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國(guó)家“02專(zhuān)項(xiàng)”獲重大突破 8寸IGBT征名

  •   (飛馳于大江南北的和諧號(hào)機(jī)樣同樣需要IGBT核心器件。)   (一個(gè)8英寸IGBT芯片的“誕生”,至少需要2個(gè)月以上、歷經(jīng)200多道工藝、由數(shù)6萬(wàn)個(gè)“細(xì)胞”完成。)   (中國(guó)南車(chē)株洲所功率半導(dǎo)體器件生產(chǎn)區(qū)域。)   (“中國(guó)智造”的南車(chē)株洲所辦公樓。)   紅網(wǎng)長(zhǎng)沙6月11日訊(記者喻向陽(yáng))6月下旬,一個(gè)長(zhǎng)期被發(fā)達(dá)國(guó)家玩轉(zhuǎn)的“魔方”——8英寸IGBT芯片將在
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傳統(tǒng)IGBT可靠性測(cè)試急需變革

  •   據(jù)Yole Developpement市場(chǎng)調(diào)查公司2013年報(bào)告,2014年IGBT市場(chǎng)總值將達(dá)到43億美元,比2013年的39億美元多出40億美元。而從2011~2018年走勢(shì)可見(jiàn),主要驅(qū)動(dòng)力是電動(dòng)汽車(chē)/混合動(dòng)力(EV/HEV)汽車(chē)(如圖1)。同時(shí),鐵路牽引、可再生能源發(fā)電等需要越來(lái)越高的可靠性。 可靠性成為功率電力電子器件的關(guān)鍵指標(biāo)。   IGBT等大功率的電力電子器件通常需要大電流,例如地鐵需要8A,新能源汽車(chē)需要600A,風(fēng)能需要1500A及以上。同時(shí)電力電子器件的可靠性非常關(guān)鍵,例如機(jī)
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東芝推出4A輸出智能門(mén)驅(qū)動(dòng)光電耦合器

  •   東芝公司(TOKYO:6502)旗下半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司(Semiconductor & Storage Products Company)于2014年5月20日宣布其門(mén)驅(qū)動(dòng)光電耦合器陣容增添新成員,用于驅(qū)動(dòng)中等功率絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。這款新的4A輸出智能門(mén)驅(qū)動(dòng)光電耦合器“TLP5214”采用纖薄的SO16L封裝,并具有保護(hù)功能,可防止IGBT產(chǎn)生過(guò)流狀況。這一新產(chǎn)品將于5月底開(kāi)始量產(chǎn)出貨。   &l
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最經(jīng)典的IGBT資料大全,技術(shù)詳解,設(shè)計(jì)技巧,應(yīng)用案例

新能源汽車(chē)成為大功率IGBT的主要驅(qū)動(dòng)力

  •   據(jù)Yole Developpement市場(chǎng)調(diào)查公司2013年報(bào)告,2014年IGBT市場(chǎng)總值將達(dá)到43億美元,比2013年的39億美元多出4億美元。而從2011年~2018年可見(jiàn),主要驅(qū)動(dòng)力是電動(dòng)汽車(chē)/混合動(dòng)力(EV/HEV)汽車(chē)(下圖草綠色部分)?! 】煽啃猿蔀楣β孰娏﹄娮悠骷年P(guān)鍵指標(biāo)  EV/HEV汽車(chē)用IGBT等大功率的電力電子器件不僅對(duì)性能指標(biāo)要求高,目前電流已達(dá)600安培左右,同時(shí)對(duì)可靠性的要求更為嚴(yán)苛,例如汽車(chē)應(yīng)用的期望壽命需要二三十年,需上萬(wàn)次甚至百萬(wàn)次的功率循環(huán)要求,而且需要在不同的
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Mentor推出1500A功率循環(huán)測(cè)試設(shè)備

  •   聚焦可靠性  IGBT等大功率的電力電子器件通常需要大電流,例如地鐵需要800A,新能源汽車(chē)需要600A,風(fēng)能需要1500A及以上。同時(shí)電力電子器件的可靠性非常關(guān)鍵,例如機(jī)車(chē)牽引的期望壽命超過(guò)三十年,功率器件通常需上萬(wàn)次甚至百萬(wàn)次的功率循環(huán)要求,對(duì)新型IGBT等電力電子器件的可靠性提出了巨大的挑戰(zhàn)。  功率循環(huán)和熱量導(dǎo)致與熱相關(guān)的器件老化降級(jí),容易導(dǎo)致焊線老化降級(jí),金屬層錯(cuò)位,焊接失效,硅芯片和基板的分層等問(wèn)題。因此需要精密的實(shí)驗(yàn)設(shè)備對(duì)電力電子器件的可靠性進(jìn)行評(píng)估?! 鹘y(tǒng)的功率循環(huán)測(cè)試和失效分析有諸
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安森美半導(dǎo)體看好中國(guó)汽車(chē)市場(chǎng)

  •   中國(guó)已成為全球最大的汽車(chē)生產(chǎn)國(guó)和消費(fèi)市場(chǎng),2013年中國(guó)整體汽車(chē)銷(xiāo)量增長(zhǎng)14%至2,200萬(wàn)輛,其中乘用車(chē)銷(xiāo)售約1,800萬(wàn)輛(份額80%),商用車(chē)約400萬(wàn)輛(份額20%);2014年整體銷(xiāo)量可達(dá)2,300萬(wàn)輛,乘用車(chē)銷(xiāo)量較2012年增長(zhǎng)16%。汽車(chē)大趨勢(shì)正在推動(dòng)半導(dǎo)體成分的升高:IHS公司預(yù)測(cè),由于汽車(chē)安全與導(dǎo)航等系統(tǒng)的不斷采用,中國(guó)汽車(chē)半導(dǎo)體市場(chǎng)將在2014年增長(zhǎng)11%,達(dá)到46億美元。而在未來(lái)三年會(huì)延續(xù)增長(zhǎng)勢(shì)頭,到2017年,中國(guó)汽車(chē)芯片市場(chǎng)將達(dá)到62億美元。   面對(duì)巨大的需求,半導(dǎo)體廠商
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高鐵“中國(guó)芯”即將量產(chǎn):速度超600km/h

  • 高鐵在技術(shù)上的突破確實(shí)令人欣慰,但這給老百姓帶來(lái)的實(shí)惠非常有限,其在經(jīng)濟(jì)民生方面的意義更像是國(guó)家層面的形象工程。
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淺談CPLD在IGBT驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

  • 隨著國(guó)民經(jīng)濟(jì)的不斷發(fā)展,變頻調(diào)速裝置的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。如何打破國(guó)外產(chǎn)品的壟斷,已成為一個(gè)嚴(yán)肅的課題擺在我國(guó)工程技術(shù)人員的面前。 在某型號(hào)大功率變頻調(diào)速裝置中,由于裝置的尺寸較大,考慮到結(jié)構(gòu)和散熱的條件,主控板上DSP產(chǎn)生的PWM信號(hào)需經(jīng)過(guò)較長(zhǎng)的距離才能送到IGBT逆變單元中。為保證PWM信號(hào)傳輸?shù)臏?zhǔn)確性和可靠性,必須解決以下幾個(gè)問(wèn)題:首先是抗干擾問(wèn)題,變頻器工作時(shí),IGBT的開(kāi)關(guān)動(dòng)作會(huì)產(chǎn)生高頻干擾信號(hào);其次是如何保證PWM信號(hào)的前、后沿質(zhì)量,減少I(mǎi)GBT開(kāi)關(guān)動(dòng)作的過(guò)渡過(guò)程;最后是如何減少布線電感,盡可能
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基于IGBT器件的大功率DC/DC電源技術(shù)方案

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字: DC/DC  大功率輸出  電源模塊  IGBT  

國(guó)內(nèi)首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線將投產(chǎn)

  • 中國(guó)南車(chē)成為國(guó)內(nèi)唯一一家全面掌握IGBT芯片技術(shù)研發(fā)、模塊封裝測(cè)試和系統(tǒng)應(yīng)用的企業(yè)。讓我們了解一下......
  • 關(guān)鍵字: 8英寸  IGBT  芯片  

Vishay發(fā)布寬體IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器

  •   日前,Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布,推出用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、太陽(yáng)能逆變器、新能源和焊接設(shè)備,以及其他高工作電壓應(yīng)用的新款I(lǐng)GBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器VOW3120-X017T,擴(kuò)充其光電子產(chǎn)品組合。VOW3120-X017T的最短電氣間隙和外爬電距離為10mm。該器件不僅具有長(zhǎng)隔離距離,還具有1414V的VIORM和8000V的VIOTM高隔離電壓,非常適合在高工作電壓下運(yùn)轉(zhuǎn)的應(yīng)用及污染程度較重的環(huán)境?! 〕司哂袃?yōu)異的隔離能力,使用可靠和久經(jīng)考驗(yàn)的光電子
  • 關(guān)鍵字: Vishay  IGBT  MOSFET  VOW3120  

英飛凌加入中國(guó)國(guó)際電動(dòng)汽車(chē)示范城市伙伴組織,助力本土產(chǎn)業(yè)發(fā)展

  •   英飛凌科技(中國(guó))有限公司宣布正式加入“中國(guó)(上海)國(guó)際電動(dòng)汽車(chē)示范城市伙伴組織”,該組織成員包括致力于推廣電動(dòng)車(chē)產(chǎn)業(yè)的上下游企業(yè)。作為全球領(lǐng)先的汽車(chē)電子供應(yīng)商,英飛凌是首家加入的半導(dǎo)體科技公司。英飛凌將依托?“伙伴組織”框架機(jī)構(gòu),加強(qiáng)與“伙伴組織”成員及其他伙伴企業(yè)的交流與合作,助力推進(jìn)電動(dòng)汽車(chē)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展?! ∽鳛槿蜃畲蟮腎GBT芯片及模塊供應(yīng)商,英飛凌可以為電動(dòng)汽車(chē)的主要核心電子電器模塊提供完整的解決方案,包括電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池管理、高壓輔助系統(tǒng)如DC/DC、車(chē)載充電器以及整車(chē)控制器。大量
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IR推出堅(jiān)固可靠的超高速1400V IGBT

  •   全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商?–?國(guó)際整流器公司?(International?Rectifier,簡(jiǎn)稱IR)?宣布推出堅(jiān)固可靠的超高速1400V溝道絕緣柵雙極晶體管?(IGBT)?IRG7PK35UD1PbF,新器件為電磁爐和微波爐等軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用作出了優(yōu)化?! RG7PK35UD1PbF與超低正向電壓二極管共同封裝,由于使用IR?的Gen7?薄晶圓溝道技術(shù),可提供極低VCE(ON)?和超高速開(kāi)關(guān),
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英飛凌為感應(yīng)加熱應(yīng)用推出新一代逆導(dǎo)IGBT

  • 2014年2月24日,英飛凌科技股份公司(法蘭克福股票交易所股票代碼:IFX / 美國(guó)柜臺(tái)交易市場(chǎng)股票代碼:IFNNY)推出單片集成逆導(dǎo)二極管的20A 1350V器件,再次擴(kuò)充逆導(dǎo)(RC) 軟開(kāi)關(guān)IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)產(chǎn)品組合。
  • 關(guān)鍵字: 英飛凌  IGBT  RC-H5  
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igbt fs7介紹

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