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IR 推出絕緣柵雙極晶體管在線(xiàn)選擇工具優(yōu)化電源管理設(shè)計(jì)
- 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出全新的絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 在線(xiàn)選擇工具。該工具可有效優(yōu)化多種應(yīng)用設(shè)計(jì),包括馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、不間斷電源系統(tǒng) (UPS)、太陽(yáng)能逆變器和焊接。 IR全新的IGBT在線(xiàn)選擇工具能評(píng)估總線(xiàn)電壓、開(kāi)關(guān)頻率和短路保護(hù)要求等應(yīng)用條件。新在線(xiàn)工具位于mypower.irf.com/IGBT,不但可以提供預(yù)估損耗,還可以建議一些能夠在給定限制條件內(nèi)運(yùn)行的器件。該工具還為每個(gè)零件提供了定價(jià),使設(shè)計(jì)人員能夠考慮有關(guān)器件的選擇對(duì)系統(tǒng)
- 關(guān)鍵字: IR IGBT
士蘭微擬1.35億元組建功率模塊生產(chǎn)線(xiàn)項(xiàng)目
- 士蘭微擬同意在子公司士蘭集成內(nèi)組建多芯片高壓功率模塊制造生產(chǎn)線(xiàn),計(jì)劃從2010年起在未來(lái)的2--3年內(nèi)安排投資13,500萬(wàn)元,其中2010年投資2,500萬(wàn)元。 士蘭微7月29日發(fā)布公告稱(chēng),公司第四屆董事會(huì)第九次會(huì)議審議通過(guò)《關(guān)于控股子公司組建功率模塊生產(chǎn)線(xiàn)項(xiàng)目的議案》。 多芯片高壓功率模塊組件因其具有較高的功率密度和可靠性、較高的集成度、安裝使用便捷等優(yōu)點(diǎn),而越來(lái)越受到市場(chǎng)的關(guān)注,應(yīng)用的領(lǐng)域也越來(lái)越廣。目前采用芯片設(shè)計(jì)與制造一體化運(yùn)行的士蘭微電子,通過(guò)芯片設(shè)計(jì)、器件結(jié)構(gòu)開(kāi)發(fā)、工藝開(kāi)發(fā)等
- 關(guān)鍵字: 士蘭微 IGBT 芯片設(shè)計(jì)
Infineon EconoDUAL3 600A1200V汽車(chē)驅(qū)動(dòng)方案
- Infineon 公司的EconoDUAL 3模塊是600A/1200V的IGBT,主要的典型應(yīng)用包括自動(dòng)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的頻率變換器,光伏電壓系統(tǒng)的中央逆變器,汽車(chē)柴油發(fā)動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器(CAV),同等封裝尺寸,可增加功率30%.本文介紹EconoDUAL 3模塊主要特性,典型應(yīng)用電路以及EconoDUAL?3模塊驅(qū)動(dòng)板主要特性,評(píng)估板電路,以及IGBT各種驅(qū)動(dòng)電路和驅(qū)動(dòng)板材料清單(BOM). The new EconoDUAL 3 module with the designation FF600
- 關(guān)鍵字: Infineon EconoDUAL3 汽車(chē)驅(qū)動(dòng) IGBT
力挺新能源應(yīng)用 中國(guó)IGBT企業(yè)可另辟蹊徑
- 【 導(dǎo)讀:在新能源領(lǐng)域的大多數(shù)功率變換裝置中,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是最為重要的器件,與歐洲、日本和美國(guó)相比,中國(guó)在該領(lǐng)域還相對(duì)落后,盡管?chē)?guó)內(nèi)也有一些企業(yè)和科研機(jī)構(gòu)在進(jìn)行研發(fā),但產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程緩慢,技術(shù)上也落后于國(guó)外?!? 今年6月,功率半導(dǎo)體業(yè)界的盛會(huì)“PCIMChina2010”在上海光大會(huì)展中心舉行,國(guó)內(nèi)外知名功率半導(dǎo)體廠商向與會(huì)觀眾展示了各自推出的新產(chǎn)品和眾多高能效解決方案。記者觀察到,功率半導(dǎo)體在新能源領(lǐng)域的應(yīng)用成為本屆展會(huì)的熱點(diǎn),而中國(guó)功率器件產(chǎn)業(yè)的未來(lái)發(fā)展
- 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體 IGBT
IGBT助變頻器實(shí)現(xiàn)高效能低損耗
- ·隨著IGBT升級(jí)換代,變頻器性能不斷提高,體積不斷減小。 ·三菱電機(jī)在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的一個(gè)很大的優(yōu)勢(shì)就是貼近系統(tǒng)用戶(hù)。 日本從上世紀(jì)80年代開(kāi)始使用工業(yè)用的變頻器,還有家庭用的變頻空調(diào),在市場(chǎng)上變頻技術(shù)得到了很快的發(fā)展。最初變頻器都用晶閘管,但是后來(lái)出現(xiàn)了用在變頻器上的IGBT。通過(guò)使用IGBT,功率損耗大幅降低。同時(shí),經(jīng)過(guò)25年的發(fā)展,出現(xiàn)了各種各樣的研究開(kāi)發(fā)成果,目前三菱電機(jī)的IGBT芯片已經(jīng)發(fā)展到第6代??梢耘e一個(gè)直觀的例子來(lái)說(shuō)明IGBT的發(fā)展水平:如果
- 關(guān)鍵字: IGBT 變頻器
功率半導(dǎo)體行業(yè)的春天
- 功率半導(dǎo)體下游需求旺盛,發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇勢(shì)頭增強(qiáng),iSuppli公司預(yù)測(cè)2010年半導(dǎo)體市場(chǎng)營(yíng)業(yè)收入為2833億美元,增長(zhǎng)率達(dá)到23.2%. MOSFET市場(chǎng)前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷(xiāo)售額大約為52.89億美元,MOSFET的銷(xiāo)售額占全部功率半導(dǎo)體的比重大約為20%,MOSFET主要應(yīng)用于消費(fèi)電子、計(jì)算機(jī)、工業(yè)控制、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車(chē)電子和電力設(shè)備六大領(lǐng)域。 IGBT:節(jié)能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷(xiāo)售額大約為31.36億美元,IGBT的銷(xiāo)售額占全部功率半
- 關(guān)鍵字: MOSFET IGBT 功率半導(dǎo)體
新型IGBT軟開(kāi)關(guān)在應(yīng)用中的損耗
- 本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT,并將探討面向軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所取得的重大技術(shù)進(jìn)步。IGBT技術(shù)進(jìn)步主要體現(xiàn)在兩個(gè)方面:通過(guò)采用和改進(jìn)溝槽柵來(lái)優(yōu)化垂直方向載流子濃度,以及利用“場(chǎng)終
- 關(guān)鍵字: IGBT 軟開(kāi)關(guān) 損耗
功率半導(dǎo)體下游需求旺盛 前景看好
- 功率半導(dǎo)體下游需求旺盛,發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇勢(shì)頭增強(qiáng),iSuppli公司預(yù)測(cè)2010年半導(dǎo)體市場(chǎng)營(yíng)業(yè)收入為 2833億美元,增長(zhǎng)率達(dá)到23.2%。 MOSFET市場(chǎng)前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷(xiāo)售額大約為52.89億美元,MOSFET的銷(xiāo)售額占全部功率半導(dǎo)體的比重大約為20%,MOSFET主要應(yīng)用于消費(fèi)電子、計(jì)算機(jī)、工業(yè)控制、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車(chē)電子和電力設(shè)備六大領(lǐng)域。 IGBT:節(jié)能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷(xiāo)售額大約為31.36億美元,IGBT的銷(xiāo)售額占全部功率
- 關(guān)鍵字: MOSFET IGBT
中國(guó)南車(chē)成立海外半導(dǎo)體研發(fā)中心
- 近日,中國(guó)南車(chē)在英國(guó)林肯丹尼克斯公司成立了半導(dǎo)體研發(fā)中心,并舉行了丹尼克斯第一期六英寸IGBT芯片線(xiàn)開(kāi)通儀式,為實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件世界第一的戰(zhàn)略目標(biāo)奠定了更加堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。 中國(guó)南車(chē)2008年10月成功收購(gòu)了丹尼克斯半導(dǎo)體公司,獲得了戰(zhàn)略性資源,與中國(guó)南車(chē)現(xiàn)有功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)形成優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)。為尋求更大發(fā)展,南車(chē)確立了功率半導(dǎo)體器件世界第一的戰(zhàn)略目標(biāo),于2009年底成功完成丹尼克斯公司的再融資,進(jìn)一步加大對(duì)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的投資,著力提升六英寸IGBT芯片的生產(chǎn)能力;同時(shí)建立世界水平的功率半導(dǎo)體研發(fā)中心,
- 關(guān)鍵字: 軌道交通 IGBT
汽車(chē)級(jí)IGBT在混合動(dòng)力車(chē)中的設(shè)計(jì)應(yīng)用
- 針對(duì)汽車(chē)功率模塊需求,英飛凌通過(guò)增強(qiáng)IGBT的功率循環(huán)和溫度循環(huán)特性,并增加IGBT結(jié)構(gòu)強(qiáng)度,大大提高了IGBT的壽命預(yù)期。
混合動(dòng)力車(chē)輛中功率半導(dǎo)體模塊的要求
工作環(huán)境惡劣(高溫、振動(dòng))
IGBT位于逆 - 關(guān)鍵字: IGBT 汽車(chē)級(jí) 混合動(dòng)力車(chē) 中的設(shè)計(jì)
英飛凌推出第三代高速600V和1200V IGBT打破開(kāi)關(guān)和效率界限
- 英飛凌科技股份公司近日推出600 V和1200V高速3(第三代)IGBT產(chǎn)品系列。該系列經(jīng)過(guò)優(yōu)化,適用于高頻和硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用,在降低開(kāi)關(guān)損耗、實(shí)現(xiàn)出類(lèi)拔萃的效率方面,樹(shù)立了行業(yè)新標(biāo)桿,并可滿(mǎn)足開(kāi)關(guān)頻率高達(dá)100 kHz的應(yīng)用需求。 近年來(lái),各種產(chǎn)品對(duì)分立式IGBT的需求促使設(shè)計(jì)者尋求具備優(yōu)化特性的IGBT,比如開(kāi)關(guān)和通態(tài)損耗優(yōu)化,以期充分發(fā)揮產(chǎn)品的性能。英飛凌的全新600 V 和1200 V高速3系列IGBT可適用于電焊機(jī)、太陽(yáng)能逆變器、開(kāi)關(guān)電源和不間斷電源(SMPS 和UPS)等高頻應(yīng)用,幫助最大
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 IGBT UPS
英飛凌推出新款緊湊式IGBT模塊PrimePACK 3和EconoDUAL 3
- 英飛凌科技股份公司近日在紐倫堡舉行的2010 PCIM歐洲展會(huì)(2010年5月4日至6日)上,推出了專(zhuān)為實(shí)現(xiàn)最高功率密度和可靠性而設(shè)計(jì)的新款I(lǐng)GBT模塊:采用PrimePACK 3封裝、電壓為1700 V、電流為1400 A的PrimePACK模塊,和EconoDUAL系列的最新旗艦產(chǎn)品、電壓為1200V、電流為600 A的EconoDUAL 3。 英飛凌公司副總裁兼工業(yè)電源部總經(jīng)理Martin Hierholzer指出:“通過(guò)推出這兩款新產(chǎn)品,英飛凌再次鞏固了其在提供具備最高功率密
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 IGBT PrimePACK
英飛凌攜手三菱電機(jī)服務(wù)全球功率電子行業(yè)
- 英飛凌科技股份公司與三菱電機(jī)公司同意簽署一份服務(wù)協(xié)議,針對(duì)全球工業(yè)運(yùn)動(dòng)控制與驅(qū)動(dòng)市場(chǎng),提供采用SmartPACK和SmartPIM封裝的先進(jìn)的IGBT模塊。利用英飛凌新近開(kāi)發(fā)的這種革命性封裝概念,兩大領(lǐng)導(dǎo)廠商將會(huì)采用最新功率芯片推出新一代模塊產(chǎn)品。 根據(jù)協(xié)議規(guī)定,三菱電機(jī)將新一代功率芯片,應(yīng)用與英飛凌Smart1、Smart2和Smart3封裝中,推出的具備不同額定電流和電壓(電流范圍:15A 至150A,電壓等級(jí):600V和1200V)的產(chǎn)品。作為SmartPACK/PIM全新模塊概念的創(chuàng)造者
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 IGBT
英飛凌全新.XT技術(shù)大幅延長(zhǎng)IGBT模塊使用壽命,
- 英飛凌科技股份公司在紐倫堡舉行的2010 PCIM歐洲展會(huì)(2010年5月4日至6日)上,推出創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術(shù)。該技術(shù)可大幅延長(zhǎng)IGBT模塊的使用壽命。全新的.XT技術(shù)可優(yōu)化IGBT模塊內(nèi)部所有連接的使用壽命。依靠這些全新的封裝技術(shù),英飛凌可滿(mǎn)足具備更高功率循環(huán)的新興應(yīng)用的需求,并為提高功率密度和實(shí)現(xiàn)更高工作結(jié)溫鋪平道路。 英飛凌副總裁兼工業(yè)電源部總經(jīng)理Martin Hierholzer指出:“通過(guò)推出全新的.XT技術(shù),英飛凌再次鞏固了自己在IGBT模塊設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域的技術(shù)
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 IGBT 封裝
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