- 給出了一款基于8051的高性能、低成本的NAND flash控制芯片的設計方法，文中集中研究了其中的軟件部分，探討了管理flash物理塊的算法，提出了塊級和頁級兩級地址映射機制以及映射信息在flash的存儲定義，同時還提出了對flash的分區(qū)方法。
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設計 實現(xiàn) 算法 管理 Flash NAND
- 隨著DRAM和NANDFlash市場價格持續(xù)崩跌，不僅上游DRAM廠營收紛呈現(xiàn)大幅衰退情況，下游存儲器模塊廠亦受到牽累，10月營收亦持續(xù)下滑，其中，威剛10月營收較9月減少達17.1%。威剛表示，預期11月營收將因為產(chǎn)業(yè)景氣進入淡季，而持續(xù)呈現(xiàn)衰退景況，公司因應策略是致力降低庫存水位，將庫存維持在約3~4周水平。
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DRAM NAND
- 隨著DRAM和NANDFlash市場價格持續(xù)崩跌，不僅上游DRAM廠營收紛呈現(xiàn)大幅衰退情況，下游存儲器模塊廠亦受到牽累，10月營收亦持續(xù)下滑，其中，威剛10月營收較9月減少達17.1%。威剛表示，預期11月營收將因為產(chǎn)業(yè)景氣進入淡季，而持續(xù)呈現(xiàn)衰退景況，公司因應策略是致力降低庫存水位，將庫存維持在約3~4周水平。
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三星 DRAM NAND
- 集邦科技旗下研究機構 DRAMeXchange 指出，JEDEC Task group 中的一些主要成員如：三星 (Samsung)、諾基亞(Nokia)、美光(Micron)、高通(Qualcomm)、英特爾(Intel)、東芝(Toshiba)、晟碟(SanDisk)、德州儀器(TI)、意法半導體(ST)等國際大廠，近期正在積極推動新的 NAND Flash 應用接口標準 UFS (universal Flash storage)的規(guī)格制定事宜。
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三星 NAND UFS
- 三星電子(SamsungElectronics)投入總金額12兆韓元(約108.36億美元)于京畿道華城市增設的半導體廠，決定將先提供閃存(NANDFlash)量產(chǎn)使用。據(jù)南韓電子新聞報導，三星預計于2011年初完工的半導體華城廠16產(chǎn)線，將于2011年下半開始優(yōu)先量產(chǎn)閃存。
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三星半導體 NAND
- DRAMeXchange 最新發(fā)表的研究報告指出，固態(tài)硬盤(SSD)一直以來為各家 NAND Flash 廠商所寄予厚望的產(chǎn)品，主要是固態(tài)硬盤對于 NAND Flash 的使用量來說是一般內建式應用產(chǎn)品、U盤與記憶卡的數(shù)倍之多，因此對于固態(tài)硬盤對于NAND Flash消耗量來說有很大的幫助。
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固態(tài)硬盤 NAND
- 固態(tài)硬盤一直以來為各家NAND Flash廠商所寄予厚望的產(chǎn)品，主要是固態(tài)硬盤對于NAND Flash的使用量來說是一般內建式應用產(chǎn)品、隨身碟與記憶卡的數(shù)倍之多，因此對于固態(tài)硬盤對于NAND Flash消耗量來說有很大的幫助。而從消費者的論點來看，固態(tài)硬盤的傳輸速度為傳統(tǒng)硬盤的兩倍以上，同時也兼具了省電與抗震動的特點，因此，DRAMeXchange認為，在未來高畫質影音與大容量檔案傳輸?shù)男枨髮⒋蠓嵘?，對于固態(tài)硬盤的需求若能在價格有效下降至可接受的范圍將會開始提升。
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固態(tài)硬盤 NAND
- 美光科技 (Micron Technology Inc.) 宣布，美光獲獎的25nm NAND 已獲日立LG數(shù)據(jù)儲存公司 (Hitachi-LG Data Storage Inc. 簡稱 HLDS) 采用作為其新型混合光驅 (ODD) 的閃存解決方案。此款采用美光 25nm NAND 技術的新型 HLDS Hybrid Drive 提供高容量儲存和可修改功能，是針對個人計算機、DVD 播放器和藍光產(chǎn)品的綜合解決方案。
美光的 25nm NAND 處理技術提供單一設備中8GB 儲存容量，滿足新應用
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美光 NAND
- 高調宣布走出破產(chǎn)保護陰影的Spansion公司日前公布了其2010財年第二季度財報，公司非GAAP調整后凈收入已經(jīng)從2009年同期的2240萬美元上升至2740萬美元;GAAP凈收入為3.418億美元，與2010 Q1財季相比，仍繼續(xù)保持著穩(wěn)定的財務態(tài)勢。Spansion是否能夠卷土重來?業(yè)界一直存在頗多爭議之聲。日前，該公司企業(yè)營銷總監(jiān)John Nation就公司發(fā)展策略、核心業(yè)務、技術趨勢等話題接受了專訪。
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Spansion NAND
- NAND Flash大廠三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)制程競賽拼得火熱，在產(chǎn)出持續(xù)大幅增加下，10月上旬NAND Flash合約價再度下探，尤其是高容量64Gb芯片下修幅度高達5~7%，低容量芯片價格則是幾乎持平，市場預期日前平板計算機和智能型手機 (Smart Phone)都內建高容量的NAND Flash存儲器，在年底圣誕節(jié)最后一波促銷熱潮之下，有機會提升NAND Flash市場的需求，彌補2010年快閃記憶卡和隨身碟都賣相不佳的缺憾。
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三星 NAND
- 就在啟動32GB 20nm閃存生產(chǎn)線四個月后，三星確認目前已經(jīng)啟動64GB,3位元20納米NAND閃存的批量生產(chǎn)。
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三星 NAND 20納米
- 全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)在高容量32Gb和64Gb芯片產(chǎn)能持續(xù)開出下，9月下旬合約價續(xù)跌，其中，32Gb芯片合約價下跌5~6%，64Gb芯片大跌 9~10%，模塊廠表示，NAND Flash芯片價格已跌到相當接近各大廠成本線，若價格再跌，恐會讓NAND Flash廠產(chǎn)生虧損，接下來要看大陸十一長假后是否出現(xiàn)補貨需求，帶動NAND Flash價格止跌。
模塊廠表示，近期NAND Flash產(chǎn)品需求比DRAM模塊好一些，DRAM買氣受限于現(xiàn)貨價跌幅較深，通路商補貨意愿不高，但在NAND Flas
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NAND DRAM
- 日本最大的芯片制造商——東芝周一表示，盡管日圓走強，但該公司有望實現(xiàn)其在截至明年3月的會計年度，芯片業(yè)務營業(yè)利潤達到12億美元的預估，因新的電子設備熱銷，提高了芯片需求。
東芝芯片業(yè)務主管小林清志表示，因低質產(chǎn)品供應過多，最近NAND芯片現(xiàn)貨價格下降，但這對東芝的影響極小。
NAND閃存芯片需求一直強勁，因受到智能手機和蘋果的iPad等移動設備暢銷所助。
“整體需求強勁成長情況一直符合我們對2010會計年度的預期，而且我們預計中國國慶節(jié)，黑色星期五
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東芝 芯片 NAND
- 由于2010年第二季受到歐洲債信風暴影響、終端需求疲軟以及庫存水位偏高，下半年各項信息與消費型電子的出貨均大幅下修，然而第二季各手機廠商有效去化庫存以及智能手機成長力道強勁的情況下，下半年手機成長幅度將領先各項電子產(chǎn)品。也由于智能手機的熱賣，帶動了相關 NAND Flash 應用如 MCP 與內建式的 eMMC 、 POP 等產(chǎn)品的成長。
蘋果(Apple)推出 iPhone 4 帶動其它智能手機的熱賣，預估2010年手機出貨量將較2009年成長13%，達到13億支的規(guī)模，而智能手機市場扮演重要
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智能手機 NAND
- 集邦科技表示，由于2010年第二季受到歐洲債信風暴影響、終端需求疲軟以及庫存水位偏高，下半年各項信息與消費型電子的出貨均大幅下修，然而第二季各手機廠商有效去化庫存以及智能手機成長力道強勁的情況下，下半年手機成長幅度將領先各項電子產(chǎn)品。也由于智能手機的熱 賣，帶動了相關 NAND Flash 應用如 MCP 與內建式的 eMMC 、 POP 等產(chǎn)品的成長。
蘋果(Apple)推出 iPhone 4 帶動其它智能手機的熱 賣，集邦科技預估，2010年手機出貨量將較2009年成長13%，達到13億支的
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NAND 智能手機
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