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飛兆半導體推出60V PowerTrench MOSFET器件

　　DC-DC電源、馬達控制、熱插拔和負載開關(guān)應用，以及服務器的次級同步整流應用的設計人員，需要使用具有更低傳導損耗和開關(guān)損耗的MOSFET器件以期提高設計的效率。　　
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Vishay發(fā)布2011年“Super 12”特色產(chǎn)品

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，Vishay發(fā)布2011年的“Super 12”特色產(chǎn)品。這些元器件具有業(yè)界領(lǐng)先的規(guī)格標準，如導通電阻、導通電阻與柵極電荷乘積(FOM)、溫度范圍和電流等級。這些創(chuàng)新產(chǎn)品在http://www.vishay.com/landingpage/super12/ver3/ 進行展示，是許多關(guān)鍵應用的上佳之選，也充分反映出Vishay產(chǎn)品線之豐富。　
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恩智浦NextPower MOSFET具有行業(yè)最低RDS (on)

　　恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ：NXPI) 今日宣布，其采用LFPAK封裝的NextPower系列25V和30V MOSFET將有15款新產(chǎn)品開始供貨。這些恩智浦功率MOSFET家族的最新成員在六個關(guān)鍵參數(shù)方面找到了最佳平衡點，并且具有行業(yè)最低的RDS (on) (25V和30V均為亞1 mΩ級)，是高性能、高可靠性開關(guān)應用的理想之選。
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英飛凌新一代高壓MOSFET設立能效新標準

　　英飛凌的最新一代高壓CoolMOS? MOSFET取得了又一項創(chuàng)新，設立了能效的新標準。在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會(5月17日至19日)上，英飛凌展出了全新推出的650V CoolMOS? CFD2，它是世界上第一款漏源擊穿電壓為650V并且集成了快速體二極管的高壓晶體管。這個新的CFD2器件延續(xù)了600V CFD產(chǎn)品的優(yōu)點，不僅可以提高能效，而且具備更軟的交換功能，從而降低了電磁干擾(EMI)，提升產(chǎn)品的競爭優(yōu)勢。
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Diodes推出超小型封裝的高性能MOSFET

　　Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產(chǎn)品線。該封裝僅占用0.6平方毫米的PCB面積，較同類SOT723封裝器件節(jié)省一半以上的占板空間，其結(jié)點至環(huán)境熱阻 (ROJA) 為256oC/W，在連續(xù)條件下功耗高達1.3W，而同類產(chǎn)品的功耗則多出一倍。　　
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利用DAC、運算放大器和 MOSFET 晶體管構(gòu)建多功能高精度可編程電流源

電路功能與優(yōu)勢數(shù)字控制電流源在許多應用中至關(guān)重要，如電源管理、電磁閥控制、電機控制、阻抗測量、傳 ...
關(guān)鍵字：實驗室電路 MOSFET 運算放大器

Diodes全新DFN3020封裝MOSFET節(jié)省七成空間

　　Diodes公司推出旗下有助節(jié)省空間的DFN3020封裝分立式產(chǎn)品系列的首批MOSFET。這三款雙MOSFET組合包含了20V和30V N溝道及30V互補器件。這些雙DFN3020 MOSFET的電學性能與較大的SOT23封裝器件不相上下，可以替代兩個獨立的SOT23封裝MOSFET，節(jié)省七成的電路板空間?！?/li>
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為你的應用選擇合適的高壓MOSFET

高電壓MOSFET技術(shù)在過去幾年中經(jīng)歷了很大變化，給電源工程師帶來了不少選擇。只要提供有關(guān)不同技術(shù)的使用指南，就可以幫助工程師選擇合適的部件以達成其應用的效率和成本目標。了解不同MOSFET部件的細微差別及不同開
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IR推出優(yōu)化版車用功率MOSFET 芯片組

　　全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出了一款優(yōu)化版車用DirectFET?2 功率 MOSFET 芯片組，適合內(nèi)燃機、混合動力和電動車中的DC-DC 應用。　　
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IR推出新系列車用MOSFET

　　全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出堅固耐用的車用 MOSFET系列，適合多種內(nèi)燃機 (ICE) 和混合動力車平臺應用。　　
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中國未來幾年IGBT市場火爆

　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，由于工業(yè)與消費領(lǐng)域的需求增長，中國絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場未來幾年將快速增長，2014年銷售額將從2009年的4.297億美元上升到9.75億美元，增長一倍以上。　　
關(guān)鍵字： IGBT MOSFET

IR推出新系列車用MOSFET

　　全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出堅固耐用的車用 MOSFET系列，適合多種內(nèi)燃機 (ICE) 和混合動力車平臺應用。　　
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Linear 推出 LTC4441 新的高可靠性 (MP 級) 版本

　　凌力爾特公司(Linear Technology Corporation) 推出LTC4441新的高可靠性(MP 級) 版本，該器件是一款6A N 溝道MOSFET 柵極驅(qū)動器，在-55°C 至125°C的工作節(jié)溫范圍內(nèi)工作。該高功率驅(qū)動器設計用于增加DC/DC 控制器的輸出功率及效率，從而使其能夠驅(qū)動高功率N 溝道MOSFET 或多個并聯(lián)的MOSFET。其柵極驅(qū)動電壓從5V 至8V 是可調(diào)的，從而允許設計師選擇標準門限或邏輯電平MOSFET。LTC4441 在5V 至25V 的寬輸入
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Microchip擴展MOSFET驅(qū)動器系列產(chǎn)品

　　Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）宣布擴展了其MOSFET驅(qū)動器系列產(chǎn)品。在已獲得業(yè)界推崇的Microchip下橋臂MCP14E3/4/54.5A MOSFET驅(qū)動器上，Microchip推出全新下橋臂MCP14E6/7/82A和MCP14E9/10/113A驅(qū)動器。經(jīng)擴展后，這一低成本系列器件的額定峰值輸出電流為2A至4.5A，工作電壓范圍寬達4.5V至18V。全新器件具備使能輸入引腳，可實現(xiàn)關(guān)斷功能以節(jié)省能耗，并采用8引腳SOIC和8引腳6mm×5m
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Fairchild開發(fā)出用于MOSFET器件的Dual Cool封裝

　　為了滿足高電流能力、高效率和更小外形尺寸的需求，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出用于MOSFET器件的Dual Cool封裝，Dual Cool封裝是采用嶄新封裝技術(shù)的頂部冷卻PQFN器件，可以通過封裝的頂部實現(xiàn)額外的功率耗散。　　Dual Cool封裝具有外露的散熱塊，能夠顯著減小從結(jié)點到外殼頂部的熱阻。與標準PQFN封裝相比，Dual Cool封裝在配合散熱片使用時，可將功率耗散能力提高60%以上。此外，采用Dual Cool封裝的MOSFET通過使用飛兆
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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]