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EEPW首頁 >> 主題列表 >> igbt-ipm

利用智能功率模塊(IPM)來驅(qū)動三相感應(yīng)馬達(IM)

  • 　　過去10年中，盡管永磁同步馬達(PMSM)備受推崇，使用率也日益增加，但標準三相感應(yīng)馬達(IM)仍然是使用得最廣泛的馬達。啟動IM最簡單的辦法是把馬達直接接入三相交流電，以往業(yè)界采用星三角(Star-Delta)啟動和軟啟
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柵極電阻RG對IGBT開關(guān)特性的性能影響分析

  • 　1 前言　　用于控制、調(diào)節(jié)和開關(guān)目的的功率半導體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導體器件的開關(guān)動作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過使用典型的+15V控制電壓(VG(
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扶持政策出臺 高壓變頻上游利好

  • 　　據(jù)悉，在高壓變頻器中，約有一半的成本來自絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等電力電子元器件。相比中低壓變頻器，這類產(chǎn)品的價格與質(zhì)量對高壓變頻器而言要重要得多。因此高壓變頻器廠商對電力電子元器件行業(yè)的關(guān)注從來沒有放松過。2010年，他們發(fā)現(xiàn)國家對于電力電子元器件的重視程度也越來越高。 　　2010年3月19日，國家發(fā)改委辦公廳發(fā)布《關(guān)于組織實施2010年新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化專項的通知》，明確指出將組織實施新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化專項，以大力推進新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展，努力掌握自主知識產(chǎn)權(quán)的芯片和器件的設(shè)計
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IR 推出絕緣柵雙極晶體管在線選擇工具

  • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新的絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 在線選擇工具。該工具可有效優(yōu)化多種應(yīng)用設(shè)計，包括馬達驅(qū)動、不間斷電源系統(tǒng) (UPS)、太陽能逆變器和焊接。 　　IR全新的IGBT在線選擇工具能評估總線電壓、開關(guān)頻率和短路保護要求等應(yīng)用條件。新在線工具位于mypower.irf.com/IGBT，不但可以提供預(yù)估損耗，還可以建議一些能夠在給定限制條件內(nèi)運行的器件。該工具還為每個零件提供了定價，使設(shè)計人員能夠考慮有關(guān)器件的選擇對系統(tǒng)
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IR 推出絕緣柵雙極晶體管在線選擇工具優(yōu)化電源管理設(shè)計

  • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新的絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 在線選擇工具。該工具可有效優(yōu)化多種應(yīng)用設(shè)計，包括馬達驅(qū)動、不間斷電源系統(tǒng) (UPS)、太陽能逆變器和焊接。 　　IR全新的IGBT在線選擇工具能評估總線電壓、開關(guān)頻率和短路保護要求等應(yīng)用條件。新在線工具位于mypower.irf.com/IGBT，不但可以提供預(yù)估損耗，還可以建議一些能夠在給定限制條件內(nèi)運行的器件。該工具還為每個零件提供了定價，使設(shè)計人員能夠考慮有關(guān)器件的選擇對系統(tǒng)
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士蘭微擬1.35億元組建功率模塊生產(chǎn)線項目

  • 　　士蘭微擬同意在子公司士蘭集成內(nèi)組建多芯片高壓功率模塊制造生產(chǎn)線，計劃從2010年起在未來的2--3年內(nèi)安排投資13,500萬元，其中2010年投資2,500萬元。 　　士蘭微7月29日發(fā)布公告稱，公司第四屆董事會第九次會議審議通過《關(guān)于控股子公司組建功率模塊生產(chǎn)線項目的議案》。 　　多芯片高壓功率模塊組件因其具有較高的功率密度和可靠性、較高的集成度、安裝使用便捷等優(yōu)點，而越來越受到市場的關(guān)注，應(yīng)用的領(lǐng)域也越來越廣。目前采用芯片設(shè)計與制造一體化運行的士蘭微電子，通過芯片設(shè)計、器件結(jié)構(gòu)開發(fā)、工藝開發(fā)等
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Infineon EconoDUAL3 600A1200V汽車驅(qū)動方案

  • Infineon 公司的EconoDUAL 3模塊是600A/1200V的IGBT,主要的典型應(yīng)用包括自動驅(qū)動系統(tǒng)的頻率變換器,光伏電壓系統(tǒng)的中央逆變器,汽車柴油發(fā)動機驅(qū)動器(CAV),同等封裝尺寸,可增加功率30%.本文介紹EconoDUAL 3模塊主要特性,典型應(yīng)用電路以及EconoDUAL?3模塊驅(qū)動板主要特性,評估板電路,以及IGBT各種驅(qū)動電路和驅(qū)動板材料清單(BOM). The new EconoDUAL 3 module with the designation FF600
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力挺新能源應(yīng)用 中國IGBT企業(yè)可另辟蹊徑

  • 　　【 導讀：在新能源領(lǐng)域的大多數(shù)功率變換裝置中，IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是最為重要的器件，與歐洲、日本和美國相比，中國在該領(lǐng)域還相對落后，盡管國內(nèi)也有一些企業(yè)和科研機構(gòu)在進行研發(fā)，但產(chǎn)業(yè)化進程緩慢，技術(shù)上也落后于國外?！? 　　今年6月，功率半導體業(yè)界的盛會“PCIMChina2010”在上海光大會展中心舉行，國內(nèi)外知名功率半導體廠商向與會觀眾展示了各自推出的新產(chǎn)品和眾多高能效解決方案。記者觀察到，功率半導體在新能源領(lǐng)域的應(yīng)用成為本屆展會的熱點，而中國功率器件產(chǎn)業(yè)的未來發(fā)展
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IGBT助變頻器實現(xiàn)高效能低損耗

  • 　　·隨著IGBT升級換代，變頻器性能不斷提高，體積不斷減小。 　　·三菱電機在功率半導體領(lǐng)域的一個很大的優(yōu)勢就是貼近系統(tǒng)用戶。 　　日本從上世紀80年代開始使用工業(yè)用的變頻器，還有家庭用的變頻空調(diào)，在市場上變頻技術(shù)得到了很快的發(fā)展。最初變頻器都用晶閘管，但是后來出現(xiàn)了用在變頻器上的IGBT。通過使用IGBT，功率損耗大幅降低。同時，經(jīng)過25年的發(fā)展，出現(xiàn)了各種各樣的研究開發(fā)成果，目前三菱電機的IGBT芯片已經(jīng)發(fā)展到第6代?？梢耘e一個直觀的例子來說明IGBT的發(fā)展水平：如果
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基于矩陣變換器IGBT的集中式過流保護電路設(shè)計

  • 摘要：分別針對矩陣變換器的整流級和逆變級IGBT的過流現(xiàn)象進行了討論，提出了一種新的集中式過流保護電路的設(shè)計方式。該方式可確保IGBT在短路情況下及時被關(guān)斷，從而安全穩(wěn)定地運行。試驗結(jié)果表明：新的集中式過流保
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功率半導體行業(yè)的春天

  • 　　功率半導體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟復蘇勢頭增強，iSuppli公司預(yù)測2010年半導體市場營業(yè)收入為2833億美元，增長率達到23.2%. 　　MOSFET市場前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元，MOSFET的銷售額占全部功率半導體的比重大約為20%,MOSFET主要應(yīng)用于消費電子、計算機、工業(yè)控制、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子和電力設(shè)備六大領(lǐng)域。 　　IGBT:節(jié)能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷售額大約為31.36億美元，IGBT的銷售額占全部功率半
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新型IGBT軟開關(guān)在應(yīng)用中的損耗

  • 本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導型IGBT所取得的重大技術(shù)進步。IGBT技術(shù)進步主要體現(xiàn)在兩個方面：通過采用和改進溝槽柵來優(yōu)化垂直方向載流子濃度，以及利用“場終
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功率半導體下游需求旺盛 前景看好

  • 　　功率半導體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟復蘇勢頭增強，iSuppli公司預(yù)測2010年半導體市場營業(yè)收入為 2833億美元，增長率達到23.2%。 　　MOSFET市場前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元，MOSFET的銷售額占全部功率半導體的比重大約為20%，MOSFET主要應(yīng)用于消費電子、計算機、工業(yè)控制、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子和電力設(shè)備六大領(lǐng)域。 　　IGBT:節(jié)能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷售額大約為31.36億美元，IGBT的銷售額占全部功率
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  IGBT  
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