nand　文章進(jìn)入nand　技術(shù)社區(qū)

爾必達(dá)赴臺(tái)設(shè)NAND Flash研發(fā)中心

　　據(jù)了解，日商爾必達(dá)已決定來(lái)臺(tái)設(shè)立研發(fā)中心，且選定投入高階技術(shù)NAND Flash領(lǐng)域。爾必達(dá)來(lái)臺(tái)投資研發(fā)中心金額約在50、60億新臺(tái)幣，未來(lái)將與力晶等日系半導(dǎo)體業(yè)者進(jìn)一步合作。　　據(jù)悉，爾必達(dá)與臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)合作雖然破局，但爾必達(dá)與臺(tái)灣業(yè)者聯(lián)合抗韓的意圖依舊存在，政府單位與爾必達(dá)互動(dòng)密切，爾必達(dá)已于日前向經(jīng)濟(jì)部遞出在臺(tái)設(shè)立研發(fā)中心的初步計(jì)劃書(shū)，經(jīng)濟(jì)部正進(jìn)行審查中。　　官員透露，爾必達(dá)來(lái)臺(tái)設(shè)立研發(fā)中心的計(jì)劃相當(dāng)成熟，已進(jìn)入實(shí)質(zhì)合作內(nèi)容洽談中，研發(fā)中心切入的產(chǎn)品并非一般的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器
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亞洲需求成全球半導(dǎo)體市場(chǎng)強(qiáng)力支撐

　　全球半導(dǎo)體市場(chǎng)需求成長(zhǎng)已優(yōu)于2008年秋季金融危機(jī)爆發(fā)前的水平，2010年5月半導(dǎo)體銷(xiāo)售額續(xù)創(chuàng)新高。就地區(qū)別來(lái)看，含大陸在內(nèi)的亞太市場(chǎng)占全球銷(xiāo)售比重已過(guò)半并持續(xù)成長(zhǎng)中，已成為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)需求的強(qiáng)力支撐。然因市場(chǎng)對(duì)歐洲經(jīng)濟(jì)成長(zhǎng)仍持疑慮，2010年秋季后市場(chǎng)需求動(dòng)態(tài)值得關(guān)注。　　美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SemiconductorIndustryAssociation;SIA)日前公布的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)指出，金融危機(jī)爆發(fā)前全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售高峰為2007年11月的231.2億美元，而2010年5月全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額達(dá)2
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SEMICON West來(lái)臨之際那些分析師說(shuō)些什么？

　　編者點(diǎn)評(píng)：每年的SEMICON West時(shí)，時(shí)間己經(jīng)過(guò)半，所以業(yè)界都會(huì)關(guān)心下半年與未來(lái)會(huì)是怎么樣。2010年半導(dǎo)體業(yè)可能十分亮麗，似乎已成定局。然而對(duì)于設(shè)備業(yè)看似今年的增長(zhǎng)幅度達(dá)90%，但是許多設(shè)備公司仍是興奮不起來(lái)，因?yàn)?010年業(yè)績(jī)的增長(zhǎng)仍顯不足于彌補(bǔ)之前的損失。而未來(lái)的前景有點(diǎn)模糊，增長(zhǎng)點(diǎn)來(lái)自哪里?似乎誰(shuí)也說(shuō)不清楚。　　SEMICON West美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備展覽會(huì)即將開(kāi)幕，與去年全球IC下降不同，如今半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)有點(diǎn)紅火。　　按市場(chǎng)調(diào)研公司 VLSI預(yù)計(jì)，2010年半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)增長(zhǎng)96%
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力晶聚焦NAND Flash　挑戰(zhàn)20納米

　　近期臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)獲得經(jīng)濟(jì)部補(bǔ)助，聯(lián)合茂德、晶豪打算從NAND Flash產(chǎn)業(yè)重起爐灶，加上力晶、旺宏亦紛投入NAND Flash市場(chǎng)，3方人馬點(diǎn)燃臺(tái)灣NAND Flash戰(zhàn)火。力晶董事長(zhǎng)黃崇仁6日表示，力晶耕耘NAND Flash產(chǎn)業(yè)6年來(lái)投入新臺(tái)幣70億元，是臺(tái)灣血統(tǒng)最純正技術(shù)，目前力晶NAND Flash技術(shù)腳步相較于國(guó)際大廠仍晚1個(gè)世代，但若未來(lái)成功走向20納米制程，對(duì)臺(tái)灣NAND Flash研發(fā)是很大突破。　　事實(shí)上，力晶NAND Flash產(chǎn)品系師承日商瑞薩(Renes
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NAND閃存芯片價(jià)格三季度將上漲

　　據(jù)iSuppli稱(chēng)，隨著消費(fèi)電子廠商準(zhǔn)備圣誕假日的產(chǎn)品，今年第三季度NAND閃存芯片將供不應(yīng)求。　　iSuppli高級(jí)半導(dǎo)體分析師Rick Pierson說(shuō)，當(dāng)市場(chǎng)供貨量緊張的時(shí)候，平均銷(xiāo)售價(jià)格將上漲。NAND閃存芯片一般用于數(shù)碼相機(jī)、智能手機(jī)和視頻攝像機(jī)等電子產(chǎn)品存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。　　今年第二季度NAND閃存芯片供貨量充足導(dǎo)致價(jià)格出現(xiàn)下降的趨勢(shì)。但是，智能手機(jī)等產(chǎn)品正在集成視頻攝像機(jī)等組件，從而產(chǎn)生了額外的存儲(chǔ)需求。　　廠商產(chǎn)量不會(huì)由于超過(guò)了需求而進(jìn)行限制。但是，供應(yīng)商將根據(jù)合同義務(wù)和關(guān)系向關(guān)鍵
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因供不應(yīng)求 NAND 閃存芯片價(jià)格三季度將上漲

　　據(jù)iSuppli稱(chēng)，隨著消費(fèi)電子廠商準(zhǔn)備圣誕假日的產(chǎn)品，今年第三季度NAND閃存芯片將供不應(yīng)求。　　iSuppli高級(jí)半導(dǎo)體分析師Rick Pierson說(shuō)，當(dāng)市場(chǎng)供貨量緊張的時(shí)候，平均銷(xiāo)售價(jià)格將上漲。NAND閃存芯片一般用于數(shù)碼相機(jī)、智能手機(jī)和視頻攝像機(jī)等電子產(chǎn)品存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。今年第二季度NAND閃存芯片供貨量充足導(dǎo)致價(jià)格出現(xiàn)下降的趨勢(shì)。但是，智能手機(jī)等產(chǎn)品正在集成視頻攝像機(jī)等組件，從而產(chǎn)生了額外的存儲(chǔ)需求。　　廠商產(chǎn)量不會(huì)由于超過(guò)了需求而進(jìn)行限制。但是，供應(yīng)商將根據(jù)合同義務(wù)和關(guān)系向關(guān)鍵的合作
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三星電子擬向其美國(guó)芯片生產(chǎn)廠投入36億美元

　　6月10日消息，據(jù)路透社報(bào)道，全球最大的記憶體芯片生產(chǎn)商韓國(guó)三星電子周四表示，計(jì)劃投資36億美元，擴(kuò)大其在美國(guó)的芯片生產(chǎn)能力。　　三星電子的海外唯一一家芯片廠就設(shè)在美國(guó)得克薩斯州的奧斯汀，此次產(chǎn)能擴(kuò)增主要是針對(duì)生產(chǎn)大型積體電路(LSI)芯片的設(shè)備。　　奧斯汀工廠主要生產(chǎn)用于手機(jī)和數(shù)碼相機(jī)的NAND型閃存芯片。三星電子在聲明中稱(chēng)，工廠擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃還包括增聘500名員工。
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10個(gè)理由看好或看衰半導(dǎo)體業(yè)

　　至此，對(duì)于今年全球電子工業(yè)的看法是樂(lè)觀的，而且是有相當(dāng)大的增長(zhǎng)。　　但是作為一個(gè)編輯者仍有些擔(dān)憂(yōu)，以下是對(duì)于2010年有10個(gè)理由來(lái)看好或者是看衰半導(dǎo)體業(yè)。　　1. IC熱，然后冷　　Gartner分析師Bryan Lewis及Peter Middleleton表示，2010年全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額達(dá)2900億美元，與2009年銷(xiāo)售額2280億美元相比增長(zhǎng)27.1%。與Gartner之前在第一季度的預(yù)測(cè)，2010年增長(zhǎng)19.9%相比有明顯提高。　　芯片銷(xiāo)售額的增長(zhǎng)明顯超過(guò)系統(tǒng)產(chǎn)品銷(xiāo)售額的增
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存儲(chǔ)器市場(chǎng)高漲 20大IC供應(yīng)商重排座次

　　按IC Insight報(bào)告，在DRAM 及NAND市場(chǎng)高漲下，導(dǎo)致與之相關(guān)連的全球前20大半導(dǎo)體制造商排名中有10家位置發(fā)生更迭。　　IC Insight的McLean的5月最新報(bào)告表示，Toshiba、Hynix、Micron及Elpida存儲(chǔ)器廠，它們的排名至少前進(jìn)了一位，其中 Elpida前進(jìn)了6位，列于第10。　　同時(shí)列于第2的三星電子，估計(jì)2010年它的銷(xiāo)售額離300億美元僅一步之遙，IC銷(xiāo)售額增長(zhǎng)達(dá)50%以上。　　三星在本月初時(shí)，它將擴(kuò)大今年半導(dǎo)體的投資達(dá)96億美元，也即表示
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金士頓創(chuàng)辦人稱(chēng)：看好DRAM下半年銷(xiāo)售

　　6月3日消息，據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，全球DRAM模組龍頭美國(guó)金士頓創(chuàng)辦人孫大衛(wèi)昨天在臺(tái)表示，DRAM廠的制程轉(zhuǎn)換技術(shù)門(mén)檻不低，再加上智能手機(jī)等新的應(yīng)用產(chǎn)品，帶動(dòng)DRAM需求，他認(rèn)為下半年的DRAM市況應(yīng)該會(huì)好。　　孫大衛(wèi)表示，DRAM制造廠越來(lái)越少，各大廠多進(jìn)入制程轉(zhuǎn)換的階段，總產(chǎn)出量恐比實(shí)際預(yù)期要低。而在智能手機(jī)、3D電視等多元化的新應(yīng)用產(chǎn)品紛紛出線下，下半年的DRAM供需不僅趨于平衡，甚至可能出現(xiàn)供不應(yīng)求的情況。　　南韓三星電子大舉提高資本支出的計(jì)劃，讓臺(tái)系廠商非常緊張。孫大衛(wèi)則認(rèn)為，目前全球的
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NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)

NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì),閃存存儲(chǔ)器主要分為NAND和XOR兩種類(lèi)型，其中NAND型是專(zhuān)為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對(duì)NAND類(lèi)型的閃存芯片。一個(gè)NAND類(lèi)型的閃存芯片的存儲(chǔ)空間是由塊(Block)構(gòu)成，每個(gè)塊又劃分為固定大小的頁(yè)，塊是擦
關(guān)鍵字：閃存設(shè)計(jì) 映射適應(yīng) NAND

存儲(chǔ)器市場(chǎng)高漲引發(fā)全球前20大IC供應(yīng)商排名大變

　　按IC Insight報(bào)告，在DRAM 及NAND市場(chǎng)高漲下，導(dǎo)致與之相關(guān)連的全球前20大半導(dǎo)體制造商排名中有10家位置發(fā)生更迭。　　IC Insight的McLean的5月最新報(bào)告表示，Toshiba、Hynix、Micron及Elpida存儲(chǔ)器廠，它們的排名至少前進(jìn)了一位，其中 Elpida前進(jìn)了6位，列于第10。　　同時(shí)列于第2的三星電子，估計(jì)2010年它的銷(xiāo)售額離300億美元僅一步之遙，IC銷(xiāo)售額增長(zhǎng)達(dá)50%以上。　　三星在本月初時(shí)，它將擴(kuò)大今年半導(dǎo)體的投資達(dá)96億美元，也即表示
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南北韓戰(zhàn)事升溫　三星命懸一線

　　才剛對(duì)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投下史上最高資本支出震撼彈的三星電子(Samsung Electronics)，再度因南北韓政治對(duì)立情勢(shì)升溫，戰(zhàn)事恐一觸即發(fā)，而成為科技產(chǎn)業(yè)關(guān)心的焦點(diǎn)。業(yè)界聚焦重點(diǎn)放在DRAM和NAND Flash產(chǎn)業(yè)，三星在此兩大產(chǎn)業(yè)中，DRAM市占率分別超過(guò)30%，NAND Flash市占率逼近40%，未來(lái)南北韓關(guān)系若持續(xù)緊繃，甚至有戰(zhàn)事發(fā)生，將使得全球個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)和消費(fèi)性電子產(chǎn)品供應(yīng)鏈造成巨大變化。　　全球DRAM和NAND Flash生產(chǎn)大廠：三星　　根據(jù)DIGITIMES
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三星的行動(dòng)讓業(yè)界生畏

　　三星在DRAM及NAND中稱(chēng)霸，年產(chǎn)值達(dá)200億美元。然而近期的幾件事讓人聯(lián)想泛泛，三星擬再奪全球代工的寶座。　　南韓半導(dǎo)體大廠三星電子(Samsung Electronics)日前提高資本支出，其中在系統(tǒng)LSI(System LSI)部門(mén)，資本支出亦增加逾50%，達(dá)2兆韓元(約18億美元)，以滿(mǎn)足手機(jī)等系統(tǒng)單芯片(SoC)需求，顯示三星有意加強(qiáng)晶圓代工業(yè)務(wù)。業(yè)界對(duì)此解讀，三星主要系著眼于最大客戶(hù)高通(Qualcomm)手機(jī)芯片訂單，未來(lái)是否會(huì)擴(kuò)大分食高通在臺(tái)積電訂單，高通訂單版圖移轉(zhuǎn)變化有待觀察
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迎戰(zhàn)三星臺(tái)塑集團(tuán)準(zhǔn)備好了

　　南韓三星電子大張旗鼓擴(kuò)充DRAM產(chǎn)能，引發(fā)各方關(guān)注。臺(tái)塑集團(tuán)總裁王文淵日前于內(nèi)部會(huì)議表示，原先預(yù)期三星明年下半年啟動(dòng)擴(kuò)產(chǎn)，其進(jìn)度比預(yù)期快得多，惟集團(tuán)與美光合作的30納米制程已完成開(kāi)發(fā)，今年將切入50、42納米制程，技術(shù)超越臺(tái)系廠商;對(duì)照先前65納米，生產(chǎn)成本優(yōu)勢(shì)將提升約40%至50%，臺(tái)塑集團(tuán)已積極審慎應(yīng)戰(zhàn)。　　三星大張旗鼓擴(kuò)充DRAM、NAND產(chǎn)能，由于比原先預(yù)期將在明年下半年啟動(dòng)快的多，也使臺(tái)灣廠商將被迫提前面臨新產(chǎn)業(yè)淘汰賽，但也突顯三星對(duì)DRAM后續(xù)產(chǎn)業(yè)前景，有偏多的立場(chǎng)。　　南亞科董事
關(guān)鍵字：三星電子 DRAM NAND 50納米