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EEPW首頁 >> 主題列表 >> sic mosfet

功率半導體的革命：SiC與GaN的共舞（二）

  • GaN和SiC將區(qū)分使用　　2015年，市場上或許就可以穩(wěn)定采購到功率元件用6英寸SiC基板。并且，屆時GaN類功率元件 ...
  • 關鍵字： 功率  半導體  SiC  GaN  

山東天岳及韓國SK集團等亞洲企業(yè)全面涉足SiC晶圓業(yè)務

  • 　　在SiC及GaN等新一代功率半導體領域，以韓國和中國為代表的亞洲企業(yè)的實力不斷增強。不僅是元件及模塊，零部件領域也顯著呈現(xiàn)出這種趨勢。在2013年9月29日～10月4日舉行的SiC功率半導體國際學會“ICSCRM2013”(日本宮崎縣PhoenixSeagaiaResort)上，最近開始擴大SiC晶圓業(yè)務的亞洲企業(yè)紛紛出展。 　　山東天岳先進材料科技有限公司(SICC)展出了將從2014年4月開始對外銷售的直徑2～4英寸(50mm～100mm)的SiC裸晶圓。該公司當前的目標
  • 關鍵字： SiC  晶圓  

麥瑞推出85V半橋MOSFET驅(qū)動器

  • 2013年10月07日，高性能線性和電源解決方案、局域網(wǎng)以及時鐘管理和通信解決方案領域的行業(yè)領導者麥瑞半導體公司(納斯達克股票代碼：MCRL)推出了85V半橋MOSFET驅(qū)動器MIC4604。MIC4604具有集成的85V陰極負載二極管和業(yè)內(nèi)最寬廣的可編程柵極驅(qū)動電壓范圍(5.5V至16V)等特點。
  • 關鍵字： 麥瑞  MOSFET  MIC4604  

功率穩(wěn)壓逆變電源的設計與應用

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
  • 關鍵字： 功率穩(wěn)壓逆變電源  MOSFET  TL494  電壓型電流源  

通過集成式解決方案進一步簡化PFC電路的設計

  • 開關電源因具有良好的輸入電壓調(diào)整率和負載調(diào)整率、高轉換效率以及體積小巧等優(yōu)勢，如今幾乎為所有電子系統(tǒng)采用。在最高至500 W的功率范圍內(nèi)，開關電源包括大批量不同功率的應用，例如LED/LCD電視機、LED照明、PC以及其他IT設備。
  • 關鍵字： PFC  LED  HiperPFS  MOSFET  CCM  

創(chuàng)新的MOSFET封裝大大簡化電源的設計

  • 目前，電源工程師面臨的一個主要難題是，隨著商用電子產(chǎn)品的功能日益增多，其尺寸不斷縮小，留給電源電路的空間...
  • 關鍵字： 電源設計  MOSFET  

飛兆增添功率鏈分立式器件功率損耗和效率分析工具

  • 飛兆半導體公司(紐約證券交易所代號： FCS)，全球領先的高性能功率和移動半導體解決方案供應商，最近將Power Supply WebDesigner (PSW) – 一款在線設計和模擬工具，可在一分鐘內(nèi)提供完整的設計–進一步強化，引入傳動系分立式(MOSFET/IGBT/整流器)器件功率損耗和效率分析工具。
  • 關鍵字： 飛兆  MOSFET  IGBT  整流器  

以較高的開關頻率在負載點 (POL) 應用中工作

  • 摘要： Power Clip 33 封裝十分新穎，旨在增加同步整流 (SR) 降壓應用中的功率密度，同時使用與傳統(tǒng)分立式 Power 56 封裝相比明顯較小的 PCB 面積。 本文詳細分析飛兆 Power Clip 3.3x3.3 Dual 是如何實現(xiàn)這一性能的。
  • 關鍵字： 飛兆  Power  POL  MOSFET  晶圓  

影響MOSFET性能的一些因素

  • 在追求不斷提高能效的過程中，MOSFET的芯片和封裝也在不斷改進。盡管四十多年來我們對這種器件有了很多了...
  • 關鍵字： MOSFET  

IR推出25V FastIRFET創(chuàng)新功率MOSFET系列

  • 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出25V FastIRFET創(chuàng)新功率MOSFET系列，適用于先進的電信和網(wǎng)絡通訊設備、服務器、顯卡、臺式電腦、超極本 (Ultrabook) 和筆記本電腦等DC-DC同步降壓應用。
  • 關鍵字： IR  MOSFET  DC-DC  FastIRFET  

PV逆變器應用升溫，推動SiC功率元件發(fā)展

  • 碳化硅（SiC）功率元件正快速在太陽能（PV）逆變器應用市場攻城掠地。SiC功率元件具高頻和耐高溫特性，不僅可較傳...
  • 關鍵字： PV  逆變器  SiC  功率元件  

從原理到具體電路，深入剖析MOSFET的工作方式

  • 1.概述MOSFET的原意是：MOS（MetalOxideSemiconductor金屬氧化物半導體），F(xiàn)ET（FieldEffectTransistor場...
  • 關鍵字： 場效應管  MOSFET  

分立器件 一款可替代集成MOSFET驅(qū)動器的卓越解決方案

  • 在電源設計小貼士#42中，我們討論了MOSFET柵極驅(qū)動電路中使用的發(fā)射器跟蹤器，并且了解到利用小型SOT-23...
  • 關鍵字： MOSFET  驅(qū)動器  

LTC4366高壓浪涌抑制器實例應用講解（獨家）

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
  • 關鍵字： LTC4366  浪涌抑制器  MOSFET  

Vishay的TrenchFET Gen III P溝道功率MOSFET具有極低導通電阻

  • 2013 年 9 月5 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，擴充其采用超小PowerPAK? SC-70封裝的TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。
  • 關鍵字： Vishay  MOSFET  導通電阻  
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