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英飛凌和飛兆半導(dǎo)體達成侵權(quán)訴訟和解協(xié)議
- 英飛凌科技股份公司今天宣布,公司與飛兆半導(dǎo)體公司之間的專利侵權(quán)訴訟已達成和解。2008年11月,英飛凌向美國特拉華州地方法院提起訴訟。本訴和反訴標的包括與超結(jié)功率晶體管以及溝槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶體管有關(guān)的14項專利。 通過廣泛的半導(dǎo)體技術(shù)專利交叉許可,雙方就上述訴訟達成和解。根據(jù)和解協(xié)議,飛兆半導(dǎo)體將向英飛凌支付許可費,但協(xié)議的具體條款和條件保密。 英飛凌和飛兆半導(dǎo)體將通知美國特拉華州地方法院,雙方已經(jīng)達成和解,并將申請撤訴。 作為半導(dǎo)體行業(yè)的全球領(lǐng)袖,英飛凌目前正
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IGBT核心技術(shù)及人才缺失 工藝技術(shù)缺乏
- 新型電力半導(dǎo)體器件的代表,IGBT的產(chǎn)業(yè)化在我國還屬空白。無論技術(shù)、設(shè)備還是人才,我國都處于全方位的落后狀態(tài)。應(yīng)當(dāng)認識到,電力半導(dǎo)體器件和集成電路在國民經(jīng)濟發(fā)展中地位同樣重要,因此,政府應(yīng)該對IGBT產(chǎn)業(yè)予以大力扶持。 眾所周知,電力電子技術(shù)可以提高用電效率,改善用電質(zhì)量,是節(jié)省能源的王牌技術(shù)。當(dāng)今以絕緣柵雙極晶體管(IGBT)為代表的新型電力半導(dǎo)體器件是高頻電力電子線路和控制系統(tǒng)的核心開關(guān)元器件,它的性能參數(shù)將直接決定著電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。IGBT已成為新型電力半導(dǎo)體器件的代表性器件,
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功率半導(dǎo)體充當(dāng)節(jié)能先鋒 中國企業(yè)加快步伐
- 過去,人們常把集成電路比作電子系統(tǒng)的大腦,而把功率半導(dǎo)體器件比作四肢,因為集成電路的作用是接受和處理信息,而功率器件則根據(jù)這些信息指令產(chǎn)生控制功率,去驅(qū)動相關(guān)電機進行所需的工作。如今,新型功率半導(dǎo)體器件如MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)及功率集成電路應(yīng)用逐漸普及,其為信息系統(tǒng)提供電源的功能也越來越引人注目。功率半導(dǎo)體器件在電子系統(tǒng)中的地位已不僅限于“四肢”,而是為整個系統(tǒng)“供血”的“心臟&rdq
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晶閘管及IGBT在靜止變頻技術(shù)中的應(yīng)用
- 關(guān)鍵字: 靜止變頻技術(shù) 功率器件 晶閘管 IGBT
中國南車建成大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地
- 9月8日,隨著第一批高壓大功率晶閘管正式投片,國內(nèi)最大的大功率半導(dǎo)體器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地在中國南車正式投產(chǎn)。 為滿足國民經(jīng)濟發(fā)展的急切需求,打破國外公司的市場壟斷,推動大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上水平、上規(guī)模,中國南車旗下的株洲南車時代電氣股份有限公司(南車時代電氣)依托公司良好的技術(shù)基礎(chǔ),總投資近3.5億元,于2006年年底啟動大功率半導(dǎo)體器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地的建設(shè),歷經(jīng)22個月后實現(xiàn)正式投產(chǎn)。 位于湖南株洲的生產(chǎn)基地總面積超2萬平方米,部分凈化級別達到了100級,由于產(chǎn)品對生產(chǎn)環(huán)境的要求極其苛刻
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體器件 IGBT 二極管
中國最大大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地在湖南株洲投產(chǎn)
- 中國最大的大尺寸功率半導(dǎo)體器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地近日在湖南株洲正式投產(chǎn)。長期以來,高端半導(dǎo)體器件技術(shù)和市場一直被國外壟斷,該基地的投產(chǎn)運行將加速推動國產(chǎn)化大功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)化進程。 大尺寸功率半導(dǎo)體器件(晶閘管、IGBT、IGCT均屬于大尺寸功率半導(dǎo)體器件)是變流器的關(guān)鍵元件,被譽為電力電子產(chǎn)品的“CPU”,廣泛用于軌道交通、電力(高壓直流輸電、風(fēng)力發(fā)電)、化工、冶煉等領(lǐng)域。長期以來,國內(nèi)高端半導(dǎo)體器件技術(shù)和產(chǎn)品主要依靠進口,價格昂貴,嚴重制約民族工業(yè)的快速發(fā)展。
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 晶閘管 IGBT
TMS32OF2812與DIP-IPM的通用電路設(shè)計
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字: TMS32OF2812 DSP DIP-IPM 通用電路
基于雙IGBT的斬波式串級調(diào)速系統(tǒng)的研究
- 從普通串級調(diào)速原理入手,簡要分析影響串級調(diào)速系統(tǒng)功率因數(shù)的主要因素。對三相四線雙晶閘管串級調(diào)速、新型GTO串級調(diào)速等高功率方案分析與比較的基礎(chǔ)上,提出了一種新型三相四線制雙IGBT串級調(diào)速控制方案。
- 關(guān)鍵字: IGBT 斬波 串級調(diào)速 系統(tǒng)
英飛凌再度稱雄功率電子市場
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- 英飛凌科技股份公司在功率電子半導(dǎo)體分立器件和模塊領(lǐng)域連續(xù)第六年穩(wěn)居全球第一的寶座。據(jù)IMS Research公司2009年發(fā)布的《功率半導(dǎo)體分立器件和模塊全球市場》報告稱,2008年,此類器件的全球市場增長了1.5%,增至139.6億美元(2007年為137.6億美元),而英飛凌的增長率高達7.8%。現(xiàn)在,英飛凌在該市場上占據(jù)了10.2%的份額,其最接近的競爭對手份額為6.8%。在歐洲、中東和非洲地區(qū)以及美洲,英飛凌也繼續(xù)獨占鰲頭,分別占據(jù)了22.8%和11.2%的市場份額。 隨著汽車、消費和工
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 IGBT MOSFET
TMS320F2812與DIP-IPM的通用電路設(shè)計
- 關(guān)鍵字: DSP DIP-IPM SPWM 變頻調(diào)速
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