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飛兆開發(fā)出SP 5智能功率模塊系列三相MOSFET逆變器解決方案

  • 　　電機(jī)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員需要能夠在嚴(yán)苛的應(yīng)用條件下，提高效率同時(shí)確保最高可靠性的解決方案。為此，飛兆半導(dǎo)體開發(fā)了SPM? 5 智能功率模塊系列三相 MOSFET 逆變器解決方案，為設(shè)計(jì)人員提供交流感應(yīng)電機(jī) (ACIM) 和無刷直流電機(jī)逆變器解決方案，適用于功率最高為 200 W 的電機(jī)，包括風(fēng)扇電機(jī)、洗碗機(jī)和各種小型工業(yè)電機(jī)。
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SiC和GaN是“下一代”還是“當(dāng)代”？

  • 　　SiC企業(yè)不斷增多，成本不斷下降”一文中，作者根津在開篇寫道：“下一代功率半導(dǎo)體已經(jīng)不再特別?！边@是因?yàn)?，隨著使用SiC和GaN等“下一代功率半導(dǎo)體”的大量發(fā)布，在學(xué)會(huì)和展會(huì)的舞臺(tái)上，這種功率半導(dǎo)體逐漸帶上了“當(dāng)代”的色彩。 　　那么，在使用功率半導(dǎo)體的制造現(xiàn)場，情況又是如何呢?雖然使用SiC和GaN的產(chǎn)品目前尚處開始增加的階段，仍屬于“下一代”，但在功率半導(dǎo)體使用者的心目中，此類產(chǎn)品已逐漸由
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理想二極管和熱插拔控制器實(shí)現(xiàn)電源冗余并隔離故障

  • 用肖特基二極管實(shí)現(xiàn)多電源系統(tǒng)有多種方式。例如，μTCA 網(wǎng)絡(luò)及存儲(chǔ)服務(wù)器等高可用性電子系統(tǒng)都在其冗余電源系統(tǒng)中采用了肖特基二極管“或”電路。二極管“或”電路還用于采用備用電源的系統(tǒng)，例如 AC 交流適配器和備份電池饋送。
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Vishay新款-40V和-30V MOSFET擴(kuò)充Gen III P溝道產(chǎn)品

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用PowerPAK? 1212-8封裝的-40V---SiS443DN和PowerPAK? 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件，擴(kuò)充其TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。
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GT推出碳化硅爐新產(chǎn)品線

  • GT Advanced Technologies(納斯達(dá)克：GTAT)日前推出其新型SiClone(TM) 100碳化硅(SiC)生產(chǎn)爐。 SiClone100采用升華生長技術(shù)，能生產(chǎn)出高品質(zhì)的半導(dǎo)體SiC晶體塊，可最終制成最大直徑為100毫米的芯片。 在其初步階段，SiClone100主要針對本身已經(jīng)擁有熱場、合格的晶體塊生產(chǎn)配方及正準(zhǔn)備開始量產(chǎn)的客戶。
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復(fù)蘇乏力 元件供應(yīng)商日子難過

  • 　　雖然所有領(lǐng)先指標(biāo)都顯示2013年下半年將恢復(fù)季節(jié)性增長，但包括半導(dǎo)體在內(nèi)的電子元件產(chǎn)業(yè)目前訂單情況遜于當(dāng)前市場復(fù)蘇階段的預(yù)期水平。據(jù)IHS公司的元件價(jià)格走勢追蹤服務(wù)，這種需求缺口可能限制今年電子元件市場的增長幅度。 　　2013年商品類芯片的總體前景仍然堅(jiān)挺，預(yù)計(jì)半導(dǎo)體營業(yè)收入增長4.8%，盡管該市場的各個(gè)領(lǐng)域不會(huì)同樣強(qiáng)勁。 　　在假日季節(jié)之前的這個(gè)時(shí)期，MOSFET、電容與邏輯器件的訂單活動(dòng)沒有呈現(xiàn)出通常的水平。這個(gè)階段通常出現(xiàn)交貨期延長和價(jià)格上漲現(xiàn)象，而目前尚未看到這些情況。同時(shí)，消費(fèi)電子、汽
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為您的電源選擇正確的工作頻率——電源設(shè)計(jì)小貼士

  • 歡迎來到電源設(shè)計(jì)小貼士！隨著現(xiàn)在對更高效、更低成本電源解決方案需求的強(qiáng)調(diào)，我們創(chuàng)建了該專欄，就各種電源管理...
  • 關(guān)鍵字： 工作頻率    MOSFET    Pcon  

飛兆的100V BOOSTPAK解決方案降低了系統(tǒng)成本

  • 飛兆半導(dǎo)體公司是高性能功率半導(dǎo)體和移動(dòng)半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商，通過引入 100 V BoostPak 設(shè)備系列優(yōu)化 MOSFET 和二極管選擇過程，將 MOSFET 和二極管集成在一個(gè)封裝內(nèi)，代替 LED 電視 / 顯示器背光、LED 照明和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中目前使用的分立式解決方案。
  • 關(guān)鍵字： 飛兆  MOSFET  LED  

安森美推出兩款新的MOSFET器件

  • 安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor) 推出兩款新的MOSFET器件，用于智能手機(jī)及平板電腦應(yīng)用，作為鋰離子電池充電/放電保護(hù)電路開關(guān)的關(guān)鍵組成部分。EFC6601R和EFC6602R幫助設(shè)計(jì)人員減小方案尺寸、提升能效及將電池使用時(shí)間延至最長。
  • 關(guān)鍵字： 安森美  MOSFET  鋰離子電池  

Vishay大幅擴(kuò)充E系列650V N溝道功率MOSFET家族

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其E系列器件新增650V功率MOSFET。這些22款新器件采用8種不同封裝，將10V下的導(dǎo)通電阻擴(kuò)展到30mΩ～600mΩ，將最高電流等級擴(kuò)大為6A～105A。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  E系列  MOSFET  

功率MOSFET基礎(chǔ)知識

  • 什么是功率MOSFET？我們都懂得如何利用二極管來實(shí)現(xiàn)開關(guān)，但是，我們只能對其進(jìn)行開關(guān)操作，而不能逐漸控制信...
  • 關(guān)鍵字： 功率  MOSFET  基礎(chǔ)知識  

用IGBT代替MOSFET的可行性分析

  • 一、引言電力電子設(shè)備正朝著高頻、高效、高可靠、高功率因數(shù)和低成本的方向發(fā)展，功率器件則要求高速、...
  • 關(guān)鍵字： IGBT  MOSFET  

AOS發(fā)布150V MOSFET旗艦產(chǎn)品

  • 日前，集設(shè)計(jì)，研發(fā)一體的著名功率半導(dǎo)體及芯片供應(yīng)商萬國半導(dǎo)體(AOS, 納斯達(dá)克代碼: AOSL)發(fā)布了旗下最新150V MOSFET器件: AON6250。該器件作為AOS AlphaMOS? (?MOS?)中壓系列旗艦產(chǎn)品，為眾多設(shè)備追求極致效率提供了解決方案。
  • 關(guān)鍵字： AOS  AON6250  MOSFET  

飛兆四路MOSFET解決方案提高了效率

  • 高分辨率、緊湊有源整流橋應(yīng)用(如網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī))中的過熱可能導(dǎo)致圖像質(zhì)量問題。 同樣，熱致噪聲可能影響系統(tǒng)的圖像傳感器，也會(huì)降低相機(jī)的圖片質(zhì)量。 調(diào)節(jié)熱波動(dòng)的典型散熱解決方案會(huì)增加元件數(shù)量，占用電路板空間，讓這些設(shè)計(jì)變得更復(fù)雜。
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未來十年GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場將以18%的速度穩(wěn)增

  • 　　在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動(dòng)機(jī)的需求驅(qū)動(dòng)，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。 　　據(jù)有關(guān)報(bào)告稱，至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預(yù)測，未來十年這一市場的銷售額將實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的年增長率。 　　SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結(jié)晶性場效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導(dǎo)體則剛剛進(jìn)入市場。G
  • 關(guān)鍵字： GaN  半導(dǎo)體  SiC  
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