- Diodes 公司推出采用超小型 SOT963封裝的雙極晶體管 (BJT)、MOSFET和瞬態(tài)抑制二極管 (TVS) 器件，性能可媲美甚至超過采用更大封裝的器件。
Diodes SOT963的占板面積僅有0.7 mm2，比SOT723封裝少30%，比SOT563封裝少60%，適合低功耗應用。占板面積節(jié)省加上0.5 mm的離板高度，讓Diodes 的 SOT963 封裝器件能夠滿足各種超便攜式電子產品的要求。
現(xiàn)階段推出的SOT963封裝產品線包括6款通用雙極雙晶體管組合、3款小信號雙MOS
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Diodes MOSFET BJT TVS
- 我們先來看看MOS關模型：
Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
Cgd：是兩個不同作用的結果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是
耗盡區(qū)電容
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MOSFET 驅動器 功耗計算
- 之前，我們介紹了如何對正向轉換器輸出整流器開啟期間兩端的電壓進行緩沖。現(xiàn)在，我們來研究如何對反向轉換器的 FET 關斷電壓進行緩沖。圖 1 顯示了反向轉換器功率級和一次側 MOSFET 電壓波形。該轉換器將能量存儲于
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轉換器 緩沖 設計 MOSFET TI 德州儀器
- 前言:
Panasonic電工的“PhotoMOS”是一款采用光電元件以及功率MOSFET進行輸出的輸出光電耦合器。面試二十年間，在全世界的銷量達到八億個，堪稱是一款銷售成績驕人的商品。“PhotoMOS”滿足了小型·輕量·薄形化的需求，作為適應電子化的輸出光電耦合器，增加了①高靈敏性、高速響應;②從傳感器輸入信號水平到高頻的控制;③從聲音信號到高頻用途的對應;④高可靠性和長使用壽命;⑤可進行表面安裝的SMD型;⑥多功能
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松下電工 MOSFET PhotoMOS 光電耦合器
- 英飛凌科技股份公司近日面向大電流應用的汽車推出一款具備全球最低通態(tài)電阻的30V功率MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。全新的OptiMOS™-T2 30V MOSFET是一款N溝道器件，在10V柵源電壓條件下，漏極電流為180A，而通態(tài)電阻僅為0.9毫歐。采用D2PAK-7封裝的IPB180N03S4L-H0，可滿足客戶對標準封裝功率 MOSFET的需求：以最低成本獲得高額定電流和最低通態(tài)電阻。
基于英飛凌適用于功率MOSFET的功能強大的第二代溝槽技術，OptiMOS-T
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英飛凌 MOSFET
- 英飛凌科技股份公司近日面向大電流應用的汽車推出一款具備全球最低通態(tài)電阻的30V功率MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。全新的OptiMOS?-T2 30V MOSFET是一款N溝道器件，在10V柵源電壓條件下，漏極電流為180A，而通態(tài)電阻僅為0.9毫歐。采用D2PAK-7封裝的IPB180N03S4L-H0，可滿足客戶對標準封裝功率 MOSFET的需求：以最低成本獲得高額定電流和最低通態(tài)電阻。
基于英飛凌適用于功率MOSFET的功能強大的第二代溝槽技術，OptiMOS-T2器件成為大
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英飛凌 MOSFET
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 今天宣布拓展了針對低導通電阻(RDS(on))應用的汽車用功率 MOSFET 專用系列，包括車載電源及內燃機 (ICE) 、微型混合動力和全混合動力平臺上的重載應用。
新的 MOSFET 系列器件系列在 55V 的電壓下可提供低達 2.6 mΩ 的導通電阻，可以承受 40V 至100V 的電壓，并涵蓋了此前推出的 75V 產品。當中一些具有更高電壓的器件非常適用于 24V 卡車系統(tǒng)，采用 D2Pak-7P
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IR MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)界最小和最薄的N溝道芯片級功率MOSFET --- Si8800EDB，該器件也是面積低于1mm2的首款產品。20V MICRO FOOT® Si8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度，可減少在便攜式電子產品中占用的空間。
隨著便攜式產品變得愈加小巧，器件的尺寸成為選擇器件的重要因素，因為按鍵和電池占用了大部分空間，使PCB的面積受到極大限制。Si8800EDB具有超小的外形和
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Vishay MOSFET
- 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新HEXFET®功率MOSFET系列。該器件采用業(yè)界標準SOT-23封裝，具有超低導通電阻 (RDS(on)) ，適用于電池充電及放電開關、系統(tǒng)和負載開關、輕載電機驅動，以及電信設備等應用。
新款SOT-23 MOSFET 器件采用IR最新的中壓硅技術，通過大幅降低90% RDS(on)顯著改善了電流處理能力，為客戶的特定應用優(yōu)化了性能及價格。
IR
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IR MOSFET HEXFET
- 2010年6月8日，由中國電子技術權威雜志《電子產品世界》舉辦的“2009年度電源產品評選”活動在“第七屆綠色電源與電源管理技術研討會”舉行了頒獎典禮。社長陳秋娜女士宣布了最終的獲獎結果，中國電源學會常務理事長李龍文和陳秋娜女士分別為獲獎廠商代表進行頒獎。本次活動中共收到來自近20家國內外電源廠商提交的五大類別60多款產品，經網(wǎng)上票選和專家測評最終的分別選出最佳創(chuàng)新獎和最佳應用獎獲獎產品，另外還同時從所有參選產品中特別評選出了兩款綠色電源獎產品獎。
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電源管理 MOSFET LED驅動
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，該MOSFET在10V柵極驅動下的最大導通電阻達到超低的0.555Ω，柵極電荷減小為48nC，采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK(TO-263)封裝。
這三款器件的低導通電阻意味著更低的功率損耗，從而在各種應用的功率因數(shù)校正(PFC)升壓電路、脈寬調
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Vishay MOSFET
- 包括德儀、 英飛凌、國家半導體(NS)、安森美(On Semi)等IDM廠，開出高于業(yè)界水平價格，包下 臺積電、 聯(lián)電、世界先進等晶圓代工產能，成熟制程產能不足問題，已對立锜、致新等臺灣模擬IC業(yè)者造成排擠效應。為了避免下半年旺季時無貨可出，臺灣業(yè)者只能松口答應調漲代工價10%至15%不等幅度，以便爭取到更多產能。
下半年將進入手機及計算機銷售旺季，不論市場是否對市場需求有所疑慮，但業(yè)界仍認為旺季仍會有旺季應有表現(xiàn)，至少第3季的手機、筆電、消費性電子產品等出貨量，與去年同期相較仍有2成至3成的年
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飛思卡爾 MOSFET 模擬IC
- 市場研究機構iSuppli指出，部分模擬、邏輯、內存與電源管理IC 出現(xiàn)嚴重缺貨現(xiàn)象，導致價格上揚與交貨期延長至“令人擔憂的程度”。“當交貨期來到20周左右的水平，意味著零組件供應端與需求端出現(xiàn)了很大的差異;”追蹤半導體與零組件價格的iSuppli資深分析師Rick Pierson表示。
當零組件供應端出現(xiàn)吃緊情況，對照目前正處于復蘇狀態(tài)的市場，或許并不令人驚訝;Pierson指出，特定的市場與價格也激化各種零組件領域出現(xiàn)不同程度的短缺。根據(jù)iSu
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電源管理 MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用針對更高電壓器件優(yōu)化的新型低導通電阻技術的首款TrenchFET?功率MOSFET --- ThunderFET? SiR880DP。新器件是業(yè)界首款在4.5V柵極驅動下就能導通的80V功率MOSFET。新的80V SiR880DP采用熱增強型PowerPAK? SO-8封裝，在4.5V、7.5V和10V下具有8.5m?、6.7m?和5.9m?的超低導通電阻。在4.5V柵極驅動下，該器件的典型導通電
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Vishay MOSFET SiR880DP
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產品組合，提供完整的中壓器件系列，它們采用了5x6 mm PQFN封裝及優(yōu)化銅夾和焊接芯片技術。
新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術來實現(xiàn)基準性能，適用于網(wǎng)絡和電信設備的DC-DC轉換器、AC-DC開關電源(SMPS)及電機驅動開關等開關應用。由于新器件滿足40V到250V的寬泛電壓，所以可提供不同水平的導通電阻(RDS(on))和柵極電荷(Qg)，為客戶的特定應用提供
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IR MOSFET HEXFET
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