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三星第一季度NAND Flash市占逼近40%大關(guān)

　　2010年第1季全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)市占率中，仍以三星電子(Samsung Electronics)位居龍頭，根據(jù)集邦統(tǒng)計(jì)，三星的市占率高達(dá)39.2%，東芝(Toshiba)以34.4%市占率緊追在后，第1季位元成長(zhǎng)率較上季增加15%，但平均單價(jià)(ASP)小跌5%，全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值規(guī)模約43.63億美元，較上季39.1億元成長(zhǎng)11.6%。　　NAND Flash產(chǎn)業(yè)2009年率先落底反彈，但2010年表現(xiàn)空間不多，在DRAM、NOR Flash、SDRAM和Mobile
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美光12億美元并恒憶坐擁DRAM、NAND、NOR三大技術(shù)

　　美光科技(Micron Technology Inc.)7日宣布完成收購(gòu)NOR Flash大廠恒憶(Numonyx B.V.)的所有程序。依據(jù)協(xié)議，美光已發(fā)行大約1.38億股普通股(大約相當(dāng)于12億美元)給恒憶股東(英特爾、意法半導(dǎo)體、私募股權(quán)基金Francisco Partners)。　　完成收購(gòu)恒憶后美光成為同時(shí)擁有DRAM、NAND以及NOR技術(shù)的記憶體晶片大廠。恒憶去年第4季營(yíng)收約5.50億美元，自由現(xiàn)金流量達(dá)4,200萬美元。交易完成后美光/恒憶將與意法共享位于義大利Agrate的&ld
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傳英特爾今年發(fā)布600GB 25nm SSD

　　Fudzilla消息，英特爾今年將有SSD方面的大計(jì)劃，預(yù)計(jì)在今年第四季度，公司將展示一款160GB-600GB的大容量高速SSD產(chǎn)品。　　這種SSD基于25nm MLC NAND Flash打造，取代之前的34nm MLC技術(shù)，容量包括160、300和600GB，屬于第二代X25-M產(chǎn)品序列，包含1.8和2.5英寸版本。　　其中1.8英寸版本最大容量300GB，將成為供應(yīng)家庭娛樂和消費(fèi)電子的主推產(chǎn)品。
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海力士：一季度DRAM芯片平均售價(jià)季漲3%

　　以收入計(jì)全球第二大電腦記憶芯片制造商海力士半導(dǎo)體公司(Hynix Semiconductor Inc.)22日公布，一季度公司動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)平均售價(jià)季比上升3%，09年四季度漲幅為26%。　　然而，海力士半導(dǎo)體公司在一份聲明中稱，一季度NAND快閃記憶芯片售價(jià)季比下降8%，09年四季度降幅為5%。　　該公司補(bǔ)充道，一季度DRAM芯片發(fā)貨量季比上升6%，NAND芯片發(fā)貨量季比持平。　　海力士半導(dǎo)體公布，該公司一季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為28%，09年四季度該公司營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為25%。
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抓緊景氣回升 IM Flash新加坡廠提前運(yùn)作

　　英特爾(Intel)和美系記憶體大廠美光(Micron)所成立的合資企業(yè)IM Flash，為了趕上半導(dǎo)體業(yè)2010年牛氣沖天的景氣，決定讓新加坡廠重啟營(yíng)運(yùn)。　　2005年英特爾和美光因看好NAND Flash市場(chǎng)，遂于2006年初合資成立IM Flash，由英特爾出錢出力，美光則提供技術(shù)，由IM Flash專門為這2家公司生產(chǎn)NAND Flash。但在半導(dǎo)體景氣循環(huán)來到低點(diǎn)，再加上金融海嘯的沖擊下，IM Flash受到嚴(yán)重沖擊，在2008年IM Flash裁員800人，花費(fèi)35億美元打造，本應(yīng)于2
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三星電子全球率先批量生產(chǎn)20納米制程N(yùn)AND閃存

　　據(jù)外電報(bào)道，三星電子表示，該公司從上周末開始批量生產(chǎn)20納米制程32GB多層單元(MLC)NAND閃存。　　20納米制程32GB多層單元NAND閃存的生產(chǎn)性，比30納米制程高50%左右。三星電子在全球半導(dǎo)體行業(yè)率先投入到了量產(chǎn)。　　三星電子相關(guān)負(fù)責(zé)人表示，公司同時(shí)開發(fā)20納米制程32GB多層單元專用controller，確保了與30納米級(jí)NAND閃存相同的穩(wěn)定性。　　三星電子的20納米制程N(yùn)AND閃存將先用于手機(jī)存儲(chǔ)卡SD卡。　　此外，今年2月公布開發(fā)20納米制程64GB NAND閃存
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Nand+Flash存儲(chǔ)管理在DSP系統(tǒng)中的實(shí)現(xiàn)

Nand+Flash存儲(chǔ)管理在DSP系統(tǒng)中的實(shí)現(xiàn),　Nand Flash作為一種安全、快速的存儲(chǔ)體，因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù) 據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn)，已逐步取代其它半導(dǎo)體存儲(chǔ)元件，成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的主要載體。盡管Nand Flash的每個(gè)單元塊相互獨(dú)
關(guān)鍵字：系統(tǒng) 實(shí)現(xiàn) DSP 管理 Flash 存儲(chǔ) Nand

三星第一季營(yíng)業(yè)利潤(rùn)38億美元同比猛增7倍

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，三星電子今天發(fā)布的財(cái)報(bào)顯示，受益于PC需求增加以及電視價(jià)格上漲，該公司第一季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)同比猛增7倍。　　利潤(rùn)增長(zhǎng) 　　三星的初步財(cái)報(bào)顯示，該公司第一季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)約為4.3萬億韓元(約合38億美元)，上下浮動(dòng)區(qū)間為2000億韓元，去年同期調(diào)整后營(yíng)業(yè)利潤(rùn)僅為 5900億韓元。根據(jù)彭博社的調(diào)查，15名分析師此前對(duì)三星營(yíng)業(yè)利潤(rùn)的中位數(shù)預(yù)期為4.27萬億韓元。　　外界預(yù)計(jì)，受到存儲(chǔ)芯片以及平板顯示器價(jià)格上漲的刺激，三星第一季度將創(chuàng)下今年最好業(yè)績(jī)。受此影響，三星股價(jià)周一創(chuàng)下歷史新高。分析
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分析師認(rèn)為全球芯片市場(chǎng)仍有支撐點(diǎn)

　　按Benchmark Euqity研究公司報(bào)道, 緊接著2009年未的迅速地復(fù)蘇, 進(jìn)入2010年時(shí)全球半導(dǎo)體業(yè)在數(shù)量上仍有15-20%的增長(zhǎng)。　　按Benchmark的分析師Gary Mobley的看法, 從2009年1月的谷底算起,全球芯片出貨量己經(jīng)增長(zhǎng)大於75%。在相同的期間美國(guó)費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)也增長(zhǎng)相近的量。　　當(dāng)大部分工業(yè)分析師都認(rèn)為今年半導(dǎo)體市場(chǎng)有20%的增長(zhǎng)時(shí),Benchmark分析師相信今年非　　?？赡苡?2%-24%的增長(zhǎng)。　　其中某些芯片的庫(kù)存包括存儲(chǔ)器，部分模擬電路
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嵌入式系統(tǒng)中Nand-Flash的原理及應(yīng)用

嵌入式系統(tǒng)中Nand-Flash的原理及應(yīng)用,當(dāng)前各類嵌入式系統(tǒng)開發(fā)設(shè)計(jì)中，存儲(chǔ)模塊是不可或缺的重要方面。NOR和NAND是目前市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Nor-flash存儲(chǔ)器的容量較小、寫入速度較慢，但因其隨機(jī)讀取速度快，因此在嵌入式系統(tǒng)中，常應(yīng)用在程
關(guān)鍵字：應(yīng)用原理 Nand-Flash 系統(tǒng) 嵌入式

09年全球前十大NAND供應(yīng)商排行榜出爐

　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Web-Feet Research公布2009年全球NAND閃存供貨商排行榜，三星電子(Samsung Electronics)仍穩(wěn)居市占率第一名位置，其后則是東芝(Toshiba)與SanDisk;SanDisk的表現(xiàn)意外亮眼，領(lǐng)先美光(Micron)、海力士(Hynix)與英特爾(Intel)。　　在其它市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)的排行榜中，SanDisk往往并未列名，因?yàn)樵谀承┣闆r下該公司是與合作伙伴東芝視為一體。Web-Feet Research報(bào)告中列出了17家閃存制造商的出貨成績(jī)，東芝與
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2009年亞太半導(dǎo)體供應(yīng)商表現(xiàn)出色

　　來自調(diào)研公司 iSuppli的統(tǒng)計(jì)顯示，2009年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體處于下滑狀態(tài)，但總部在亞太地區(qū)的半導(dǎo)體供應(yīng)商卻實(shí)現(xiàn)了逆勢(shì)上漲。　　亞太區(qū)供應(yīng)商專注熱門產(chǎn)品　　iSuppli調(diào)研結(jié)果顯示，2009年總部位于亞太地區(qū)的半導(dǎo)體供應(yīng)商合計(jì)營(yíng)業(yè)收入實(shí)際增長(zhǎng)2.3%，從2008年的435億美元上升到445億美元。相比之下，2009年全球半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入銳減11.7%，從2008年的2602億美元降至2299億美元。　　“去年芯片產(chǎn)業(yè)形勢(shì)黯淡，而亞太地區(qū)的供應(yīng)商卻設(shè)法實(shí)現(xiàn)了增長(zhǎng)，因?yàn)樗麄儗Ｗ⒂?/li>
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東芝計(jì)劃耗資150億日元生產(chǎn)25納米閃存

　　東芝公司今年計(jì)劃耗資150億日元(約合1.6億美元)興建一條試驗(yàn)生產(chǎn)線，生產(chǎn)小于25納米制程的NAND閃存芯片。　　目前東芝生產(chǎn)的NAND閃存是采用32與43納米技術(shù)，主要應(yīng)用于手機(jī)及數(shù)字相機(jī)等電子消費(fèi)產(chǎn)品。為生產(chǎn)新的25納米制程以下的芯片，需使用較短光波的極紫外光微影(EUV lithography)技術(shù)，因此，東芝也將進(jìn)行相應(yīng)的技術(shù)升級(jí)。目前，東芝已向荷蘭半導(dǎo)體微影系統(tǒng)大廠ASML訂購(gòu)設(shè)備，預(yù)計(jì)在今年夏天試驗(yàn)投產(chǎn)。消息一經(jīng)公布，東芝在股市中漲幅達(dá)3.5%，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過同類電氣機(jī)器指數(shù)0.8%的漲幅
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Micron發(fā)布季度報(bào)告 DRAM銷售環(huán)比增長(zhǎng)24%

　　Micron Technology, Inc.(Nasdaq:MU)近日宣布了截至于2010年3月4日的2010財(cái)年第二季度的運(yùn)營(yíng)成果。對(duì)于2010財(cái)年的第二季度，該公司取得了可歸屬于其股東的3.65億美元，合攤薄股每股0.39美元的凈收入，其凈銷售額達(dá)近20億美元。相比之下，2010財(cái)年第一季度的凈收入為2.04億美元，合攤薄股每股0.23美元，凈銷售額為17.4億美元，并且2009財(cái)年第二季度的凈虧損為7.63億美元，合攤薄股每股0.99美元，凈銷售額為10億美元。2010財(cái)年之前各個(gè)時(shí)期的金額及
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海力士預(yù)期今年?duì)I收將達(dá)10年高點(diǎn)

　　由于目前存儲(chǔ)器供應(yīng)短缺、供不應(yīng)求，全球第2大存儲(chǔ)器廠商海力士(Hynix)預(yù)期2010年的營(yíng)收可望達(dá)到10年來的最高點(diǎn)。　　目前DRAM市場(chǎng)正處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。自2009年全球經(jīng)濟(jì)逐漸回溫后，企業(yè)放寬支出，對(duì)個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)的需求也回升，光是2010年P(guān)C銷量就可能較2009年增加10%，帶動(dòng)了DRAM的需求量上升。　　另外，智能型手機(jī)(Smartphone)、平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)及其它行動(dòng)設(shè)備的市場(chǎng)規(guī)模日增，也讓NAND Flash的需求量不斷攀升。但相對(duì)于存儲(chǔ)器芯片需求量節(jié)
關(guān)鍵字： Hynix NAND 存儲(chǔ)器芯片