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PI新推出的TOPSwitch-JX系列電源轉(zhuǎn)換IC
- PI公司今日宣布推出TOPSwitch-JX系列器件,新產(chǎn)品系列共由16款高度集成的功率轉(zhuǎn)換IC組成,其內(nèi)部均集成有一個725 V功率MOSFET,適用于設(shè)計反激式電源。新型TOPSwitch-JX器件采用多模式控制算法,可提高整個負(fù)載范圍內(nèi)的功率效率。由于在滿功率下工作效率較高,因此可減少正常工作期間的功率消耗量,同時降低系統(tǒng)散熱管理的復(fù)雜性及費用支出。在低輸入功率水平下,高效率還可使適配器的空載功耗降至最低,增大待機(jī)模式下對系統(tǒng)的供電量,這一點特別適用于受到能效標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范約束的產(chǎn)品應(yīng)用。
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飛兆半導(dǎo)體微型以封裝高效產(chǎn)品應(yīng)對DC-DC設(shè)計挑戰(zhàn)
- 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)推出具高效率和出色熱性能,并有助實現(xiàn)更薄、更輕和更緊湊的電源解決方案的MOSFET產(chǎn)品系列,可應(yīng)對工業(yè)、計算和電信系統(tǒng)對更高效率和功率密度的設(shè)計挑戰(zhàn)。 FDMC7570S是采用3mm x 3mm MLP 封裝、具有業(yè)界最低RDS(ON)的25V MOSFET器件,可提供無與倫比的效率和結(jié)溫性能。FDMC7570S在10VGS 下的RDS(ON) 為1.6mOhm,在4.5VGS下則為2.3mOhm;其傳導(dǎo)損耗更比其它外形尺寸相同
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飛兆半導(dǎo)體在IIC China展會上展示功率技術(shù)和移動技術(shù)
- 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semicondcutor) 將在IIC China 2010展會上,展示其最新的功率技術(shù)和移動技術(shù)。時間及地點分別是3月4至5日于深圳會展中心2號展館2K19展臺,以及3月15至16日于上海世貿(mào)商城四樓8H01展臺。 智能移動解決方案: 飛兆半導(dǎo)體將展示其豐富的模擬技術(shù)產(chǎn)品系列,以及相關(guān)的定制解決方案和系統(tǒng)級專有技術(shù),這些產(chǎn)品及方案在解決移動領(lǐng)域之設(shè)計和應(yīng)用難題方面發(fā)揮不可或缺的重要作用。例如,飛兆半導(dǎo)體的業(yè)界最小的USB附件開關(guān)FSA800將所有主
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馬達(dá)設(shè)計中提升更高的效率
- 中心議題: 馬達(dá)的結(jié)構(gòu) 提升馬達(dá)工作的效率 解決方案: 正弦脈沖調(diào)制控制方式 智能功率模塊 近些年來,家用電器對節(jié)能的要求變得越來越強(qiáng)烈。這是很顯然的,僅電冰箱所消耗的能量就超過家庭用電量的10%。由于電冰箱的馬達(dá)主要在低速運轉(zhuǎn),就有非常大的節(jié)能潛力,通過在低速驅(qū)動器中簡單改進(jìn)馬達(dá)的驅(qū)動效率就能實現(xiàn)。 同樣,據(jù)估計工業(yè)用電的65%被電驅(qū)動馬達(dá)所消耗,毫無疑問,商家正逐漸意識到節(jié)能將成為改善收益率和競爭能力的關(guān)鍵。在電驅(qū)動馬達(dá)中降低能量消耗有兩種主要的方式:改善
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英飛凌推出OptiMOS調(diào)壓MOSFET和DrMOS系列
- 英飛凌科技股份公司近日宣布,公司將在2010年應(yīng)用電力電子會議和產(chǎn)品展示會上,推出OptiMOS 25V器件系列,壯大OptiMOS 功率 MOSFET產(chǎn)品陣容。該系列器件經(jīng)過優(yōu)化,適合應(yīng)用于計算機(jī)服務(wù)器電源的電壓調(diào)節(jié)電路和電信/數(shù)據(jù)通信的開關(guān)。這種全新的MOSFET還被集成進(jìn)滿足英特爾DrMOS規(guī)范的TDA21220 DrMOS。 通過大幅降低三個關(guān)鍵的能效優(yōu)值(FOM),這種全新的器件無論在任何負(fù)載條件下,都可使MOSFET功耗降低20%,同時達(dá)到更高的性能。此外,更高的功率密度還能讓典型電
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CISSOID引入了新系列P通道高溫功率MOSFET晶體管
- CISSOID,在高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者,介紹了 VENUS,他們的新系列高溫 30V 的 P通道功率 MOSFET 晶體管保證操作在攝氐負(fù)55度到225度之間。P通道功率 MOSFETs 的VENUS系列命名為 CHT-PMOS3002,CHT-PMOS3004 及CHT-PMOS3008,其最大漏電流額定分別為2A,4A及8A。它們補(bǔ)充了該公司在2009年11月介紹的 N 通道 MOSFETs 的 SATURN 系列。 VENUS 功率 MOSFETs 表現(xiàn)出色的高溫性能。在攝氏 225
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安森美半導(dǎo)體推出高壓MOSFET系列
- 應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充公司市場領(lǐng)先的功率開關(guān)產(chǎn)品陣容,推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)系列。這些新方案的設(shè)計適合功率因數(shù)校正(PFC)和脈寬調(diào)制(PWM)段等高壓、節(jié)能應(yīng)用的強(qiáng)固要求,在這些應(yīng)用中,加快導(dǎo)通時間及降低動態(tài)功率損耗至關(guān)重要。具體而言,這些方案非常適合用于游戲機(jī)、打印機(jī)和筆記本電源適配器,及應(yīng)用于ATX電源、液晶顯示器(LCD)面板電源和工業(yè)照明鎮(zhèn)流器。 這些新的500 V和60
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NXP 推出全新60 V和100 V晶體管
- 恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)今天宣布推出全新60 V和100 V晶體管,擴(kuò)充Trench 6 MOSFET產(chǎn)品線。新產(chǎn)品采用Power SO-8LFPAK封裝,支持60 V和100 V兩種工作電壓。Trench 6芯片技術(shù)和高性能LFPAK封裝工藝的整合賦予新產(chǎn)品出色的性能和可靠性,為客戶提供眾多實用價值。 LFPAK是一種“真正”意義上的功率封裝,通過優(yōu)化設(shè)計實現(xiàn)最佳熱/電性能、成本優(yōu)勢和可靠性。LFPAK是汽車行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101唯一認(rèn)可的
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利用智能MOSFET驅(qū)動器提升數(shù)字控制電源性能
- 在電源系統(tǒng)中,MOSFET驅(qū)動器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號轉(zhuǎn)換為高速的大電流信號,以便以最快的速度打開和關(guān)閉MOSFET。由于驅(qū)動器IC與MOSFET的位置相鄰,所以就需要增加智能保護(hù)功能以增強(qiáng)電源的可靠性。 UC
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安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充N溝道功率MOSFET系列
- 應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充N溝道功率MOSFET系列,新增12款100伏(V)器件。安森美半導(dǎo)體經(jīng)過完備測試的N溝道功率MOSFET提供高達(dá)500毫焦(mJ)的業(yè)界領(lǐng)先雪崩額定值,非常適用于要顧慮因非鉗位電感型負(fù)載引致過渡電壓應(yīng)力的設(shè)計。 安森美半導(dǎo)體這些100 V功率MOSFET器件的典型應(yīng)用包括工業(yè)電機(jī)控制、電源、不間斷電源(UPS)中的電源逆變器,以及汽車中的直接燃?xì)鈬娚?DGI)。這些無鉛器件,符合RoHS指令,關(guān)鍵的規(guī)范特性包括:
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Maxim推出用于高壓系統(tǒng)的高邊MOSFET驅(qū)動器
- Maxim推出用于高壓系統(tǒng)的高邊MOSFET驅(qū)動器MAX15054。該器件能夠為需要采用降壓或升降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、但不帶必需的高邊MOSFET驅(qū)動器的HB (高亮度) LED設(shè)計提供低成本方案。MAX15054在單串和多串LED驅(qū)動器中通過使用降壓以及單電感升降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),并將地電位作為輸出電壓的參考點,從而使設(shè)計人員避免了采用SEPIC結(jié)構(gòu)帶來的成本和設(shè)計復(fù)雜度。 MAX15054可提供2A驅(qū)動電流,具有極低(12ns,典型值)的傳輸延時和較短的上升、下降時間。器件的雙UVLO (欠壓鎖定)功能保
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