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ST公布今年第二季度及上半年財報

  • 　　意法半導體(紐約證券交易所代碼：STM)公布截至2009年6月27日的第二季度及上半年的財務報告。 　　意法半導體2009年第2季度收入總計19.93億美元，包含被ST-Ericsson合并的前愛立信移動平臺的全部業(yè)務，和1800萬美元的技術授權費。凈收入環(huán)比增幅20%，反映了意法半導體所在的所有市場以及全部地區(qū)的需求回暖，特別是中國和亞太地區(qū)的需求增長強勁。因為商業(yè)大環(huán)境的原因，在所有市場以及各地區(qū)第2季度的凈收入低于去年同期水平，但電信市場和亞太地區(qū)的表現(xiàn)則例外。 　　總裁兼首席執(zhí)行官 Car
  • 關鍵字： ST  MOSFET  MEMS  GPS  無線寬帶  

半導體C-V測量基礎

  • 　　通用測試 　　電容-電壓(C-V)測試廣泛用于測量半導體參數(shù)，尤其是MOSCAP和MOSFET結構。此外，利用C-V測量還可以對其他類型的半導體器件和工藝進行特征分析，包括雙極結型晶體管(BJT)、JFET、III-V族化合物器件、光伏電池、MEMS器件、有機TFT顯示器、光電二極管、碳納米管(CNT)和多種其他半導體器件。 　　這類測量的基本特征非常適用于各種應用和培訓。大學的研究實驗室和半導體廠商利用這類測量評測新材料、新工藝、新器件和新電路。C-V測量對于產(chǎn)品和良率增強工程師也是極其重要的，
  • 關鍵字： 吉時利  C-V測試  半導體  MOSFET  MOSCAP  

Linear 推出同步降壓型 DC/DC 控制器

  • 　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出低靜態(tài)電流、兩相雙路輸出同步降壓型 DC/DC 控制器 LTC3858/-1。該器件在一個輸出有效時僅消耗 170uA 電流，而兩個輸出都有效時消耗 300uA。兩個輸出都關斷時，LTC3858/-1 僅消耗 8uA，非常適用于汽車和筆記本電腦應用。LTC3858/-1 的 4V 至 38V 寬輸入電源范圍能夠針對負載突降和冷車發(fā)動情況所常見的汽車寬輸入電壓瞬變提供保護作用，并涵蓋多種電池化學組成。輸出電流高達 20A
  • 關鍵字： Linear  MOSFET  控制器  

NXP推出N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品

  • 　　恩智浦半導體(NXP Semiconductors，由飛利浦創(chuàng)立的獨立半導體公司)今日宣布推出全球首款N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品，型號為PSMN1R2-25YL，它擁有最低的導通電阻RDSon以及一流的FOM 參數(shù)。該產(chǎn)品是迄今為止采用Power-SO8封裝(無損耗封裝：LFPAK)中擁有最低導通電阻RDSon的MOSFET，也是恩智浦現(xiàn)有MOSFET系列的延伸。最新一代MOSFET器件集高性能Power-S08 LFPAK封裝與最新Trench 6硅技術于一體，可在各種嚴苛應用條件下
  • 關鍵字： NXP  MOSFET  PSMN1R2-25YL  Power-SO8  

Fairchild推出雙MOSFET解決方案FDMC8200

  • 　　飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設計人員帶來業(yè)界領先的雙MOSFET解決方案FDMC8200，可為筆記本電腦、上網(wǎng)本、服務器、電信和其它 DC-DC 設計提供更高的效率和功率密度。該器件在3mm x 3mm MLP模塊中集成了經(jīng)優(yōu)化的控制 (高側) 和同步 (低側) 30V N溝道MOSFET，二者均使用的專用先進高性能PowerTrench® 7 MOSFET技術，提供出色的低RDS(ON)、總體柵極電荷(QG)和米勒電荷 (QGD)，這些性能最大限度地
  • 關鍵字： Fairchild  MOSFET  PowerTrench  FDMC8200  

Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件

  • 　　Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件，它采用SO8封裝，包含一對互補100V增強式MOSFET，性能可媲美體積更大的獨立封裝器件。ZXMC10A816適用于H橋電路，應用范圍包括直流風扇和逆變器電路、D類放大器輸出級以及其他多種48V應用。 　　Diodes 亞太區(qū)技術市場總監(jiān)梁后權指出：“這個N通道和P通道組合的MOSFET能夠代替采用SOT223及DPak (TO252) 封裝的同等器件，有助減省電路板空間及元件數(shù)目，同時簡化柵極驅(qū)動電路設計。比方說，SO8充分發(fā)揮了
  • 關鍵字： Diodes  MOSFET  ZXMC10A816  

Diodes推出新型MOSFET 半橋器件

  • 　　Diodes 公司推出四款半橋MOSFET 封裝，為空間受限的應用減少了元件數(shù)量和PCB尺寸，極大地簡化了直流風扇和 CCFL 逆變器電路設計。 　　Diodes 亞太區(qū)技術市場總監(jiān)梁后權指出：“ZXMHC 元件為SO8封裝，包含兩對互補N型和P型MOSFET，可取代四個分立式SOT23封裝的MOSFET或兩個SO8 互補MOSFET 封裝。對于現(xiàn)有不同類型的電機或其它感性負載驅(qū)動裝置來說，這意味著可節(jié)省至少一半的PCB占板面積，同時大幅降低整體存貨成本?！? 　　ZXM
  • 關鍵字： Diodes  MOSFET  半橋器件  ZXMHC  SO8  

Maxim推出低電壓、降壓調(diào)節(jié)器

  • 　　Maxim推出內(nèi)置升壓開關的低電壓、降壓調(diào)節(jié)器MAX17083。該器件專為空間緊張的應用而設計，在微小的16mm² TQFN封裝中集成了雙路n溝道MOSFET功率開關。內(nèi)部25mΩ、低邊功率MOSFET能夠提供高達5A的持續(xù)負載電流，在保證高效率的同時減少了元件數(shù)量。MAX17083無需外部肖特基二極管以及外部升壓二極管，進一步節(jié)省了空間和成本。這款小型降壓調(diào)節(jié)器理想用于超便攜移動PC (UMPC)、上網(wǎng)本、便攜式游戲機及其它緊湊的低功耗應用。 　　MAX17083采用電流模式
  • 關鍵字： Maxim  降壓調(diào)節(jié)器  MAX17083  MOSFET  

英飛凌推出OptiMOS 3 75V功率MOSFET系列

  • 　　今日在深圳舉辦的中國國際電源展覽會上，英飛凌科技宣布推出OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列。全新推出的這個產(chǎn)品系列具備業(yè)內(nèi)領先的導通電阻(RDS(on))和品質(zhì)因素(FOM, Qg * RDS(on))特性，可在任何負載條件下，降低開關模式電源(SMPS)、電機控制和快速開關D類功放等電源產(chǎn)品的功率損耗并改善其整體能效。 　　OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列，是交流/直流開關模式電源(譬如面向全球市場的臺式機和計算機服務器裝備的電源)的同步整流的
  • 關鍵字： 英飛凌  MOSFET  OptiMOS  SMPS  

解決SMPS難題

  • 本文描述了不對稱半橋轉換器的基本工作原理，并介紹了一種相比普通分立式MOSFET及PWM控制器解決方案具有顯著優(yōu)勢的集成式功率開關。此外還闡釋了這種專門為軟開關轉換器而設計的功率開關如何降低設計總成本和元件數(shù)目、減小尺寸和重量，同時提高效率、產(chǎn)能和系統(tǒng)可靠性。
  • 關鍵字： 飛兆  SMPS  PWM  MOSFET  PCB版圖設計  200906  

IR推出AUIRS2003S 200V IC

  • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出AUIRS2003S 200V IC，適用于低、中、高壓汽車應用，包括汽車預電充開關、步進驅(qū)動器和DC-DC轉換器。 　　AUIRS2003S符合AEC-Q100標準，是一款堅固耐用、靈活的高速功率MOSFET驅(qū)動器，并備有高、低側參考輸出通道，適用于惡劣的汽車環(huán)境及引擎罩下的應用。這款輸出驅(qū)動器具有高脈沖電流緩沖級，可將驅(qū)動器跨導降至最低，而浮動通道可在最高200V的高側配置中驅(qū)動一個 N 溝道功率MOSFET。
  • 關鍵字： IR  MOSFET  驅(qū)動器IC  

IR推出增強型25V及30V MOSFET

  • 　　全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道溝道 HEXFET 功率 MOSFET 。它們針對同步降壓轉換器和電池保護增強了轉換性能，適用于消費和網(wǎng)絡領域的計算應用。 　　新 MOSFET 系列采用了 IR 經(jīng)過驗證的硅技術，可提供基準通態(tài)電阻 (RDS(on)) ，并且提高了轉換性能。新器件的低傳導損耗改善了滿載效率及熱性能，即使在輕負載條件下，低轉換損耗也有助于實現(xiàn)高效率
  • 關鍵字： IR  MOSFET  硅技術  

MOSFET封裝節(jié)省占板空間并提高充電器性能

  • 　　Diodes公司應用的高熱效率、超小型DFN封裝的雙器件組合技術,推出便攜式充電設備的開關。 　　Diodes 亞太區(qū)技術市場總監(jiān)梁后權先生指出，DMS2220LFDB和 DMS2120LFWB把一個20V的P溝道增強模式MOSFET與一個配套二極管組合封裝，提供2mm x 2mm DFN2020及3mm x 2mm DFN3020兩種封裝以供選擇。DMP2160UFDB則把兩個相同的MOSFET組合封裝成DFN2020形式。 　　與傳統(tǒng)便攜式應用設計中常用的體積較大的3mm x 3mm封裝相
  • 關鍵字： Diodes  MOSFET  DFN封裝  

飛兆推出可將導通電阻降低50％的100V MOSFET

  • 　　飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為隔離式DC-DC應用設計人員提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低達50% 的RDS(ON) 和出色的品質(zhì)因數(shù) (figure of merits, FOM)，有效提高電源設計的效率。FDMS86101是采用5mm x 6mm MLP Power56 封裝的100V MOSFET器件，使用了飛兆半導體先進的PowerTrench® 工藝技術，能夠最大限度地減小導通阻抗，同時保持優(yōu)良的開關性能和穩(wěn)健性
  • 關鍵字： Fairchild  MOSFET  

IR推出新型邏輯電平溝道MOSFET

  • 　　全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列邏輯電平柵極驅(qū)動溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準通態(tài)電阻 (RDS(on)) 和高封裝電流額定值，適用于高功率DC電機和電動工具、工業(yè)電池及電源應用。 　　新系列基準MOSFET采用了IR最新的溝道技術，可在4.5V Vgs下實現(xiàn)非常低的RDS(on) ，顯著改善了熱效率。此外，這些器件具有更高的電流額定值，多余瞬變可以帶來更多防護頻帶，并可減少由
  • 關鍵字： IR  溝道  MOSFET  
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