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IR 推出IRF6718 DirectFET MOSFET

  • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IRF6718 DirectFET MOSFET。這款新型25V器件提供業(yè)界最低的通態(tài)電阻 (RDS(on))，并且使動態(tài)ORing、熱插拔及電子保險絲等DC開關應用達到最佳效果。 　　IRF6718在新款大罐式DirectFET封裝中融入了IR新一代硅技術，提供極低的通態(tài)電阻(在10V Vgs時典型為0.5mΩ)，同時比D2PAK的占位面積縮小60%，高度縮小85%。新器件大幅減少了有關旁路元件的傳導
  • 關鍵字： IR  MOSFET  DirectFET  

飛兆半導體推出一款單一P溝道MOSFET器件

  • 　　飛兆半導體公司 (Farichild Semiconductor)為智能電話、手機、上網(wǎng)本、醫(yī)療和其它便攜式應用的設計人員帶來一款單一P溝道MOSFET器件FDZ197PZ，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率水平和更小的外形尺寸。FDZ197PZ在VGS= 4.5V時提供64mOhm之RDS(ON) 值，較同類解決方案低15%，且占位面積僅為1mm x 1.5 mm，在提高效率之余，同時減少了電路板空間需求。該器件采用WL-CSP封裝，比占位面積相似的傳統(tǒng)塑料封裝MOSFET具有更佳功耗和傳導損耗特性。FDZ197P
  • 關鍵字： Farichild  MOSFET  FDZ197PZ  ESD  

ST公布今年第二季度及上半年財報

  • 　　意法半導體(紐約證券交易所代碼：STM)公布截至2009年6月27日的第二季度及上半年的財務報告。 　　意法半導體2009年第2季度收入總計19.93億美元，包含被ST-Ericsson合并的前愛立信移動平臺的全部業(yè)務，和1800萬美元的技術授權費。凈收入環(huán)比增幅20%，反映了意法半導體所在的所有市場以及全部地區(qū)的需求回暖，特別是中國和亞太地區(qū)的需求增長強勁。因為商業(yè)大環(huán)境的原因，在所有市場以及各地區(qū)第2季度的凈收入低于去年同期水平，但電信市場和亞太地區(qū)的表現(xiàn)則例外。 　　總裁兼首席執(zhí)行官 Car
  • 關鍵字： ST  MOSFET  MEMS  GPS  無線寬帶  

半導體C-V測量基礎

  • 　　通用測試 　　電容-電壓(C-V)測試廣泛用于測量半導體參數(shù)，尤其是MOSCAP和MOSFET結(jié)構(gòu)。此外，利用C-V測量還可以對其他類型的半導體器件和工藝進行特征分析，包括雙極結(jié)型晶體管(BJT)、JFET、III-V族化合物器件、光伏電池、MEMS器件、有機TFT顯示器、光電二極管、碳納米管(CNT)和多種其他半導體器件。 　　這類測量的基本特征非常適用于各種應用和培訓。大學的研究實驗室和半導體廠商利用這類測量評測新材料、新工藝、新器件和新電路。C-V測量對于產(chǎn)品和良率增強工程師也是極其重要的，
  • 關鍵字： 吉時利  C-V測試  半導體  MOSFET  MOSCAP  

Linear 推出同步降壓型 DC/DC 控制器

  • 　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出低靜態(tài)電流、兩相雙路輸出同步降壓型 DC/DC 控制器 LTC3858/-1。該器件在一個輸出有效時僅消耗 170uA 電流，而兩個輸出都有效時消耗 300uA。兩個輸出都關斷時，LTC3858/-1 僅消耗 8uA，非常適用于汽車和筆記本電腦應用。LTC3858/-1 的 4V 至 38V 寬輸入電源范圍能夠針對負載突降和冷車發(fā)動情況所常見的汽車寬輸入電壓瞬變提供保護作用，并涵蓋多種電池化學組成。輸出電流高達 20A
  • 關鍵字： Linear  MOSFET  控制器  

NXP推出N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品

  • 　　恩智浦半導體(NXP Semiconductors，由飛利浦創(chuàng)立的獨立半導體公司)今日宣布推出全球首款N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品，型號為PSMN1R2-25YL，它擁有最低的導通電阻RDSon以及一流的FOM 參數(shù)。該產(chǎn)品是迄今為止采用Power-SO8封裝(無損耗封裝：LFPAK)中擁有最低導通電阻RDSon的MOSFET，也是恩智浦現(xiàn)有MOSFET系列的延伸。最新一代MOSFET器件集高性能Power-S08 LFPAK封裝與最新Trench 6硅技術于一體，可在各種嚴苛應用條件下
  • 關鍵字： NXP  MOSFET  PSMN1R2-25YL  Power-SO8  

Fairchild推出雙MOSFET解決方案FDMC8200

  • 　　飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設計人員帶來業(yè)界領先的雙MOSFET解決方案FDMC8200，可為筆記本電腦、上網(wǎng)本、服務器、電信和其它 DC-DC 設計提供更高的效率和功率密度。該器件在3mm x 3mm MLP模塊中集成了經(jīng)優(yōu)化的控制 (高側(cè)) 和同步 (低側(cè)) 30V N溝道MOSFET，二者均使用的專用先進高性能PowerTrench® 7 MOSFET技術，提供出色的低RDS(ON)、總體柵極電荷(QG)和米勒電荷 (QGD)，這些性能最大限度地
  • 關鍵字： Fairchild  MOSFET  PowerTrench  FDMC8200  

Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件

  • 　　Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件，它采用SO8封裝，包含一對互補100V增強式MOSFET，性能可媲美體積更大的獨立封裝器件。ZXMC10A816適用于H橋電路，應用范圍包括直流風扇和逆變器電路、D類放大器輸出級以及其他多種48V應用。 　　Diodes 亞太區(qū)技術市場總監(jiān)梁后權指出：“這個N通道和P通道組合的MOSFET能夠代替采用SOT223及DPak (TO252) 封裝的同等器件，有助減省電路板空間及元件數(shù)目，同時簡化柵極驅(qū)動電路設計。比方說，SO8充分發(fā)揮了
  • 關鍵字： Diodes  MOSFET  ZXMC10A816  

Diodes推出新型MOSFET 半橋器件

  • 　　Diodes 公司推出四款半橋MOSFET 封裝，為空間受限的應用減少了元件數(shù)量和PCB尺寸，極大地簡化了直流風扇和 CCFL 逆變器電路設計。 　　Diodes 亞太區(qū)技術市場總監(jiān)梁后權指出：“ZXMHC 元件為SO8封裝，包含兩對互補N型和P型MOSFET，可取代四個分立式SOT23封裝的MOSFET或兩個SO8 互補MOSFET 封裝。對于現(xiàn)有不同類型的電機或其它感性負載驅(qū)動裝置來說，這意味著可節(jié)省至少一半的PCB占板面積，同時大幅降低整體存貨成本?！? 　　ZXM
  • 關鍵字： Diodes  MOSFET  半橋器件  ZXMHC  SO8  

Maxim推出低電壓、降壓調(diào)節(jié)器

  • 　　Maxim推出內(nèi)置升壓開關的低電壓、降壓調(diào)節(jié)器MAX17083。該器件專為空間緊張的應用而設計，在微小的16mm² TQFN封裝中集成了雙路n溝道MOSFET功率開關。內(nèi)部25mΩ、低邊功率MOSFET能夠提供高達5A的持續(xù)負載電流，在保證高效率的同時減少了元件數(shù)量。MAX17083無需外部肖特基二極管以及外部升壓二極管，進一步節(jié)省了空間和成本。這款小型降壓調(diào)節(jié)器理想用于超便攜移動PC (UMPC)、上網(wǎng)本、便攜式游戲機及其它緊湊的低功耗應用。 　　MAX17083采用電流模式
  • 關鍵字： Maxim  降壓調(diào)節(jié)器  MAX17083  MOSFET  

英飛凌推出OptiMOS 3 75V功率MOSFET系列

  • 　　今日在深圳舉辦的中國國際電源展覽會上，英飛凌科技宣布推出OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列。全新推出的這個產(chǎn)品系列具備業(yè)內(nèi)領先的導通電阻(RDS(on))和品質(zhì)因素(FOM, Qg * RDS(on))特性，可在任何負載條件下，降低開關模式電源(SMPS)、電機控制和快速開關D類功放等電源產(chǎn)品的功率損耗并改善其整體能效。 　　OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列，是交流/直流開關模式電源(譬如面向全球市場的臺式機和計算機服務器裝備的電源)的同步整流的
  • 關鍵字： 英飛凌  MOSFET  OptiMOS  SMPS  

解決SMPS難題

  • 本文描述了不對稱半橋轉(zhuǎn)換器的基本工作原理，并介紹了一種相比普通分立式MOSFET及PWM控制器解決方案具有顯著優(yōu)勢的集成式功率開關。此外還闡釋了這種專門為軟開關轉(zhuǎn)換器而設計的功率開關如何降低設計總成本和元件數(shù)目、減小尺寸和重量，同時提高效率、產(chǎn)能和系統(tǒng)可靠性。
  • 關鍵字： 飛兆  SMPS  PWM  MOSFET  PCB版圖設計  200906  

IR推出AUIRS2003S 200V IC

  • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出AUIRS2003S 200V IC，適用于低、中、高壓汽車應用，包括汽車預電充開關、步進驅(qū)動器和DC-DC轉(zhuǎn)換器。 　　AUIRS2003S符合AEC-Q100標準，是一款堅固耐用、靈活的高速功率MOSFET驅(qū)動器，并備有高、低側(cè)參考輸出通道，適用于惡劣的汽車環(huán)境及引擎罩下的應用。這款輸出驅(qū)動器具有高脈沖電流緩沖級，可將驅(qū)動器跨導降至最低，而浮動通道可在最高200V的高側(cè)配置中驅(qū)動一個 N 溝道功率MOSFET。
  • 關鍵字： IR  MOSFET  驅(qū)動器IC  

IR推出增強型25V及30V MOSFET

  • 　　全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道溝道 HEXFET 功率 MOSFET 。它們針對同步降壓轉(zhuǎn)換器和電池保護增強了轉(zhuǎn)換性能，適用于消費和網(wǎng)絡領域的計算應用。 　　新 MOSFET 系列采用了 IR 經(jīng)過驗證的硅技術，可提供基準通態(tài)電阻 (RDS(on)) ，并且提高了轉(zhuǎn)換性能。新器件的低傳導損耗改善了滿載效率及熱性能，即使在輕負載條件下，低轉(zhuǎn)換損耗也有助于實現(xiàn)高效率
  • 關鍵字： IR  MOSFET  硅技術  

MOSFET封裝節(jié)省占板空間并提高充電器性能

  • 　　Diodes公司應用的高熱效率、超小型DFN封裝的雙器件組合技術,推出便攜式充電設備的開關。 　　Diodes 亞太區(qū)技術市場總監(jiān)梁后權先生指出，DMS2220LFDB和 DMS2120LFWB把一個20V的P溝道增強模式MOSFET與一個配套二極管組合封裝，提供2mm x 2mm DFN2020及3mm x 2mm DFN3020兩種封裝以供選擇。DMP2160UFDB則把兩個相同的MOSFET組合封裝成DFN2020形式。 　　與傳統(tǒng)便攜式應用設計中常用的體積較大的3mm x 3mm封裝相
  • 關鍵字： Diodes  MOSFET  DFN封裝  
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