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能效需求催生功率器件應(yīng)用熱潮

  •   市場需求逐步恢復(fù)   ● 能效需求催生功率器件應(yīng)用熱潮   ● 擴(kuò)內(nèi)需政策為企業(yè)提供增長空間   陳坤和   從2008年底到2009年初,所有電子產(chǎn)品的需求均有減少,功率半導(dǎo)體也不例外。我們認(rèn)識到,困難時期可能成為重新把公司塑造成一個更精簡、更專注、更贏利企業(yè)的催化劑。由于各國政府的經(jīng)濟(jì)刺激措施紛紛把提升能效列為重點內(nèi)容,許多企業(yè)開始關(guān)注功率產(chǎn)品。在中國,由于政府刺激消費電子市場,中國市場需求增長,推動功率管理和其他半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求開始復(fù)蘇。從長期來看,功率半導(dǎo)體將與許多其他領(lǐng)域的半導(dǎo)體產(chǎn)品
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針對應(yīng)用選擇正確的MOSFET驅(qū)動器

  • 現(xiàn)有的MOSFET技術(shù)和硅工藝種類繁多,這使得選擇合適的MOSFET驅(qū)動器成了一個富有挑戰(zhàn)性的過程。
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Diodes推出為VoIP應(yīng)用優(yōu)化的全新MOSFET

  •   Diodes公司推出兩款N溝道MOSFET,為網(wǎng)絡(luò)電話 (VoIP) 通信設(shè)備的設(shè)計人員帶來一種更堅固的解決方案,極大地降低了電路的復(fù)雜性和成本。   ZXMN15A27K及ZXMN20B28K經(jīng)過特別設(shè)計,能滿足各種VoIP應(yīng)用中基于用戶線接口電路(SLIC)DC/DC轉(zhuǎn)換器對變壓器中初級開關(guān)位置的嚴(yán)格要求。這些應(yīng)用涵蓋寬帶語音系統(tǒng)、PBX系統(tǒng)、有線和DSL網(wǎng)關(guān)。   兩款新器件的擊穿電壓(BVDSS)分別為150V及200V,能夠承受SLIC環(huán)境下的高脈沖雪崩能量和通信模式,不需要額外的保護(hù)電
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MOSFET柵漏電流噪聲模型研究

  • CMOS器件的等比例縮小發(fā)展趨勢,導(dǎo)致了柵等效氧化層厚度、柵長度和柵面積都急劇減小。對于常規(guī)體MOSFET,當(dāng)氧化層厚度2 nm時,大量載流子以不同機制通過柵介質(zhì)形成顯著的柵極漏電流。柵極漏電流不僅能產(chǎn)生
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功率半導(dǎo)體充當(dāng)節(jié)能先鋒 中國企業(yè)加快步伐

  •   過去,人們常把集成電路比作電子系統(tǒng)的大腦,而把功率半導(dǎo)體器件比作四肢,因為集成電路的作用是接受和處理信息,而功率器件則根據(jù)這些信息指令產(chǎn)生控制功率,去驅(qū)動相關(guān)電機進(jìn)行所需的工作。如今,新型功率半導(dǎo)體器件如MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)及功率集成電路應(yīng)用逐漸普及,其為信息系統(tǒng)提供電源的功能也越來越引人注目。功率半導(dǎo)體器件在電子系統(tǒng)中的地位已不僅限于“四肢”,而是為整個系統(tǒng)“供血”的“心臟&rdq
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Vishay Siliconix推出新款20V P溝道功率MOSFET

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強PowerPAK SC-70®封裝,具有迄今為止P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。新款SiA433EDJ是采用第三代TrenchFET® P溝道技術(shù)的最新器件,使用了自矯正的工藝技術(shù),在每平方英寸的硅片上裝進(jìn)了1億個晶體管。這種最先進(jìn)的技術(shù)實現(xiàn)了超精細(xì)、亞微米的間距工藝,將目前業(yè)界最好的P溝道MOSFET
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理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性

  • 通常,許多資料和教材都認(rèn)為,MOSFET的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù),因此可以并聯(lián)工作。當(dāng)其中一個并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時,具有正的溫度系數(shù)導(dǎo)通電阻也增加,因此流過的電流減小,溫度降低,從而實現(xiàn)自動的均流達(dá)到平衡。同樣對于一個功率MOSFET器件,在其內(nèi)部也是有許多小晶胞并聯(lián)而成,晶胞的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù),因此并聯(lián)工作沒有問題。但是,當(dāng)深入理解功率MOSFET的傳輸特性和溫度對其傳輸特性的影響,以及各個晶胞單元等效電路模型,就會發(fā)現(xiàn),上述的理論只有在MOSFET進(jìn)入穩(wěn)態(tài)導(dǎo)通的狀態(tài)下才能成立,而在
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Vishay推出業(yè)界最小的芯片級MOSFET

  •   日前,Vishay宣布推出兩款MICRO FOOT功率MOSFET --- Si8461DB和Si8465DB,最大尺寸為1mm x 1 mm x 0.548mm,是迄今為止業(yè)界最小的芯片級功率MOSFET。   在種類繁多的便攜式設(shè)備中,20V的P溝道Si8461DB和Si8465DB可用于負(fù)載開關(guān)、電池開關(guān)和充電開關(guān)應(yīng)用。器件的小尺寸和薄厚度有助于減少電源管理電路所占用的空間,以及/或是實現(xiàn)更多的功能。與市場上尺寸與之最接近的芯片級功率MOSFET相比,1mm x 1mm x 0.548mm的M
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安森美推出24款新的30伏、N溝道溝槽MOSFET

  •   全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N溝道溝槽(Trench)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。這些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ8FL及SOIC-8封裝, 為計算機和游戲機應(yīng)用中的同步降壓轉(zhuǎn)換器提供更高的開關(guān)性能。   新系列的MOSFET利用安森美半導(dǎo)體獲市場驗證的溝槽技術(shù),提供優(yōu)異的導(dǎo)通阻抗[RDS(on)]及更高的開關(guān)性能,用于個人計算機(PC)、服務(wù)器、游戲機、處理器穩(wěn)壓電源
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理解功率MOSFET的開關(guān)損耗

  • 本文詳細(xì)分析計算開關(guān)損耗,并論述實際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程,從而使電子工程師知道哪個參數(shù)起主導(dǎo)作用并更加深入理解MOSFET。

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無須降壓電容的低零件成本LED Driver

  •   特點-   工作電壓范圍:5V~450V   支持四種調(diào)光方式:開關(guān)調(diào)光、脈沖信號(PWM)調(diào)光、DC調(diào)光(0~5V)、熱平衡調(diào)光。   多重保護(hù)功能:LED開路保護(hù)、LED短路保護(hù)、過電流保護(hù)、過溫度保護(hù)   支持隔離或非
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MOSFET管并聯(lián)應(yīng)用時電流分配不均問題探究

  • 1 引言
    MOSFET管的導(dǎo)通電阻具有正的溫度特性,可自動調(diào)節(jié)電流,因而易于并聯(lián)應(yīng)用。但由于器件自身參數(shù)(柵極電路參數(shù)及漏源極電路參數(shù)不一致)原因,并聯(lián)應(yīng)用功率MOSFET管會產(chǎn)生電流分配不均的問題,關(guān)于此問題,
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采用射頻功率MOSFET設(shè)計功率放大器

  • 1. 引言
     本文設(shè)計的50MHz/250W 功率放大器采用美國APT公司生產(chǎn)的推挽式射頻功率MOSFET管ARF448A/B進(jìn)行設(shè)計。APT公司在其生產(chǎn)的射頻功率MOSFET的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和封裝形式上都進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計,使之更適用于射頻功率放大器
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即將普及的碳化硅器件

  •   隨綠色經(jīng)濟(jì)的興起,節(jié)能降耗已成潮流。在現(xiàn)代化生活中,人們已離不開電能。為解決“地球變暖”問題,電能消耗約占人類總耗能的七成,提高電力利用效率被提至重要地位。   據(jù)統(tǒng)計,60%至70%的電能是在低能耗系統(tǒng)中使用的,而其中絕大多數(shù)是消耗于電力變換和電力驅(qū)動。在提高電力利用效率中起關(guān)鍵作用的是功率器件,也稱電力電子器件。如何降低功率器件的能耗已成為全球性的重要課題。   在這種情況下,性能遠(yuǎn)優(yōu)于普遍使用的硅器件的碳化硅(SiC)器件受到人們青睞。SiC器件耐高溫(工作溫度和環(huán)境
  • 關(guān)鍵字: 豐田  SiC  碳化硅  MOSFET  200910  

MOSFET市場快速發(fā)展,本土企業(yè)見起色

  •   全球節(jié)能環(huán)保意識高漲使得高效、節(jié)能產(chǎn)品成為市場發(fā)展的主流趨勢。相應(yīng)地,電源|穩(wěn)壓器管理IC、MOSFET芯片等功率器件也被越來越多的應(yīng)用到整機電子產(chǎn)品中。在功率器件產(chǎn)品中,MOSFET的市場需求增長最快。據(jù)分析機構(gòu)數(shù)據(jù)顯示,盡管受全球金融危機影響, 2008年,中國MOSFET市場需求量為198.2億個,仍比2007年增長了11.9%。   在應(yīng)用方面,目前消費電子已成為MOSFET最大的應(yīng)用市場,這主要得益于MOSFET在便攜式產(chǎn)品、LCD TV等消費電子產(chǎn)品中的廣泛應(yīng)用。其次,是計算機、工業(yè)控制
  • 關(guān)鍵字: Fairchild  MOSFET  穩(wěn)壓器  
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