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飛兆半導(dǎo)體微型以封裝高效產(chǎn)品應(yīng)對(duì)DC-DC設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
- 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)推出具高效率和出色熱性能,并有助實(shí)現(xiàn)更薄、更輕和更緊湊的電源解決方案的MOSFET產(chǎn)品系列,可應(yīng)對(duì)工業(yè)、計(jì)算和電信系統(tǒng)對(duì)更高效率和功率密度的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。 FDMC7570S是采用3mm x 3mm MLP 封裝、具有業(yè)界最低RDS(ON)的25V MOSFET器件,可提供無與倫比的效率和結(jié)溫性能。FDMC7570S在10VGS 下的RDS(ON) 為1.6mOhm,在4.5VGS下則為2.3mOhm;其傳導(dǎo)損耗更比其它外形尺寸相同
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飛兆半導(dǎo)體在IIC China展會(huì)上展示功率技術(shù)和移動(dòng)技術(shù)
- 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semicondcutor) 將在IIC China 2010展會(huì)上,展示其最新的功率技術(shù)和移動(dòng)技術(shù)。時(shí)間及地點(diǎn)分別是3月4至5日于深圳會(huì)展中心2號(hào)展館2K19展臺(tái),以及3月15至16日于上海世貿(mào)商城四樓8H01展臺(tái)。 智能移動(dòng)解決方案: 飛兆半導(dǎo)體將展示其豐富的模擬技術(shù)產(chǎn)品系列,以及相關(guān)的定制解決方案和系統(tǒng)級(jí)專有技術(shù),這些產(chǎn)品及方案在解決移動(dòng)領(lǐng)域之設(shè)計(jì)和應(yīng)用難題方面發(fā)揮不可或缺的重要作用。例如,飛兆半導(dǎo)體的業(yè)界最小的USB附件開關(guān)FSA800將所有主
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馬達(dá)設(shè)計(jì)中提升更高的效率
- 中心議題: 馬達(dá)的結(jié)構(gòu) 提升馬達(dá)工作的效率 解決方案: 正弦脈沖調(diào)制控制方式 智能功率模塊 近些年來,家用電器對(duì)節(jié)能的要求變得越來越強(qiáng)烈。這是很顯然的,僅電冰箱所消耗的能量就超過家庭用電量的10%。由于電冰箱的馬達(dá)主要在低速運(yùn)轉(zhuǎn),就有非常大的節(jié)能潛力,通過在低速驅(qū)動(dòng)器中簡單改進(jìn)馬達(dá)的驅(qū)動(dòng)效率就能實(shí)現(xiàn)。 同樣,據(jù)估計(jì)工業(yè)用電的65%被電驅(qū)動(dòng)馬達(dá)所消耗,毫無疑問,商家正逐漸意識(shí)到節(jié)能將成為改善收益率和競爭能力的關(guān)鍵。在電驅(qū)動(dòng)馬達(dá)中降低能量消耗有兩種主要的方式:改善
- 關(guān)鍵字: 工業(yè)電子 馬達(dá) MOSFET
英飛凌推出OptiMOS調(diào)壓MOSFET和DrMOS系列
- 英飛凌科技股份公司近日宣布,公司將在2010年應(yīng)用電力電子會(huì)議和產(chǎn)品展示會(huì)上,推出OptiMOS 25V器件系列,壯大OptiMOS 功率 MOSFET產(chǎn)品陣容。該系列器件經(jīng)過優(yōu)化,適合應(yīng)用于計(jì)算機(jī)服務(wù)器電源的電壓調(diào)節(jié)電路和電信/數(shù)據(jù)通信的開關(guān)。這種全新的MOSFET還被集成進(jìn)滿足英特爾DrMOS規(guī)范的TDA21220 DrMOS。 通過大幅降低三個(gè)關(guān)鍵的能效優(yōu)值(FOM),這種全新的器件無論在任何負(fù)載條件下,都可使MOSFET功耗降低20%,同時(shí)達(dá)到更高的性能。此外,更高的功率密度還能讓典型電
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 OptiMOS MOSFET DrMOS
開關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)薈萃
- 功率MOSFET以其導(dǎo)通電阻低和負(fù)載電流大的突出優(yōu)點(diǎn),已經(jīng)成為開關(guān)電源(switch-mode power supplies,SMPS)整流組件的最佳選擇,專用MOSFET驅(qū)動(dòng)器的出現(xiàn)又為優(yōu)化SMPS控制器帶來了契機(jī)。那些與SMPS控制器集成在一起的
- 關(guān)鍵字: 技術(shù) 薈萃 驅(qū)動(dòng) MOSFET 功率 開關(guān)電源 電源
CISSOID引入了新系列P通道高溫功率MOSFET晶體管
- CISSOID,在高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者,介紹了 VENUS,他們的新系列高溫 30V 的 P通道功率 MOSFET 晶體管保證操作在攝氐負(fù)55度到225度之間。P通道功率 MOSFETs 的VENUS系列命名為 CHT-PMOS3002,CHT-PMOS3004 及CHT-PMOS3008,其最大漏電流額定分別為2A,4A及8A。它們補(bǔ)充了該公司在2009年11月介紹的 N 通道 MOSFETs 的 SATURN 系列。 VENUS 功率 MOSFETs 表現(xiàn)出色的高溫性能。在攝氏 225
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安森美半導(dǎo)體推出高壓MOSFET系列
- 應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充公司市場領(lǐng)先的功率開關(guān)產(chǎn)品陣容,推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)系列。這些新方案的設(shè)計(jì)適合功率因數(shù)校正(PFC)和脈寬調(diào)制(PWM)段等高壓、節(jié)能應(yīng)用的強(qiáng)固要求,在這些應(yīng)用中,加快導(dǎo)通時(shí)間及降低動(dòng)態(tài)功率損耗至關(guān)重要。具體而言,這些方案非常適合用于游戲機(jī)、打印機(jī)和筆記本電源適配器,及應(yīng)用于ATX電源、液晶顯示器(LCD)面板電源和工業(yè)照明鎮(zhèn)流器。 這些新的500 V和60
- 關(guān)鍵字: 安森美 MOSFET 功率開關(guān)
NXP 推出全新60 V和100 V晶體管
- 恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)今天宣布推出全新60 V和100 V晶體管,擴(kuò)充Trench 6 MOSFET產(chǎn)品線。新產(chǎn)品采用Power SO-8LFPAK封裝,支持60 V和100 V兩種工作電壓。Trench 6芯片技術(shù)和高性能LFPAK封裝工藝的整合賦予新產(chǎn)品出色的性能和可靠性,為客戶提供眾多實(shí)用價(jià)值。 LFPAK是一種“真正”意義上的功率封裝,通過優(yōu)化設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)最佳熱/電性能、成本優(yōu)勢和可靠性。LFPAK是汽車行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101唯一認(rèn)可的
- 關(guān)鍵字: NXP 晶體管 MOSFET
利用智能MOSFET驅(qū)動(dòng)器提升數(shù)字控制電源性能
- 在電源系統(tǒng)中,MOSFET驅(qū)動(dòng)器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號(hào)轉(zhuǎn)換為高速的大電流信號(hào),以便以最快的速度打開和關(guān)閉MOSFET。由于驅(qū)動(dòng)器IC與MOSFET的位置相鄰,所以就需要增加智能保護(hù)功能以增強(qiáng)電源的可靠性。 UC
- 關(guān)鍵字: MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 數(shù)字控制電源 性能
安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充N溝道功率MOSFET系列
- 應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充N溝道功率MOSFET系列,新增12款100伏(V)器件。安森美半導(dǎo)體經(jīng)過完備測試的N溝道功率MOSFET提供高達(dá)500毫焦(mJ)的業(yè)界領(lǐng)先雪崩額定值,非常適用于要顧慮因非鉗位電感型負(fù)載引致過渡電壓應(yīng)力的設(shè)計(jì)。 安森美半導(dǎo)體這些100 V功率MOSFET器件的典型應(yīng)用包括工業(yè)電機(jī)控制、電源、不間斷電源(UPS)中的電源逆變器,以及汽車中的直接燃?xì)鈬娚?DGI)。這些無鉛器件,符合RoHS指令,關(guān)鍵的規(guī)范特性包括:
- 關(guān)鍵字: 安森美 MOSFET
Maxim推出用于高壓系統(tǒng)的高邊MOSFET驅(qū)動(dòng)器
- Maxim推出用于高壓系統(tǒng)的高邊MOSFET驅(qū)動(dòng)器MAX15054。該器件能夠?yàn)樾枰捎媒祲夯蛏祲和負(fù)浣Y(jié)構(gòu)、但不帶必需的高邊MOSFET驅(qū)動(dòng)器的HB (高亮度) LED設(shè)計(jì)提供低成本方案。MAX15054在單串和多串LED驅(qū)動(dòng)器中通過使用降壓以及單電感升降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),并將地電位作為輸出電壓的參考點(diǎn),從而使設(shè)計(jì)人員避免了采用SEPIC結(jié)構(gòu)帶來的成本和設(shè)計(jì)復(fù)雜度。 MAX15054可提供2A驅(qū)動(dòng)電流,具有極低(12ns,典型值)的傳輸延時(shí)和較短的上升、下降時(shí)間。器件的雙UVLO (欠壓鎖定)功能保
- 關(guān)鍵字: Maxim 驅(qū)動(dòng)器 MOSFET MAX15054
Linear 推出高速同步 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC4449
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC4449,該器件為在同步整流轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲序?qū)動(dòng)高端和低端 N 溝道功率 MOSFET 而設(shè)計(jì)。這個(gè)驅(qū)動(dòng)器結(jié)合凌力爾特公司的 DC/DC 控制器和功率 FET 可形成一個(gè)完整的高效率同步穩(wěn)壓器,該穩(wěn)壓器可用作降壓型或升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。 LTC4449 在 4V 至 6.5V 范圍內(nèi)驅(qū)動(dòng)高端和低端 MOSFET 柵極,以高達(dá) 38V 的電源電壓工作。這個(gè)強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)器可以吸收
- 關(guān)鍵字: Linear MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC4449
RS添加超過900種飛兆半導(dǎo)體裝置
- RS Components于今日宣布,增加飛兆半導(dǎo)體900種新裝置,飛兆是全球領(lǐng)先節(jié)能半導(dǎo)體技術(shù)供應(yīng)商。RS目前擁有最先進(jìn)、最全面的飛兆電源產(chǎn)品系列,均可從庫存直接發(fā)貨至廣大設(shè)計(jì)工程師。 新添加的電源IC家族包括飛兆獲得大獎(jiǎng)的直流直流控制器,融合了領(lǐng)先行業(yè)的便攜式裝置高功率、高性能、功率密度和規(guī)格等特點(diǎn)。RS推出的飛兆系列也包括Intellimax™負(fù)荷開關(guān)和MOSFET、高性能光耦合器、二極管、IGBT、邏輯及接口產(chǎn)品。 飛兆的FAN2XXX和FAN5XXX直流直流控制器家族
- 關(guān)鍵字: RS 電源 IGBT MOSFET Intellimax
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