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PI推出帶集成控制器/MOSFET的高效率功率因數(shù)校正IC產(chǎn)品系列

  •   用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日宣布推出全新的HiperPFS產(chǎn)品,一款集成高壓MOSFET并可實現(xiàn)功率因數(shù)校正(PFC)的控制器芯片。HiperPFS器件采用創(chuàng)新的控制方案,可提高輕載條件下的效率。此外,與使用分立式MOSFET和控制器的設(shè)計相比,HiperPFS器件能大幅減少元件數(shù)和縮小電路板占用面積,同時簡化系統(tǒng)設(shè)計并增強可靠性。HiperPFS器件采用極為緊湊的薄型eSIPä封裝,適合75 W至1 kW的PFC應(yīng)用。   歐洲
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Vishay Siliconix推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S,該MOSFET在10V柵極驅(qū)動下具有0.07Ω的超低最大導(dǎo)通電阻,柵極電荷減小到216nC,采用TO-247封裝。   
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Diodes 推出強固型MOSFET

  •   Diodes 公司推出專為IP電話(VoIP)通信開發(fā)的新型60V N溝道器件,擴展了其MOSFET產(chǎn)品系列。新型 Diodes DMN60xx 系列專為處理產(chǎn)生正極線和負極線換行線路饋電 (Tip and Ring Linefeeds) 所需的高脈沖電流,以及抵擋電源開關(guān)時引起的雪崩能量而設(shè)計。該器件能夠滿足基于變壓器的用戶線路接口電路 (SLIC) 直流/直流轉(zhuǎn)換器對基本切換功能的嚴格要求。   Diodes 這次推出的四款產(chǎn)品提供四種不同的行業(yè)標(biāo)準封裝選擇,包括:SOT223封裝的DMN606
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市調(diào)公司Semico調(diào)整ASIC市場

  •   在由Xilinx主辦的會議上市調(diào)公司Semico的Richard Wawrzyniak’s作了有關(guān)全球ASIC市場的報告。Semico對于傳統(tǒng)的ASIC市場將只有低增長的預(yù)測,而可編程邏輯電路(PLD)在帶寬與可移動聯(lián)結(jié)等日益增長的需求推動下將有大的發(fā)展?! ?/li>
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IR 拓展堅固可靠、系統(tǒng)可擴展的車用 DirectFET?2 功率 MOSFET 系列

  •   全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 宣布拓展了車用DirectFET®2功率MOSFET系列。該系列具有非常出色的功率密度、雙面冷卻功能以及最小寄生電感和電阻,適用于重負載應(yīng)用,包括電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、電源、混合動力汽車的電池開關(guān)、微型混合動力汽車的集成起動發(fā)電機系統(tǒng)等。   與傳統(tǒng)的標(biāo)準塑料封裝器件相比,IR 的車用 DirectFET®2 器件可以實現(xiàn)整個系統(tǒng)級尺寸和更低的成本,以及超高的性
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滿足供電需求的新型封裝技術(shù)和MOSFET

  • 當(dāng)維持相同的結(jié)點溫度時,可以獲得更高的輸出功率和改善功率密度。另外,散熱能力的提高使得電路在提供額定電流的同時,還可以額外提供不超過額定電流50%的更高電流,并使器件工作在更低的溫度、減少發(fā)熱對其他器件的影響,也提高了系統(tǒng)的可靠性。
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Vishay Siliconix 推出新款500V的 N溝道功率MOSFET超低導(dǎo)通電阻

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出4款新型500V、16A的N溝道功率MOSFET --- SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C。新MOSFET在10V柵極驅(qū)動下具有0.38Ω的超低最大導(dǎo)通電阻,柵極電荷降至68nC,采用TO-220AB、TO-220 FULLPAK、D2PAK和TO-247AC封裝。   SiHP16N50C (TO-220AB)、SiHF16N50C (TO-220 FULLPA
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一種MOSFET雙峰效應(yīng)的簡單評估方法

  • 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)是由一個金氧半(MOS)二機體和兩個與其緊密鄰接的P-n接面(p-n junction)所組成。自從在1960年首次證明后,MOSFET快速的發(fā)展
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Diodes 推出強固型MOSFET 輕松應(yīng)對IP電話通信設(shè)備的嚴峻考驗

  •   Diodes 公司推出專為IP電話(VoIP)通信開發(fā)的新型60V N溝道器件,擴展了其MOSFET產(chǎn)品系列。新型 Diodes DMN60xx 系列專為處理產(chǎn)生正極線和負極線換行線路饋電 (Tip and Ring Linefeeds) 所需的高脈沖電流,以及抵擋電源開關(guān)時引起的雪崩能量而設(shè)計。該器件能夠滿足基于變壓器的用戶線路接口電路 (SLIC) 直流/直流轉(zhuǎn)換器對基本切換功能的嚴格要求。   Diodes 這次推出的四款產(chǎn)品提供四種不同的行業(yè)標(biāo)準封裝選擇,包括:SOT223封裝的DMN606
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硅功率MOSFET在電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的應(yīng)用

  •  功率MOSFET作為雙極晶體管的替代品最早出現(xiàn)于1976年。與那些少數(shù)載流子器件相比,這些多數(shù)載流子器件速度更快、更堅固,并且具有更高的電流增益。因此開關(guān)型電源轉(zhuǎn)換技術(shù)得以真正商用化。早期臺式電腦的AC/DC開關(guān)電
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Panasonic電工PhotoMOS MOSFET的控制電路

  •   前言   Panansonic電工的PhotoMOS在輸出中采用了光電元件和功率MOSFET,是作為微小模擬信號用而開發(fā)出的SSD,以高功能型的HF型為首,正逐步擴展系列,如通用型的GU型、高頻型的RF型。   上次介紹了PhotoMOS的概要,此次將介紹內(nèi)置在PhotoMOS中構(gòu)成控制電路的獨特的光電元件的特點、構(gòu)造、布線等。   FET型MOSFET輸出光電耦合器的基本電路   圖1是PhotoMOS中具有代表性的、即所謂的FET型MOSFET輸出光電耦合器的最基本電路。在該電路中由于輸出
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瑞薩電子推出3款新型功率MOSFET產(chǎn)品

  •   高級半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商瑞薩電子株式會社(以下簡稱瑞薩電子)已于近日宣布開始供應(yīng)第12代新型功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管)產(chǎn)品—— RJK0210DPA、RJK0211DPA和RJK0212DPA。新產(chǎn)品作為面向DC/DC轉(zhuǎn)換器的功率半導(dǎo)體器件,主要面向計算機服務(wù)器和筆記本電腦等的應(yīng)用。   本次推出的3款功率MOSFET可用于控制CPU和存儲器的電壓轉(zhuǎn)換電路。例如,可作為降壓電路,用于將電池提供的12V電壓轉(zhuǎn)換為1.05V,以便為CPU所用。隨著公司進一步推進
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Panasonic電工PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的概要2

  •   b觸點型“PhotoMOS”的開發(fā)   隨著PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的優(yōu)勢被廣泛了解,人們將其用于信息通信設(shè)備、OA設(shè)備、FA設(shè)備及其他廣泛的領(lǐng)域。為了滿足大眾進一步的需求,本公司開發(fā)出了“可通過機械實現(xiàn)、并擁有所有觸點構(gòu)成(b觸點、c觸點)”的PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器。   為實現(xiàn)該產(chǎn)品的開發(fā),我們在功率MOSFET制造工藝中采用了融有DSD法(Double-Diffused and Selective Do
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IR 推出為 D 類應(yīng)用優(yōu)化的汽車用 DirectFET2 功率 MOSFET

  •   全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 今天宣布推出汽車用 DirectFET®2 功率 MOSFET 系列,適合D 類音頻系統(tǒng)輸出級等高頻開關(guān)應(yīng)用。   新推出的 AUIRF7640S2、AUIRF7647S2 和 AUIRF7675M2 器件,拓展了 IR 適用于汽車 D 類音頻系統(tǒng)的 DirectFET®2 功率 MOSFET 陣營,并利用低柵極電荷 (Qg) 作出優(yōu)化,來改善總諧波失真
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基于功率MOSFET的激光器外觸發(fā)系統(tǒng)研制

  • 采用功率MOSFET及其驅(qū)動器和光纖收發(fā)器件,研究了激光觸發(fā)開關(guān)脈沖功率源控制技術(shù)中的快上升沿(≤5 ns)觸發(fā)信號產(chǎn)生、驅(qū)動、傳輸及光纖隔離、高耐壓脈沖變壓器使用等關(guān)鍵技術(shù)。給出了激光器外觸發(fā)控制電路的設(shè)計及測試結(jié)果,并對其應(yīng)用特點進行了分析和討論。
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