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日本半導(dǎo)體企業(yè)1Q財(cái)報(bào)喜憂(yōu)參半

　　日本半導(dǎo)體廠2010年度第1季(4~6月)財(cái)報(bào)表現(xiàn)明暗兩極。東芝(Toshiba)、爾必達(dá)(Elpida)拜內(nèi)存事業(yè)表現(xiàn)亮眼之賜，獲利從谷底攀升;瑞薩電子(RenesasElectronics)則因系統(tǒng)芯片事業(yè)拖累，該季仍難揮別虧損陰霾。　　東芝半導(dǎo)體事業(yè)的營(yíng)業(yè)利益皆為NANDFlash所挹注。副社長(zhǎng)村岡富美雄表示，受惠于蘋(píng)果(Apple)iPhone等智能型手機(jī)需求帶動(dòng)，加上 NANDFlash均價(jià)跌幅趨緩，東芝半導(dǎo)體事業(yè)表現(xiàn)遠(yuǎn)超過(guò)預(yù)期。小幅虧損的系統(tǒng)芯片事業(yè)亦因NANDFlash的豐沛獲利得以
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VLSI提高半導(dǎo)體預(yù)測(cè) 但CEO們?nèi)允侵?jǐn)慎的樂(lè)觀

　　VLSI提高IC預(yù)測(cè)，但是該公司看到雖然很多產(chǎn)品供不應(yīng)求，但是有一種可能DRAM市場(chǎng)再次下跌。　　同時(shí)由于經(jīng)濟(jì)大環(huán)境可能對(duì)于產(chǎn)業(yè)的影響，目前對(duì)于產(chǎn)業(yè)抱謹(jǐn)慎的樂(lè)觀，如Marvell.Silicon Image及其它公司的大部分高管都有同樣的看法。　　VLSI在它的最新看法中發(fā)現(xiàn)各種數(shù)據(jù)是交叉的，按VLSI的最新預(yù)測(cè)，2010年IC市場(chǎng)可能增長(zhǎng)30%，但是2011年僅增長(zhǎng)3.7%。而2010年半導(dǎo)體設(shè)備增長(zhǎng)96%。　　而在之前的預(yù)測(cè)中認(rèn)為2010年全球IC市場(chǎng)增長(zhǎng)28.1%，其它預(yù)測(cè)尚未改變。
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分析師認(rèn)為閃存熱但是供應(yīng)鏈不配套

　　無(wú)疑2009年對(duì)于閃存市場(chǎng)是可怕之年。　　要感謝產(chǎn)業(yè)的很快復(fù)蘇，預(yù)測(cè)2010年全球閃存市場(chǎng)已經(jīng)很熱，然而按Web-Feet Research報(bào)告，其供應(yīng)鏈部分卻遭受困境。　　按Web-Feet剛公布的全球閃存的季度報(bào)告，NOR及NAND市場(chǎng)都很熱。NOR市場(chǎng)由2009年的47億美元，上升到2010年的57億美元。而NAND市場(chǎng)與2009年相比增長(zhǎng)33.4%，達(dá)215億美元。　　這是好的消息而壞消息在供應(yīng)鏈中也開(kāi)始傳了出來(lái)。　　Apple及其它OEM釆購(gòu)大量的閃存，使得市場(chǎng)中有些購(gòu)買(mǎi)者采
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蘋(píng)果砸中閃存

　　iPhone、iPad等蘋(píng)果i家族產(chǎn)品的熱銷(xiāo)，正引發(fā)連鎖反應(yīng)。　　7月28日，閃存企業(yè)SanDisk全球高級(jí)副總裁兼零售業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Shuki Nir在上海接受本報(bào)記者專(zhuān)訪(fǎng)時(shí)表示，蘋(píng)果產(chǎn)品的熱銷(xiāo)消耗了整個(gè)閃存芯片市場(chǎng)不少庫(kù)存，目前行業(yè)正處于供不應(yīng)求的局面。　　受此拉動(dòng)，閃存芯片巨頭們普遍迎來(lái)了一個(gè)靚麗的財(cái)季。　　近期陸續(xù)出爐的最新一季財(cái)報(bào)顯示，在iPhone以及iPad的拉動(dòng)下，閃存芯片近期需求及價(jià)格大幅上升，英特爾、三星、美光、海力士、東芝、SanDisk等閃存芯片主要提供商在當(dāng)季的銷(xiāo)售
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三星電子第二季度凈利潤(rùn)36億美元同比增83%

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，三星電子周五發(fā)布了該公司2010年第二季度財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示，受芯片業(yè)務(wù)大幅增長(zhǎng)的推動(dòng)，公司第二季度凈利潤(rùn)同比增長(zhǎng)83%。　　在截至6月30日的第二季度，三星電子凈利潤(rùn)為4.28萬(wàn)億韓元(約合36億美元)。這一業(yè)績(jī)好于上年同期，2009年第二季度，三星電子的凈利潤(rùn)為2.33萬(wàn)億韓元。三星電子第二季度運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)為5萬(wàn)億韓元(約合41億美元)，創(chuàng)公司季度運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)歷史新高，同比增長(zhǎng)87.5%。三星電子第二季度營(yíng)收為37.9萬(wàn)億韓元，較去年同期增長(zhǎng)17%。三星電子本月初發(fā)布的初步財(cái)報(bào)顯示，公司第
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EUV要加大投資強(qiáng)度

　　未來(lái)半導(dǎo)體制造將越來(lái)越困難已是不爭(zhēng)的事實(shí)。巴克萊的C J Muse認(rèn)為如DRAM制造商正處于關(guān)鍵的成品率挑戰(zhàn)階段，在4x，3x節(jié)點(diǎn)時(shí)發(fā)現(xiàn)了許多問(wèn)題。目前盡管EUV光刻己經(jīng)基本就緒(或者還沒(méi)有)，是黃金時(shí)刻，然后在芯片制造中其它的工藝技術(shù)的挑戰(zhàn)也有很多，如兩次圖形曝光(在NAND，DRAM及l(fā)ogic中)，高k金屬柵等。由此，在未來(lái)的2011-2012年，甚至更長(zhǎng)一段時(shí)期內(nèi)必須要加大投資強(qiáng)度。(Citigroup的Tim Arcuri建議要有五年時(shí)間，它是在牛/熊市小組座談會(huì)上發(fā)表此看法) 。另一位會(huì)議
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三星明年將量產(chǎn)次世代NAND Flash

　　三星電子(Samsung Electronics)宣布，2011年將開(kāi)始量產(chǎn)較既有快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)速度快10倍的次世代NAND Flash。2011年開(kāi)始量產(chǎn)后，采用該產(chǎn)品的智能型手機(jī)(Smartphone)、平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)中所儲(chǔ)存的影片、照片、音樂(lè)等再生速度將更上一層樓。　　三星近期已完成可支持400Mbps資料處理速度的Toggle DDR2.0規(guī)格NAND Flash開(kāi)發(fā)作業(yè)，并計(jì)劃于2011年投入量產(chǎn)。三星計(jì)劃20奈米制程以下的NAND Flash產(chǎn)品將
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三星與東芝聯(lián)合加快NAND Flash速度

　　三星和東芝公司已經(jīng)宣布了一個(gè)合作計(jì)劃，旨在制定新規(guī)范推動(dòng)NAND快閃記憶體的傳輸速率，具體來(lái)說(shuō)，兩家公司致力于發(fā)展DDR 2.0 NAND型快閃記憶體和400MB/s的接口技術(shù)，這比目前版本的NAND閃存接口技術(shù)快了十倍，這項(xiàng)技術(shù)將于英特爾、鎂光和SanDisk共同開(kāi)發(fā)的ONFI接口進(jìn)行直接競(jìng)爭(zhēng)，主要面向高性能產(chǎn)品例如SSD以及智能手機(jī)和消費(fèi)電子產(chǎn)品。　　三星和東芝公司目前供應(yīng)NAND快閃記憶體市場(chǎng)70%的貨源，因此它們?cè)谛袠I(yè)內(nèi)具有相當(dāng)大的話(huà)語(yǔ)權(quán)，這對(duì)他們的新規(guī)范計(jì)劃將非常有利。　　三星上個(gè)月
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爾必達(dá)與Spansion簽署NAND Flash代工協(xié)議

　　日廠爾必達(dá)(Elpida)將與飛索半導(dǎo)體(Spansion)擴(kuò)大合作范圍，雙方除共同研發(fā)NAND Flash制程技術(shù)與產(chǎn)品外，爾必達(dá)將為飛索半導(dǎo)體代工生產(chǎn)NAND Flash。另外，爾必達(dá)亦在研擬雙方合作研發(fā)NOR Flash，并為其代工的可能性。　　據(jù)悉，爾必達(dá)已取得飛索的NAND IP技術(shù)的授權(quán)，該項(xiàng)技術(shù)乃是以其稱(chēng)為MirrorBit的獨(dú)家技術(shù)為基礎(chǔ)。此外，爾必達(dá)計(jì)劃自2011年起透過(guò)旗下的廣島12寸廠，為飛索代工生產(chǎn)高階NAND Flash，而雙方亦將各自進(jìn)行客戶(hù)營(yíng)銷(xiāo)。　　路透(Reut
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三星東芝支持高速DDR 2.0 NAND閃存標(biāo)準(zhǔn)

　　三星和東芝今天共同宣布，雙方將協(xié)力支持新一代高性能NAND閃存技術(shù)：擁有400Mbps接口的DDR NAND閃存，即toggle DDR 2.0規(guī)范。兩家公司將支持這一規(guī)范成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，被業(yè)界廣泛接受使用。　　最初的SDR NAND閃存架構(gòu)接口速度僅為40Mbps，現(xiàn)行的DDR 1.0標(biāo)準(zhǔn)將接口帶寬提高到了133Mbps。三星和東芝推動(dòng)的toggle DDR 2.0規(guī)范則進(jìn)一步提升到400Mbps，是DDR 1.0的3倍，普通SDR NAND閃存的10倍。　　高速閃存接口的優(yōu)勢(shì)不言而喻，未來(lái)將
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三星東芝宣布將參與DDR2.0 NAND接口規(guī)范制定工作

　　閃存業(yè)兩大巨頭三星公司與東芝公司近日宣布將支持并參與第二代DDR NAND閃存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的制訂工作，這種新一代閃存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的接口數(shù)據(jù)傳輸率將高達(dá)400Mbit/s。不過(guò)兩家公司并沒(méi)有透露他們什么時(shí)候會(huì)完成該標(biāo)準(zhǔn)規(guī) 范的制定工作，另外也沒(méi)有說(shuō)明新一代閃存規(guī)范使用的閃存芯片存儲(chǔ)密度參數(shù)。DDR2.0 NAND閃存推出后將主要面向移動(dòng)和消費(fèi)級(jí)電子類(lèi)應(yīng)用。　　現(xiàn)有的DDR1.0版本NAND閃存接口規(guī)范只是將DDR數(shù)據(jù)傳輸接口與傳統(tǒng)的單倍數(shù)據(jù)傳輸率NAND單元結(jié)合在一起使用，接口數(shù)據(jù)傳輸率僅133Mbit/s
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爾必達(dá)赴臺(tái)設(shè)NAND Flash研發(fā)中心

　　據(jù)了解，日商爾必達(dá)已決定來(lái)臺(tái)設(shè)立研發(fā)中心，且選定投入高階技術(shù)NAND Flash領(lǐng)域。爾必達(dá)來(lái)臺(tái)投資研發(fā)中心金額約在50、60億新臺(tái)幣，未來(lái)將與力晶等日系半導(dǎo)體業(yè)者進(jìn)一步合作。　　據(jù)悉，爾必達(dá)與臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)合作雖然破局，但爾必達(dá)與臺(tái)灣業(yè)者聯(lián)合抗韓的意圖依舊存在，政府單位與爾必達(dá)互動(dòng)密切，爾必達(dá)已于日前向經(jīng)濟(jì)部遞出在臺(tái)設(shè)立研發(fā)中心的初步計(jì)劃書(shū)，經(jīng)濟(jì)部正進(jìn)行審查中。　　官員透露，爾必達(dá)來(lái)臺(tái)設(shè)立研發(fā)中心的計(jì)劃相當(dāng)成熟，已進(jìn)入實(shí)質(zhì)合作內(nèi)容洽談中，研發(fā)中心切入的產(chǎn)品并非一般的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器
關(guān)鍵字： TIMC NAND DRAM

亞洲需求成全球半導(dǎo)體市場(chǎng)強(qiáng)力支撐

　　全球半導(dǎo)體市場(chǎng)需求成長(zhǎng)已優(yōu)于2008年秋季金融危機(jī)爆發(fā)前的水平，2010年5月半導(dǎo)體銷(xiāo)售額續(xù)創(chuàng)新高。就地區(qū)別來(lái)看，含大陸在內(nèi)的亞太市場(chǎng)占全球銷(xiāo)售比重已過(guò)半并持續(xù)成長(zhǎng)中，已成為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)需求的強(qiáng)力支撐。然因市場(chǎng)對(duì)歐洲經(jīng)濟(jì)成長(zhǎng)仍持疑慮，2010年秋季后市場(chǎng)需求動(dòng)態(tài)值得關(guān)注。　　美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SemiconductorIndustryAssociation;SIA)日前公布的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)指出，金融危機(jī)爆發(fā)前全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售高峰為2007年11月的231.2億美元，而2010年5月全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額達(dá)2
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SEMICON West來(lái)臨之際那些分析師說(shuō)些什么？

　　編者點(diǎn)評(píng)：每年的SEMICON West時(shí)，時(shí)間己經(jīng)過(guò)半，所以業(yè)界都會(huì)關(guān)心下半年與未來(lái)會(huì)是怎么樣。2010年半導(dǎo)體業(yè)可能十分亮麗，似乎已成定局。然而對(duì)于設(shè)備業(yè)看似今年的增長(zhǎng)幅度達(dá)90%，但是許多設(shè)備公司仍是興奮不起來(lái)，因?yàn)?010年業(yè)績(jī)的增長(zhǎng)仍顯不足于彌補(bǔ)之前的損失。而未來(lái)的前景有點(diǎn)模糊，增長(zhǎng)點(diǎn)來(lái)自哪里?似乎誰(shuí)也說(shuō)不清楚。　　SEMICON West美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備展覽會(huì)即將開(kāi)幕，與去年全球IC下降不同，如今半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)有點(diǎn)紅火。　　按市場(chǎng)調(diào)研公司 VLSI預(yù)計(jì)，2010年半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)增長(zhǎng)96%
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體設(shè)備 NAND DRAM

力晶聚焦NAND Flash　挑戰(zhàn)20納米

　　近期臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)獲得經(jīng)濟(jì)部補(bǔ)助，聯(lián)合茂德、晶豪打算從NAND Flash產(chǎn)業(yè)重起爐灶，加上力晶、旺宏亦紛投入NAND Flash市場(chǎng)，3方人馬點(diǎn)燃臺(tái)灣NAND Flash戰(zhàn)火。力晶董事長(zhǎng)黃崇仁6日表示，力晶耕耘NAND Flash產(chǎn)業(yè)6年來(lái)投入新臺(tái)幣70億元，是臺(tái)灣血統(tǒng)最純正技術(shù)，目前力晶NAND Flash技術(shù)腳步相較于國(guó)際大廠仍晚1個(gè)世代，但若未來(lái)成功走向20納米制程，對(duì)臺(tái)灣NAND Flash研發(fā)是很大突破。　　事實(shí)上，力晶NAND Flash產(chǎn)品系師承日商瑞薩(Renes
關(guān)鍵字： TIMC NAND