nand 文章 進(jìn)入nand 技術(shù)社區(qū)
鎂光年中量產(chǎn)25nm NAND閃存 明年將轉(zhuǎn)向更高級別制程
- 鎂光公司NAND閃存市場開發(fā)部門的經(jīng)理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計(jì)劃明年將其NAND閃存芯片制程轉(zhuǎn)向25nm以下級別,他表示鎂光今年年中將開始批量生產(chǎn)25nm制程N(yùn)AND閃存芯片,并將于明年轉(zhuǎn)向更高級別的制程。他并表示鎂光也計(jì)劃開發(fā)自己的電荷捕獲型(charge trap flash (CTF))閃存技術(shù),以取代現(xiàn)有的浮柵型( floating-gate)NAND閃存技術(shù)。 Killbuck還向Digitimes網(wǎng)站表示,鎂光的新款NAND閃存芯片將遵循新的EZ-NAND規(guī)范。目
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全球存儲器短缺的三個(gè)理由
- 2010年全球存儲器可能出現(xiàn)供應(yīng)缺貨,而且非常可能會延續(xù)下去。為什么?可能有三個(gè)原因,1),存儲器市場復(fù)蘇;2),前幾年中存儲器投資不足;3),由ASML供應(yīng)的光刻機(jī)交貨期延長。 巴克菜投資公司的分析師 Tim Luke在近期的報(bào)告中指出,通過存儲器的食物供應(yīng)鏈看到大量的例證,認(rèn)為目前存儲器供應(yīng)偏緊的局面將持續(xù)2010整年,甚至延伸到2011年。 據(jù)它的報(bào)告稱,2010年全球NAND閃存的位增長可達(dá)70%,而2009增長為41%。2010年全球DRAM的位增長達(dá)52%。 Luke認(rèn)為
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傳東芝將投入89.4億美元擴(kuò)大NAND閃存產(chǎn)能
- 消息人士周三透露,東芝未來三年內(nèi)將投入8000億日元(約合89.4億)美元,在日本三重縣(Mie Prefecture)修建一座閃存芯片制造廠。 報(bào)道稱,東芝的這一計(jì)劃將使該公司的NAND閃存芯片制造能力提高大約一倍。東芝原本打算在2008年修建該工廠,但受經(jīng)濟(jì)衰退致產(chǎn)品需求下滑的影響,東芝隨后取消了該建廠計(jì)劃。 市場調(diào)研公司iSuppli此前發(fā)布報(bào)告稱,全球NAND閃存市場去年第三季度營收較第二季度的31億美元,增長了25.5%,達(dá)39.4億美元。東芝第三季度表現(xiàn)強(qiáng)于市場,其NAND閃存
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Hynix宣布已成功開發(fā)出26nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品
- 南韓Hynix公司本周二宣布,繼半年前成功開發(fā)出基于32nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品,并于去年8月份開始量產(chǎn)這種閃存芯片之后,他們已經(jīng)于日前成 功開發(fā)出了基于26nm制程的NAND閃存芯片。他們并稱將于今年7月份開始量產(chǎn)基于26nm制程的64GB容量NAND閃存芯片產(chǎn)品. 按閃存芯片市占率計(jì)算,Hynix公司去年在閃存芯片市場上的市占率排在第三位,僅次于排在前兩位的三星與東芝公司。據(jù)此前的報(bào)道顯示,三星公司和由Intel和鎂光公司合資成立的IM Flash公司均計(jì)劃于今年第二季度推出基于25n
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傳鎂光公司欲收購Numonyx公司
- 業(yè)界傳言鎂光公司目前仍在考慮收購Numonyx公司事宜,并稱其仍對NOR閃存市場抱有興趣。一位市場分析師稱:”我聽說鎂光有可能會收購 Numonyx公司,這說明他們似乎在考慮要成為一家為諾基亞等廠商提供閃存產(chǎn)品服務(wù)的一站式廠商。“ 此前鎂光已經(jīng)與Intel公司合資成立了專門生產(chǎn)NAND閃存的IM Flash公司,而Numonyx公司則原來也是Intel內(nèi)部負(fù)責(zé)NOR閃存的部門,不過后來Intel將這家公司從Intel分離出來,并成立了Numonyx,他們把這家公司的49%
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技術(shù)領(lǐng)先領(lǐng)先別無所求:Intel NAND閃存新戰(zhàn)略縱覽
- 在最近舉辦的一次會議上,Intel公司屬下NAND閃存集團(tuán)的新任老總Tom Rampone透露了有關(guān)Intel閃存業(yè)務(wù)的一個(gè)驚人規(guī)劃,他們計(jì)劃在閃存技術(shù)和SSD產(chǎn)品市場上取得領(lǐng)先地位,但他們并不準(zhǔn)備在散片NAND閃存市場 上扮演領(lǐng)軍人的角色??雌饋硭麄儾⒉辉敢庠陲L(fēng)水輪流轉(zhuǎn)的NAND閃存散片市場和三星,現(xiàn)代以及東芝這些廠商一爭高下,但于此同時(shí),他們又表現(xiàn)出想把三星從SSD業(yè) 務(wù)排名第一的寶座上拉下來的意圖。 Intel不準(zhǔn)備在NAND閃存散片市場稱雄的決定令人稍感驚奇,過去他們一旦進(jìn)入某個(gè)市場,那
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應(yīng)用材料兩名高管因竊取三星技術(shù)機(jī)密被捕
- 據(jù)報(bào)道,韓國檢方近日逮捕了兩名美國半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商應(yīng)用材料Applied Materials高管,罪名則是這兩名高管偷取三星DRAM、NAND芯片處理技術(shù)等機(jī)密并出售給了競爭對手海力士。 美國證券交易委員會的報(bào)告顯示,Applied已經(jīng)確認(rèn)此事,并透露說其中一人是前應(yīng)用材料韓國(AMK)高管、現(xiàn)任應(yīng)用材料副總裁,另一名則是應(yīng)用材料韓國子工廠的高管。 應(yīng)用材料在一封電子郵件中表示,由于韓國檢方目前還未公布兩人的姓名,他們也不方便透露兩者的信息。作為應(yīng)用材料的一大客戶,三星的利益顯然受到了傷害
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創(chuàng)造消費(fèi)價(jià)值是關(guān)鍵
- 32位MCU強(qiáng)勢增長 從全球范圍內(nèi)的微控制器(MCU)的市場情況看(如圖1),08年出貨量是119億美元,到09年降低到86億美元。從增長曲線看,32位微控制器在過去5年增長了一倍。目前可以看到8位和32位的深V型增長。從銷售額來看,在2009年的前10個(gè)月里有7個(gè)月32位高過8位,到10月底時(shí),32位總體下降了近23%,而8位MCU下降了近27%。從數(shù)量上看,8位的下降是26%,而32位只下降10%,因此從單位數(shù)量來說,32位下降較少,NXP(恩智浦)認(rèn)為32位還是有比較強(qiáng)勁的增長勢頭,這
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英特爾、美光聯(lián)手推出25納米NAND
- 英特爾公司和美光科技公司今天宣布推出世界上首個(gè)25納米NAND技術(shù)——該技術(shù)能夠增加智能手機(jī)、個(gè)人音樂與媒體播放器(PMP)等流行消費(fèi)電子產(chǎn)品,以及全新高性能固態(tài)硬盤(SSD)的存儲容量,提供更高的成本效益。 NAND閃存可用于存儲消費(fèi)電子產(chǎn)品中的數(shù)據(jù)和其它媒體內(nèi)容,即使在電源關(guān)閉時(shí)也能保留信息。NAND制程尺寸的縮小,推動(dòng)了該技術(shù)持續(xù)發(fā)展并不斷出現(xiàn)新的用途。25納米制程不僅是當(dāng)前尺寸最小的NAND技術(shù),也是全球最精密的半導(dǎo)體技術(shù)——這項(xiàng)技術(shù)成就將
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蘋果刺激NAND Flash需求 各界引頸盼望
- 蘋果(Apple)新產(chǎn)品iPad正式亮相,內(nèi)建16GB、32GB和64GB等3種容量的固態(tài)硬碟(SSD),可望為低迷許久的NAND Flash市場注入強(qiáng)心針!根據(jù)外資和市調(diào)機(jī)構(gòu)估計(jì),2010年iPad出貨量將介于600萬~1,000萬臺不等,占NAND Flash需求量上看4%,同時(shí)也為產(chǎn)業(yè)開創(chuàng)新應(yīng)用領(lǐng)域。惟近期NAND Flash報(bào)價(jià)波動(dòng)相當(dāng)平靜,并未反映蘋果效應(yīng),下游廠指出,大陸在農(nóng)歷年前又開始嚴(yán)查走私,因此當(dāng)?shù)匦枨箐J減,預(yù)計(jì)年后才會發(fā)動(dòng)補(bǔ)貨行情。 蘋果推出的平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)
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Intel、美光宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存
- 由Intel、美光合資組建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布,已經(jīng)開始使用25nm工藝晶體管試產(chǎn)MLC NAND閃存芯片,并相信足以領(lǐng)先其他競爭對手長達(dá)一年之久。IMFT公司在閃存工藝上一向非常激進(jìn),每12-15個(gè)月便升級一次:成立之初是72nm,2008年是50nm,去年則率先達(dá)到了34nm,在業(yè)內(nèi)領(lǐng)先六個(gè)月左右,也讓Intel提前搶先發(fā)布了34nm第二代X25-M固態(tài)硬盤,美光也即將推出RealSSD C300系列。IMFT生產(chǎn)的閃存芯片有49%供給In
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DRAM跌價(jià)襲擊 模塊廠1月營收處變不驚
- 2010年1月農(nóng)歷春節(jié)前的補(bǔ)貨行情落空,DRAM價(jià)格大跌,所幸NAND Flash價(jià)格比預(yù)期強(qiáng)勢,存儲器模塊廠1月營收可望維持平穩(wěn),與2009年12月相較,呈現(xiàn)小漲或小跌的局面,整體第1季營收受到2月農(nóng)歷過年工作天數(shù)減少影響,而呈現(xiàn)下滑,但整體行情不看淡;模塊廠認(rèn)為,DDR3目前仍是缺貨,往下修正的幅度有限,一方面DDR3利潤較高,另一方面DDR3短期會被DDR2價(jià)格帶下來,但整體第1季DDR3供貨仍相對吃緊。 存儲器模塊廠2009年交出豐厚的成績單,創(chuàng)見、威剛都賺足1個(gè)股本,但2010年1月立
- 關(guān)鍵字: DRAM NAND DDR3
韓國成功改良NOR芯片 可大幅提升手機(jī)性能
- 韓聯(lián)社(Yonhap)引述首爾大學(xué)說法指出,1組韓國工程師已改良手機(jī)用芯片技術(shù),可大幅提升手機(jī)性能。 首爾大學(xué)表示,該團(tuán)隊(duì)研發(fā)的NOR芯片,可克服過去的諸多缺點(diǎn)。負(fù)責(zé)人表示,盡管NOR芯片能快速回溯資料,但卻因?yàn)镹OR芯片的容量上限僅有1GB,且更較耗能,而被NAND芯片擊敗。相較之下,NAND Flash可儲存32GB的資料,占據(jù)更大優(yōu)勢。NAND芯片可用于MP3、攝影機(jī)和USB存儲器等裝置上。 一般的NOR芯片通常并不特別,不過首爾大學(xué)工程師所開發(fā)的芯片卻有重要特點(diǎn)。該團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)教授表示
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