through Silicon Via）中文為硅通孔技術(shù)。它是通過在芯片與芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導通；TSV技術(shù)通過銅、鎢、多晶硅等導電物質(zhì)的填充，實現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互聯(lián)，這項技術(shù)是目前唯一的垂直電互聯(lián)技術(shù)，是實現(xiàn)3D先進封裝的關(guān)鍵技術(shù)之一。在本文中，我們將告訴您它們是什么，它們?nèi)绾喂ぷ饕约八鼈兊挠猛尽Ｔ?000年的第一個月，Santa Clara Universi
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三星、美光大動作，擴產(chǎn)HBM

  • 存儲市場消費電子應用疲軟的環(huán)境下，HBM成為發(fā)展新動能，備受大廠重視。近期，三星、美光傳出將擴產(chǎn)HBM的消息。大廠積極布局HBM近期，媒體報道三星為了擴大HBM產(chǎn)能，已收購三星顯示（Samsung Display）韓國天安廠區(qū)內(nèi)部分建筑及設備，用于HBM生產(chǎn)。據(jù)悉，三星計劃在天安廠建立一條新封裝線，用于大規(guī)模生產(chǎn)HBM，該公司已花費105億韓元購買上述建筑和設備等，預計追加投資7000億-1萬億韓元。 此前，據(jù)三星電子副社長、DRAM產(chǎn)品與技術(shù)團隊負責人黃尚俊透露，三星已開發(fā)出9.8Gbps的H
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HBM 的未來是光速 - 集成光子學的未來設計

  • HBM 的未來不僅是光明的：它還具有光速、超帶寬和超低功耗。 在今年的開放計算項目 (OCP) 全球峰會上，三星先進封裝團隊 Yan Li 向我們展示了一個比我們想象的更加集成的未來：隨著高帶寬內(nèi)存 (HBM) 的進一步發(fā)展，熱和晶體管密度問題可能會得到解決。 通過光子學來解決。 光子學基于一種可以對單個光子（光的粒子/波）信息進行編碼的技術(shù)，這意味著它改善了（幾乎）我們當前計算環(huán)境中我們關(guān)心的一切。 功耗大幅降低（發(fā)射的是光粒子而不是電子流），處理速度也得到提高（延遲達到飛秒級，傳播速度接近光
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三星、美光計劃擴大HBM產(chǎn)能

  • 在消費級存儲市場低迷的背景下，高帶寬存儲器（HBM）技術(shù)已成為新的驅(qū)動力，最新報告指出三星和美光兩家公司正積極籌備擴張HBM DRAM 。三星耗資105億韓元，收購了三星顯示位于韓國天安市的某些工廠和設備，以擴大HBM產(chǎn)能。三星還計劃再投資7000億至1萬億韓元，用于新建新的封裝線。此前報道，三星副總裁兼DRAM產(chǎn)品和技術(shù)團隊負責人Hwang Sang-jun先生透露，三星已開發(fā)出速度為9.8Gbps的HBM3E，并計劃開始向客戶提供樣品。同時，三星還正在開發(fā)HBM4的各種技術(shù)，包括針對高溫熱特性和混合鍵
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抓住 AI 大趨勢，三星、美光積極籌備 HBM 擴建計劃

  • IT之家 11 月 8 日消息，在消費級存儲市場低迷的背景下，高帶寬存儲器（HBM）技術(shù)已成為新的驅(qū)動力，最新報告指出三星和美光兩家公司正積極籌備擴張 HBM DRAM。圖源：三星最新報道稱三星電子耗資 105 億韓元，收購了三星顯示位于韓國天安市的某些工廠和設備，以擴大 HBM 產(chǎn)能。三星電子還計劃再投資 7000 億至 1 萬億韓元，用于新建新的封裝線。IT之家此前報道，三星電子副總裁兼 DRAM 產(chǎn)品和技術(shù)團隊負責人 Hwang Sang-jun 先生透露，三星已開發(fā)出速度為 9.8Gbp
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HBM：高帶寬內(nèi)存吸引各大科技巨頭搶購的“魔力”到底是什么？

  • 由于各大企業(yè)對布局AI領域的興趣激增，同時，SK海力士在用于生成式AI領域的高帶寬存儲器（HBM）DRAM方面處于市場領先地位，其二季度用于AI領域的高性能DRAM銷售增長強勁，對高端DRAM的需求增長了一倍多。繼英偉達之后，全球多個科技巨頭都在競購SK海力士的第五代高帶寬內(nèi)存HBM3，包括AMD、微軟和亞馬遜等等。
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大模型市場，不止帶火HBM

  • 近日，HBM 成為芯片行業(yè)的火熱話題。據(jù) TrendForce 預測，2023 年高帶寬內(nèi)存（HBM）比特量預計將達到 2.9 億 GB，同比增長約 60%，2024 年預計將進一步增長 30%。2008 年被 AMD 提出的 HBM 內(nèi)存概念，在 2013 年被 SK 海力士通過 TSV 技術(shù)得以實現(xiàn)，問世 10 年后 HBM 似乎真的來到了大規(guī)模商業(yè)化的時代。HBM 的概念的起飛與 AIGC 的火爆有直接關(guān)系。AI 服務器對帶寬提出了更高的要求，與 DDR SDRAM 相比，HBM 具有更高的帶寬和更
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AI及HPC需求帶動對HBM需求容量將年增近60%

  • 為解決高速運算下，存儲器傳輸速率受限于DDR SDRAM帶寬而無法同步成長的問題，高帶寬存儲器（High Bandwidth Memory，HBM）應運而生，其革命性傳輸效率是讓核心運算元件充分發(fā)揮效能的關(guān)鍵。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，目前高端AI服務器GPU搭載HBM已成主流，預估2023年全球HBM需求量將年增近六成，來到2.9億GB ，2024年將再成長三成。TrendForce集邦咨詢預估到2025年，全球若以等同ChatGPT的超大型AIGC產(chǎn)品5款、Midjourney的
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三星將于今年下半年開始批量生產(chǎn)HBM芯片

  • AI服務器需求，帶動HBM提升，繼HanmiSemiconductor之后，又有一存儲大廠在加速HBM布局。據(jù)韓媒《TheKoreaTimes》6月27日報道，三星電子將于今年下半年開始批量生產(chǎn)高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片，以滿足持續(xù)增長的人工智能（AI）市場。根據(jù)報道，三星將量產(chǎn)16GB、24GB的HBM3存儲芯片，這些產(chǎn)品數(shù)據(jù)處理速度可達到6.4Gbps，有助于提高服務器的學習計算速度。三星執(zhí)行副總裁Kim Jae-joon在4月份的電話會議上表示，該公司計劃在今年下半年推出下一代HBM3P產(chǎn)品，以滿
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AI大勢！GPU訂單排到明年、HBM與先進封裝需求大漲

  • 2023年ChatGPT引發(fā)的AI熱潮仍在繼續(xù)，近期媒體報道，今年擁有云端相關(guān)業(yè)務的企業(yè)，大多都向英偉達采購了大量GPU，目前該公司訂單已排至2024年。同時，由于英偉達大量急單涌入，晶圓代工企業(yè)臺積電也從中受益。據(jù)悉，英偉達正向臺積電緊急追單，這也令臺積電5納米制程產(chǎn)能利用率推高至接近滿載。臺積電正以超級急件（superhotrun）生產(chǎn)英偉達H100、A100等產(chǎn)品，而且訂單排至年底。業(yè)界認為，隨著ChatGPT等AIGC（生成式人工智能）快速發(fā)展，未來市場對GPU的需求將不斷上升，并將帶動HBM以及
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