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IR拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合
- 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合,提供完整的中壓器件系列,它們采用了5x6 mm PQFN封裝及優(yōu)化銅夾和焊接芯片技術(shù)。 新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術(shù)來實(shí)現(xiàn)基準(zhǔn)性能,適用于網(wǎng)絡(luò)和電信設(shè)備的DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC開關(guān)電源(SMPS)及電機(jī)驅(qū)動(dòng)開關(guān)等開關(guān)應(yīng)用。由于新器件滿足40V到250V的寬泛電壓,所以可提供不同水平的導(dǎo)通電阻(RDS(on))和柵極電荷(Qg),為客戶的特定應(yīng)用提供
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英飛凌推出CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列
- 英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS™ C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級結(jié)(SJ)器件的優(yōu)勢(如低導(dǎo)通電阻和低容性開關(guān)損耗)與輕松控制的開關(guān)行為、及體二極管高牢固性融合在一起。基于同樣的技術(shù)平臺,C6器件針對易用性進(jìn)行了優(yōu)化,而E6器件則旨在提供最高效率。 CoolMOS™ C6/E6是來自英飛凌的第六代市場領(lǐng)先的高壓超級結(jié)功率MOSFET。全新的650V CoolMOS™ C6/E6器件具備快速、可控的開關(guān)性能,
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TI推出可在25A電流下實(shí)現(xiàn)超過90%高效率的同步MOSFET半橋
- 德州儀器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 電流下實(shí)現(xiàn)超過 90% 高效率的同步 MOSFET 半橋,其占位面積僅為同類競爭功率 MOSFET 器件的 50%。TI 全新 CSD86350Q5D 功率模塊通過高級封裝將 2 個(gè)非對稱 NexFET 功率 MOSFET 進(jìn)行完美整合,可為服務(wù)器、臺式機(jī)與筆記本電腦、基站、交換機(jī)、路由器以及高電流負(fù)載點(diǎn) (POL) 轉(zhuǎn)換器等低電壓同步降壓半橋應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高性能。更多詳情,敬請?jiān)L問:www.ti.com.cn/powerblock-prcn。 NexF
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Vishay發(fā)布助客戶進(jìn)一步節(jié)約器件占位空間和系統(tǒng)成本的解決方案的視頻教程
- 日前, Vishay Intertechnology, Inc.宣布,為幫助客戶了解在一個(gè)小尺寸器件內(nèi)組合封裝的高邊和低邊MOSFET如何節(jié)省DC-DC轉(zhuǎn)換器的空間和成本,該公司在其網(wǎng)站(http://www.vishay.com)上新增了一個(gè)流媒體視頻,展示SiZ700DT PowerPAIR?雙芯片不對稱功率MOSFET解決方案。 傳統(tǒng)上,設(shè)計(jì)者要在筆記本電腦、VRM、電源模塊、圖形卡、服務(wù)器和游戲機(jī),以及工業(yè)系統(tǒng)的DC-DC轉(zhuǎn)換中實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)電源、POL、低電流DC-DC和同步降壓轉(zhuǎn)換
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英飛凌推出下一代CoolMOS MOSFET C6系列
- 英飛凌科技股份公司(Infineon)推出下一代高性能金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)600V CoolMOS C6系列。有了600V Cool-MOS C6系列器件,諸如PFC(功率因數(shù)校正)級或PWM(脈寬調(diào)制)級等能源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的能源效率可得到大幅提升。全新C6技術(shù)融合了現(xiàn)代超結(jié)結(jié)構(gòu)及包括超低單位面積導(dǎo)通電阻(例如采用TO-220封裝,電阻僅為99毫歐)在內(nèi)的補(bǔ)償器件的優(yōu)勢,同時(shí)具有更低的電容開關(guān)損耗、更簡單的開關(guān)特性控制特性和更結(jié)實(shí)耐用的增強(qiáng)型體二極管。 C6系列是英飛凌推
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飛兆推出30V MOSFET器件FDMS7650
- 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為服務(wù)器、刀片式服務(wù)器和路由器的設(shè)計(jì)人員帶來業(yè)界首款RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件,采用Power 56封裝,型號為 FDMS7650。FDMS7650 可以用作負(fù)載開關(guān)或ORing FET,為服務(wù)器中心 (server farm) 在許多電源并行安排的情況下提供分擔(dān)負(fù)載功能。FET的連續(xù)導(dǎo)通特性,可降低功耗和提高效率,以提升服務(wù)器中心的總體效率。FDMS7650 是首款采用 Power56 封裝以突破1
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TI 推出一款同步 MOSFET 半橋
- 德州儀器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 電流下實(shí)現(xiàn)超過 90% 高效率的同步 MOSFET 半橋,其占位面積僅為同類競爭功率 MOSFET 器件的 50%。TI 全新 CSD86350Q5D 功率模塊通過高級封裝將 2 個(gè)非對稱 NexFET 功率 MOSFET 進(jìn)行完美整合,可為服務(wù)器、臺式機(jī)與筆記本電腦、基站、交換機(jī)、路由器以及高電流負(fù)載點(diǎn) (POL) 轉(zhuǎn)換器等低電壓同步降壓半橋應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高性能。 NexFET 功率模塊除提高效率與功率密度外,還能夠以高達(dá) 1.5 MHz 的開關(guān)頻率生
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Vishay改進(jìn)ThermaSim在線MOSFET熱仿真工具
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,對其ThermaSim在線MOSFET熱仿真工具進(jìn)行了改進(jìn),為設(shè)計(jì)者提供更好的仿真精度、效率和用戶友好度。 Vishay的ThermaSim是一個(gè)免費(fèi)工具,可讓設(shè)計(jì)者在制造原型前,對器件進(jìn)行細(xì)致的熱仿真,從而加快產(chǎn)品上市。ThermaSim是首款使用結(jié)構(gòu)復(fù)雜的功率MOSFET模型的在線MOSFET仿真工具,使用有限元分析(FEA)技術(shù)生成的MOSFET模型提高了仿真精度。 設(shè)計(jì)者還可以定義其他散熱器件,并仿真這些元器件對M
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功率半導(dǎo)體行業(yè)的春天
- 功率半導(dǎo)體下游需求旺盛,發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇勢頭增強(qiáng),iSuppli公司預(yù)測2010年半導(dǎo)體市場營業(yè)收入為2833億美元,增長率達(dá)到23.2%. MOSFET市場前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元,MOSFET的銷售額占全部功率半導(dǎo)體的比重大約為20%,MOSFET主要應(yīng)用于消費(fèi)電子、計(jì)算機(jī)、工業(yè)控制、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子和電力設(shè)備六大領(lǐng)域。 IGBT:節(jié)能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷售額大約為31.36億美元,IGBT的銷售額占全部功率半
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功率半導(dǎo)體下游需求旺盛 前景看好
- 功率半導(dǎo)體下游需求旺盛,發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇勢頭增強(qiáng),iSuppli公司預(yù)測2010年半導(dǎo)體市場營業(yè)收入為 2833億美元,增長率達(dá)到23.2%。 MOSFET市場前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元,MOSFET的銷售額占全部功率半導(dǎo)體的比重大約為20%,MOSFET主要應(yīng)用于消費(fèi)電子、計(jì)算機(jī)、工業(yè)控制、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子和電力設(shè)備六大領(lǐng)域。 IGBT:節(jié)能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷售額大約為31.36億美元,IGBT的銷售額占全部功率
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Maxim推出內(nèi)置MOSFET的供電設(shè)備(PSE)控制器
- Maxim推出單端口、供電設(shè)備(PSE)控制器MAX5971A,適用于IEEE® 802.3af/at兼容的大功率以太網(wǎng)供電(PoE+)應(yīng)用。器件集成導(dǎo)通電阻為0.5Ω的功率MOSFET和檢測電阻,有效節(jié)省了空間和成本,能夠?yàn)镮P電話、IP照相機(jī)、無線LAN接入點(diǎn)以及視頻監(jiān)控照相機(jī)等用電設(shè)備(PD)提供每端口高達(dá)40W的功率。 MAX5971A完全兼容IEEE 802.3af和IEEE 802.3at標(biāo)準(zhǔn)。器件工作在32V至60V電壓范圍,為IEEE 802.3af/at兼容
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英飛凌推出第二代ThinQ! 碳化硅肖特基二極管
- 英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封裝的第二代SiC(碳化硅)肖特基二極管。新的TO220 FullPak產(chǎn)品系列不僅延續(xù)了第二代ThinQ! SiC肖特基二極管的優(yōu)異電氣性能,而且采用全隔離封裝,無需使用隔離套管和隔離膜,使安裝更加簡易、可靠。 獨(dú)具特色的是,新的TO220 FullPAK器件的內(nèi)部結(jié)到散熱器的熱阻與標(biāo)準(zhǔn)非隔離TO-220器件類似。這要?dú)w功于英飛凌已獲得專利的擴(kuò)散焊接工藝,該技術(shù)大大降低了內(nèi)部芯片到管腳的熱阻,有效地彌補(bǔ)了FullPAK內(nèi)部隔離層的散
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