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Linear 推出高速同步 MOSFET 驅(qū)動器 LTC4449
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驅(qū)動器 LTC4449,該器件為在同步整流轉(zhuǎn)換器拓撲中驅(qū)動高端和低端 N 溝道功率 MOSFET 而設(shè)計。這個驅(qū)動器結(jié)合凌力爾特公司的 DC/DC 控制器和功率 FET 可形成一個完整的高效率同步穩(wěn)壓器,該穩(wěn)壓器可用作降壓型或升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。 LTC4449 在 4V 至 6.5V 范圍內(nèi)驅(qū)動高端和低端 MOSFET 柵極,以高達 38V 的電源電壓工作。這個強大的驅(qū)動器可以吸收
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RS添加超過900種飛兆半導(dǎo)體裝置
- RS Components于今日宣布,增加飛兆半導(dǎo)體900種新裝置,飛兆是全球領(lǐng)先節(jié)能半導(dǎo)體技術(shù)供應(yīng)商。RS目前擁有最先進、最全面的飛兆電源產(chǎn)品系列,均可從庫存直接發(fā)貨至廣大設(shè)計工程師。 新添加的電源IC家族包括飛兆獲得大獎的直流直流控制器,融合了領(lǐng)先行業(yè)的便攜式裝置高功率、高性能、功率密度和規(guī)格等特點。RS推出的飛兆系列也包括Intellimax™負荷開關(guān)和MOSFET、高性能光耦合器、二極管、IGBT、邏輯及接口產(chǎn)品。 飛兆的FAN2XXX和FAN5XXX直流直流控制器家族
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IR 推出適用于汽車的 DirectFET 2 功率 MOSFET
- 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 今天推出適用于汽車的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET®2 功率 MOSFET。這兩款產(chǎn)品以堅固可靠、符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的封裝為汽車應(yīng)用實現(xiàn)了卓越的功率密度、雙面冷卻和極小的寄生電感和電阻。 IR 的這些首款汽車用 DirecFET2 件完全不含鉛,與傳統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)塑料封裝元件相比,可降低整體系統(tǒng)級尺寸和成本,實現(xiàn)更優(yōu)異的性能和效率。 IR 亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉
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英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件
- 英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件,進一步擴大OptiMOSTM產(chǎn)品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統(tǒng)、DC/DC變換器、不間斷電源(UPS)和直流電機驅(qū)動。憑借同類器件中最低的優(yōu)質(zhì)化系數(shù)(FOM),OptiMOS 200V和250V技術(shù)可使系統(tǒng)設(shè)計的導(dǎo)通損耗降低一半。 對于應(yīng)用二極管整流的48V開關(guān)電源而言,工程師們現(xiàn)在有了全新的選擇,從而使得整體效率大于95%。這比當(dāng)前典型的效率水平高出兩個百分點,從功率損耗的角度看,也就是發(fā)熱量降
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TI 推出通過封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率MOSFET
- 日前,德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個通過封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對其它標(biāo)準(zhǔn)尺寸封裝的產(chǎn)品,DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于縮小終端設(shè)備的尺寸,同時還可將MOSFET允許的電流提高 50%,并改進散熱管理。 該系列包含的 5 款 NexFET 器件支持計算機與電信系統(tǒng)設(shè)計人員使用具有擴充內(nèi)存及更高電流的處理器,同時顯著節(jié)省板級空間。這些采用高級封裝的 MOSFET 可廣泛用于各種
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晶圓廠產(chǎn)能不足 MOSFET供貨警報響
- 臺晶圓代工廠產(chǎn)能供應(yīng)失序情形,近期已逐漸從8寸晶圓向下蔓延到5寸及6寸晶圓,包括LCD驅(qū)動IC及電源管理IC紛向下?lián)寠Z5寸、6寸晶圓產(chǎn)能動作,讓許久未傳出缺貨的金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(MOSFET)亦出現(xiàn)客戶一直緊急追單,MOSFET市場明顯供不應(yīng)求現(xiàn)象,對臺系相關(guān)供應(yīng)商如富鼎、尼克森及茂達2010年第1季營收表現(xiàn),將有顯著貢獻。 臺系MOSFET供應(yīng)商指出,近期合作的5寸、6寸晶圓廠內(nèi)部產(chǎn)能利用率直線拉升,影響所及,盡管公司緊急向晶圓廠加單,不過,由于加單動作明顯落后其它業(yè)者,未來3個月可
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TI 推出面向高電流 DC/DC 應(yīng)用的功率MOSFET
- 日前,德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個通過封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對其它標(biāo)準(zhǔn)尺寸封裝的產(chǎn)品,DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于縮小終端設(shè)備的尺寸,同時還可將MOSFET允許的電流提高 50%,并改進散熱管理。 該系列包含的 5 款 NexFET 器件支持計算機與電信系統(tǒng)設(shè)計人員使用具有擴充內(nèi)存及更高電流的處理器,同時顯著節(jié)省板級空間。這些采用高級封裝的 MOSFET 可廣泛用于
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Vishay推出12V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款12V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiB455EDK。該器件采用熱增強的PowerPAK® SC-75封裝,占位面積為1.6mm x 1.6mm,具有業(yè)內(nèi)P溝道器件最低的導(dǎo)通電阻。 SiB455EDK是采用第三代TrenchFET P溝道技術(shù)的最新產(chǎn)品,使用了自對準(zhǔn)工藝技術(shù),在每平方英寸的硅片上裝入了10億個晶體管單元。這種最先進的技術(shù)實現(xiàn)了超精細、亞微米的節(jié)距工藝,將業(yè)內(nèi)
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英飛凌和飛兆半導(dǎo)體達成侵權(quán)訴訟和解協(xié)議
- 英飛凌科技股份公司今天宣布,公司與飛兆半導(dǎo)體公司之間的專利侵權(quán)訴訟已達成和解。2008年11月,英飛凌向美國特拉華州地方法院提起訴訟。本訴和反訴標(biāo)的包括與超結(jié)功率晶體管以及溝槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶體管有關(guān)的14項專利。 通過廣泛的半導(dǎo)體技術(shù)專利交叉許可,雙方就上述訴訟達成和解。根據(jù)和解協(xié)議,飛兆半導(dǎo)體將向英飛凌支付許可費,但協(xié)議的具體條款和條件保密。 英飛凌和飛兆半導(dǎo)體將通知美國特拉華州地方法院,雙方已經(jīng)達成和解,并將申請撤訴。 作為半導(dǎo)體行業(yè)的全球領(lǐng)袖,英飛凌目前正
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IGBT核心技術(shù)及人才缺失 工藝技術(shù)缺乏
- 新型電力半導(dǎo)體器件的代表,IGBT的產(chǎn)業(yè)化在我國還屬空白。無論技術(shù)、設(shè)備還是人才,我國都處于全方位的落后狀態(tài)。應(yīng)當(dāng)認識到,電力半導(dǎo)體器件和集成電路在國民經(jīng)濟發(fā)展中地位同樣重要,因此,政府應(yīng)該對IGBT產(chǎn)業(yè)予以大力扶持。 眾所周知,電力電子技術(shù)可以提高用電效率,改善用電質(zhì)量,是節(jié)省能源的王牌技術(shù)。當(dāng)今以絕緣柵雙極晶體管(IGBT)為代表的新型電力半導(dǎo)體器件是高頻電力電子線路和控制系統(tǒng)的核心開關(guān)元器件,它的性能參數(shù)將直接決定著電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。IGBT已成為新型電力半導(dǎo)體器件的代表性器件,
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安森美推出符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的自保護低端MOSFET驅(qū)動IC
- 安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)推出高度集成保護的NCV840x系列低端自保護MOSFET。這系列器件通過了AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)認證,非常適用于嚴(yán)格的汽車及工業(yè)工作環(huán)境中的開關(guān)應(yīng)用。 NCV8401、NCV8402、NCV8402D(雙裸片)、NCV8403及NCV8404的設(shè)計是為了提供強固及可靠的工作,這些器件全都有豐富的自保護特性,包括限溫及限流、靜電放電(ESD)保護,以及用于過壓保護(OVP)的集成漏極至柵極鉗位。 安森美半導(dǎo)體汽車
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