igbt-ipm 文章進(jìn)入igbt-ipm技術(shù)社區(qū)

關(guān)于IGBT導(dǎo)通延遲時(shí)間的精確測量方法

IGBT以其輸入阻抗高，開關(guān)速度快，通態(tài)壓降低等特性已成為當(dāng)今功率半導(dǎo)體器件的主流器件，但在它的使用過程中，精確測量導(dǎo)通延遲時(shí)間，目前還存在不少困難。在介紹時(shí)間測量芯片TDC-GP2的主要功能和特性的基礎(chǔ)上，利用其優(yōu)良的特性，設(shè)計(jì)一套高精度的IGBT導(dǎo)通延遲時(shí)間的測量系統(tǒng)，所測時(shí)間間隔通過液晶顯示器直接讀取，是一套較為理想的測量方案。
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IR 推出采用焊前金屬的汽車級絕緣柵雙極晶體管

　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7CH80K6B-M，適用于電動(dòng)汽車 (EV) 、混合電動(dòng)汽車 (HEV) 和中功率驅(qū)動(dòng)器中的高電流、高電壓汽車逆變器模塊。　　AUIRG7CH80K6B-M 采用了 IR 的最新一代場截止溝槽技術(shù)，大幅度降低了傳導(dǎo)和開關(guān)損耗。此外，這款新器件的焊前金屬可實(shí)現(xiàn)雙面冷卻，提高了散熱性能，
關(guān)鍵字： IR IGBT 逆變器

晶閘管及IGBT在靜止變頻技術(shù)中的應(yīng)用

關(guān)鍵字：靜止變頻技術(shù) 功率器件晶閘管 IGBT

中國南車建成大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地

　　9月8日，隨著第一批高壓大功率晶閘管正式投片，國內(nèi)最大的大功率半導(dǎo)體器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地在中國南車正式投產(chǎn)。　　為滿足國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展的急切需求，打破國外公司的市場壟斷，推動(dòng)大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上水平、上規(guī)模，中國南車旗下的株洲南車時(shí)代電氣股份有限公司(南車時(shí)代電氣)依托公司良好的技術(shù)基礎(chǔ)，總投資近3.5億元，于2006年年底啟動(dòng)大功率半導(dǎo)體器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地的建設(shè)，歷經(jīng)22個(gè)月后實(shí)現(xiàn)正式投產(chǎn)。　　位于湖南株洲的生產(chǎn)基地總面積超2萬平方米，部分凈化級別達(dá)到了100級，由于產(chǎn)品對生產(chǎn)環(huán)境的要求極其苛刻
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體器件 IGBT 二極管

中國最大大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地在湖南株洲投產(chǎn)

　　中國最大的大尺寸功率半導(dǎo)體器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地近日在湖南株洲正式投產(chǎn)。長期以來，高端半導(dǎo)體器件技術(shù)和市場一直被國外壟斷，該基地的投產(chǎn)運(yùn)行將加速推動(dòng)國產(chǎn)化大功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。　　大尺寸功率半導(dǎo)體器件(晶閘管、IGBT、IGCT均屬于大尺寸功率半導(dǎo)體器件)是變流器的關(guān)鍵元件，被譽(yù)為電力電子產(chǎn)品的“CPU”，廣泛用于軌道交通、電力(高壓直流輸電、風(fēng)力發(fā)電)、化工、冶煉等領(lǐng)域。長期以來，國內(nèi)高端半導(dǎo)體器件技術(shù)和產(chǎn)品主要依靠進(jìn)口，價(jià)格昂貴，嚴(yán)重制約民族工業(yè)的快速發(fā)展。　　
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TMS32OF2812與DIP-IPM的通用電路設(shè)計(jì)

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： TMS32OF2812 DSP DIP-IPM 通用電路

基于雙IGBT的斬波式串級調(diào)速系統(tǒng)的研究

從普通串級調(diào)速原理入手，簡要分析影響串級調(diào)速系統(tǒng)功率因數(shù)的主要因素。對三相四線雙晶閘管串級調(diào)速、新型GTO串級調(diào)速等高功率方案分析與比較的基礎(chǔ)上，提出了一種新型三相四線制雙IGBT串級調(diào)速控制方案。
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英飛凌再度稱雄功率電子市場

　　英飛凌科技股份公司在功率電子半導(dǎo)體分立器件和模塊領(lǐng)域連續(xù)第六年穩(wěn)居全球第一的寶座。據(jù)IMS Research公司2009年發(fā)布的《功率半導(dǎo)體分立器件和模塊全球市場》報(bào)告稱，2008年，此類器件的全球市場增長了1.5%，增至139.6億美元(2007年為137.6億美元)，而英飛凌的增長率高達(dá)7.8%?，F(xiàn)在，英飛凌在該市場上占據(jù)了10.2%的份額，其最接近的競爭對手份額為6.8%。在歐洲、中東和非洲地區(qū)以及美洲，英飛凌也繼續(xù)獨(dú)占鰲頭，分別占據(jù)了22.8%和11.2%的市場份額。　　隨著汽車、消費(fèi)和工
關(guān)鍵字：英飛凌 IGBT MOSFET

TMS320F2812與DIP-IPM的通用電路設(shè)計(jì)

關(guān)鍵字： DSP DIP-IPM SPWM 變頻調(diào)速

TMS 32OF2812與DIP-IPM的通用電路設(shè)計(jì)

結(jié)合三相電機(jī)的調(diào)速控制原理，對高速數(shù)字信號處理器(DSP)TMS320F2812和三菱智能功率模塊DIP-IPM進(jìn)行了詳細(xì)的介紹，提出了完整的的通用變頻電路設(shè)計(jì)方案。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該方法控制精度高，工作穩(wěn)定，能夠?qū)崿F(xiàn)多種類型變頻調(diào)速。
關(guān)鍵字： DIP-IPM 2812 TMS 32

IGBT在客車DC600V系統(tǒng)逆變器中的應(yīng)用與保護(hù)

關(guān)鍵字：絕緣柵雙極管(IGBT) 鐵路客車 DC 600 V 供電系統(tǒng) 應(yīng)用保護(hù)

本土資本與高新產(chǎn)業(yè)完美結(jié)合 “鳳凰模式”借讀

　　經(jīng)濟(jì)領(lǐng)域有兩大活躍因子：技術(shù)與資本。走進(jìn)鳳凰半導(dǎo)體科技有限公司，你可以感受到這兩大活躍因子結(jié)合后迸發(fā)出的強(qiáng)勁效應(yīng)。這家注冊于2008年7月的“530”企業(yè)，一期工廠已開始安裝設(shè)備。今年9月正式投產(chǎn)后,其生產(chǎn)的可提高能源使用效率的IGBT系列芯片將填補(bǔ)國內(nèi)空白，告別同類產(chǎn)品依賴進(jìn)口的局面。　　剛滿“周歲”的鳳凰半導(dǎo)體就將進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段,其速度令人驚奇，但在總經(jīng)理屈志軍看來,這一局面的形成并不意外。原因有二：一是所率留美博士團(tuán)隊(duì)擁有國際一流技術(shù);二是擁有
關(guān)鍵字：變頻開關(guān) IGBT

IGBT在客車DC 600 V系統(tǒng)逆變器中的應(yīng)用與保護(hù)

IGBT綜述
1．1 IGBT的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合大功率雙極型晶體管GTR與MOSFET場效應(yīng)管的優(yōu)點(diǎn)而發(fā)展的一種新型復(fù)合電子器
關(guān)鍵字： IGBT 600 系統(tǒng) 逆變器

基于EXB841的IGBT驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路研究

引言多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件，它既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開關(guān)特性，又具有雙極型晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的特
關(guān)鍵字：電路研究保護(hù) 驅(qū)動(dòng) EXB841 IGBT 基于電源

新IGBT技術(shù)提高應(yīng)用性能

在日益增長的變頻器市場，許多廠商提供性能和尺寸各異的變換器類型。這正是以低損耗和高開關(guān)頻率而著稱的新IGBT技術(shù)施展的舞臺。在62毫米（當(dāng)前模塊的標(biāo)準(zhǔn)尺寸）模塊中使用新IGBT技術(shù)使用戶可以因不必改變其機(jī)械
關(guān)鍵字： IGBT 性能