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UniFET?II MOSFET功率轉(zhuǎn)換器[飛兆半導(dǎo)體]

電源設(shè)計(jì)小貼士 28：估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升――第 1 部分

  • 在本電源設(shè)計(jì)小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡(jiǎn)單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設(shè)備插入通電的電壓總線時(shí)限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設(shè)備運(yùn)行中斷。
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電源設(shè)計(jì)小貼士 29：估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升――第 2 部分

  • 在本《電源設(shè)計(jì)小貼士》中，我們將最終對(duì)一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡(jiǎn)單方法進(jìn)行研究。在《電源設(shè)計(jì)小貼士28》中，我們討論了如何設(shè)計(jì)溫升問(wèn)題的電路類(lèi)似方法。我們把熱源建模成了電流源。根據(jù)系統(tǒng)組件的物理屬性
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估算熱插拔MOSFET溫升的方案

  • 　本電源設(shè)計(jì)小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡(jiǎn)單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設(shè)備插入通電的電壓總線時(shí)限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設(shè)備運(yùn)行中斷。
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  熱插拔  方案    

估算熱插拔MOSFET的瞬態(tài)溫升

  • 在本電源設(shè)計(jì)小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔MOSFET溫升的簡(jiǎn)單方法。熱插拔電路用于將電...
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MOSFET雪崩能量的應(yīng)用考慮

  • 　在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)的過(guò)程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應(yīng)用有什么樣的聯(lián)系，如何在實(shí)際的應(yīng)用中
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國(guó)際整流器公司擴(kuò)大汽車(chē)專(zhuān)用MOSFET 組合

  • 　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 宣布擴(kuò)大了旗下包括邏輯電平器件系列在內(nèi)的 40V 至 100V 汽車(chē)專(zhuān)用 MOSFET 組合。新系列 MOSFET 適合傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī) (ICE) 平臺(tái)以及微型混合動(dòng)力和全混合動(dòng)力平臺(tái)上的重載應(yīng)用。 　　
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RF功率MOSFET產(chǎn)品及工藝

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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恩智浦發(fā)布業(yè)界最低RDSon的30V MOSFET

  • 　　恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.今天發(fā)布了NextPower系列首款30V Power-SO8 MOSFET，擁有業(yè)界最低RDSon，4.5V時(shí)僅為1.4mΩ。全新的MOSFET器件PSMN1R0-30YLC，專(zhuān)門(mén)針對(duì)4.5V開(kāi)關(guān)應(yīng)用優(yōu)化，采用LFPAK封裝技術(shù)，是目前業(yè)界最牢固的Power-SO8封裝。NextPower技術(shù)已專(zhuān)門(mén)針對(duì)高性能DC-DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，例如隔離電源和電源OR-ing中的同步降壓調(diào)節(jié)器、同步整流器。 　　技術(shù)要點(diǎn)： 　　&mi
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Diodes新即插即用器件提升負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器效率

  • 　　Diodes公司推出兩款新型雙通道器件DMS3017SSD及DMS3019SSD，擴(kuò)展了旗下DIOFET產(chǎn)品系列。DMS3017SSD及DMS3019SSD將一個(gè)經(jīng)過(guò)優(yōu)化的控制MOSFET及一個(gè)專(zhuān)有DIOFET集成在一個(gè)SO8封裝中，為消費(fèi)類(lèi)及工業(yè)應(yīng)用的負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器提供高效的解決方案。
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如何為具體應(yīng)用恰當(dāng)?shù)倪x擇MOSFET

  • 雖然工程師都熟諳MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)上的品質(zhì)因數(shù)，但為了選擇出合適的MOSFET，工程師必需利用自己的專(zhuān)業(yè)知識(shí)對(duì)各個(gè)具體應(yīng)用的不同規(guī)格進(jìn)行全面仔細(xì)的考慮。例如，對(duì)于服務(wù)器電源中的負(fù)載開(kāi)關(guān)這類(lèi)應(yīng)用，由于MOSFET基本上
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深入理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表

  • 本文不準(zhǔn)備寫(xiě)成一篇介紹功率MOSFET的技術(shù)大全,只是讓讀者去了解如何正確的理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表中的常用主要參數(shù),以幫助設(shè)計(jì)者更好的使用功率MOSFET進(jìn)行設(shè)計(jì)。　　數(shù)據(jù)表中的參數(shù)分為兩類(lèi):即最大額定值和電氣特性值。
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  數(shù)據(jù)表    

瑞薩電子高壓MOS在進(jìn)行產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)的注意要點(diǎn)

  • 　　本文主要介紹瑞薩電子(又稱(chēng)：Renesas)高壓MOS在客戶電源等產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)的選型以及特性的說(shuō)明，為客戶的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)提供參考性的設(shè)計(jì)意見(jiàn)。 　　MOSFET以其電壓控制、開(kāi)關(guān)頻率高、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電源等產(chǎn)品中。Renesas高壓MOS涵蓋漏源電壓(VDSS)等級(jí)600V、800V、900V、1400V，具有極低的RDS(ON)和豐富的封裝系列，應(yīng)用十分廣泛。 　　MOSFET最重要的兩個(gè)參數(shù)是漏源電壓(VDSS)和導(dǎo)通電阻RDS(ON)。電流值和最大耗散功率值必須仔細(xì)觀察，因?yàn)樗鼈冎挥?/li>
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