sram 文章進(jìn)入sram技術(shù)社區(qū)

基于單片SRAM和FPGA的紅外圖像顯示的設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn)

介紹一種采用單片SRAM和FPGA實(shí)現(xiàn)紅外圖像顯示的新方案，并對(duì)顯示系統(tǒng)結(jié)構(gòu)、FPGA各功能模塊設(shè)計(jì)、SRAM的讀/寫時(shí)序設(shè)計(jì)進(jìn)行了詳細(xì)論述。該圖像顯示方案可用于紅外圖像處理系統(tǒng)的硬件調(diào)試和紅外圖像處理效果觀測(cè)。
關(guān)鍵字：紅外圖像顯示 SRAM FPGA

基于國(guó)產(chǎn)龍芯GS32I的小系統(tǒng)的硬件設(shè)計(jì)

　　一. 引言　　目前，嵌入式系統(tǒng)已經(jīng)滲透到各個(gè)領(lǐng)域：工業(yè)控制，軍事國(guó)防，消費(fèi)類電子產(chǎn)品，網(wǎng)絡(luò)通信等，但大部分領(lǐng)域的應(yīng)用都是基于國(guó)外各大廠商的嵌入式處理器。在嵌入式領(lǐng)域使用國(guó)產(chǎn)芯片，走國(guó)產(chǎn)化道路已經(jīng)成為一個(gè)迫切需要解決的問題。目前國(guó)內(nèi)的芯片主要有星光系列、漢芯系列、神威系列、青鳥嵌入式芯片、方舟系列、龍芯系列等，這些芯片各有自己的特點(diǎn)。　　本設(shè)計(jì)采用了龍芯系列的GS32I SoC處理器，探討并設(shè)計(jì)如何構(gòu)造一個(gè)小型嵌入式硬件系統(tǒng)，同時(shí)兼顧科研與應(yīng)用兩方面的要求，在該平臺(tái)的基礎(chǔ)上可以連接各
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車用存儲(chǔ)器市場(chǎng)分析

在“2017慕尼黑上海電子展”前夕的“汽車技術(shù)日”上，ISSI技術(shù)市場(chǎng)經(jīng)理田步嚴(yán)介紹了車用存儲(chǔ)器市場(chǎng)，包括：信息娛樂、ADAS、儀表總成、connectivity telematics四大類。
關(guān)鍵字：汽車 SRAM DRAM SDRAM e.MMC 201704

使用QDR-IV設(shè)計(jì)高性能網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)——第三部分

　　在本系列第二部分，我們探討了總線轉(zhuǎn)換、總線翻轉(zhuǎn)、地址奇偶校驗(yàn)等重要的總線問題。在第三也是最后一部分，我們將探討校正問題，其中包括矯正訓(xùn)練、控制/地址信號(hào)校正和讀寫校正，以及糾錯(cuò)碼(ECC)和QDR-IV存儲(chǔ)器控制器的設(shè)計(jì)建議?！　⌒Ｕ?xùn)練序列　　存儲(chǔ)器控制器和QDR IV較高的工作頻率意味著數(shù)據(jù)有效窗口很窄。QDR-IV器件支持“校正訓(xùn)練序列”，它可通過減少字節(jié)通道之間的偏差擴(kuò)大這個(gè)窗口，從而在控制器讀取存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)時(shí)，增加時(shí)序余量。校正訓(xùn)練序列是賽普拉斯的QDR-IV SRAM的
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使用QDR-IV設(shè)計(jì)高性能網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)——第二部分

　　總線轉(zhuǎn)換的注意事項(xiàng)　　總線轉(zhuǎn)換時(shí)間非常重要，其決定了讀和寫指令間是否需要額外的間隔來避免在同一個(gè)I/O 端口上發(fā)生總線沖突?！　∠胂笙翾DR-IV HP SRAM 中端口A 先后收到寫指令和讀指令。從CK 信號(hào)的上升沿(與初始化寫指令周期相對(duì)應(yīng))算起，在整整三個(gè)時(shí)鐘周期后向DQA 引腳提供寫數(shù)據(jù)。讀數(shù)據(jù)則將在下一個(gè)周期發(fā)送，因?yàn)?nbsp;DQ從CK 信號(hào)的上升沿(與初始化讀指令的周期相應(yīng))算起五個(gè)時(shí)鐘周期后才能獲得數(shù)據(jù)。
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使用QDR-IV設(shè)計(jì)高性能網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)——第一部分

　　流媒體視頻、云服務(wù)和移動(dòng)數(shù)據(jù)推動(dòng)了全球網(wǎng)絡(luò)流量的持續(xù)增長(zhǎng)。為了支持這種增長(zhǎng)，網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)必須提供更快的線路速率和每秒處理數(shù)百萬個(gè)數(shù)據(jù)包的性能。在網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)中，數(shù)據(jù)包的到達(dá)順序是隨機(jī)的，且每個(gè)數(shù)據(jù)包的處理需要好幾個(gè)存儲(chǔ)動(dòng)作。數(shù)據(jù)包流量需要每秒鐘訪問數(shù)億萬次存儲(chǔ)器，才能在轉(zhuǎn)發(fā)表中找到路徑或完成數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)?！　?shù)據(jù)包速率與隨機(jī)存儲(chǔ)器訪問速率成正比。如今的網(wǎng)絡(luò)設(shè)備需要具有很高的隨機(jī)訪問速率(RTR)性能和高帶寬才能跟上如今高速增長(zhǎng)的網(wǎng)絡(luò)流量。其中，RTR是衡量存儲(chǔ)器可以執(zhí)行的完全隨機(jī)存儲(chǔ)(讀或?qū)?的次數(shù)，即隨機(jī)存儲(chǔ)速
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基于QDR-IV SRAM實(shí)現(xiàn)高性能網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)設(shè)計(jì)

　　在過去40年里，隨著制造工藝的進(jìn)步，各種專用存儲(chǔ)設(shè)備不斷推向市場(chǎng)，滿足著不同系統(tǒng)的存儲(chǔ)需求。眾多的選擇，意味著系統(tǒng)架構(gòu)師和設(shè)計(jì)者可以同時(shí)考慮多種方案，根據(jù)應(yīng)用選擇合適的存儲(chǔ)子系統(tǒng)。尤其是在網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用方面，架構(gòu)師面臨著不斷增加的網(wǎng)絡(luò)流量所帶來的挑戰(zhàn)。　　據(jù)估計(jì)，2015年到2020年期間，網(wǎng)絡(luò)流量的年均復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)將達(dá)到22%，這一增長(zhǎng)主要來自于無線設(shè)備的爆炸式增長(zhǎng)以及不斷增加的視頻用量。由于數(shù)據(jù)包處理的隨機(jī)性，網(wǎng)絡(luò)傳輸?shù)年P(guān)鍵—路由器和交換機(jī)的性能將和所使用的存儲(chǔ)子系統(tǒng)的隨機(jī)存取性能(以隨機(jī)存取
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STM32硬件調(diào)試詳解

　　STM32的基本系統(tǒng)主要涉及下面幾個(gè)部分：　　一、電源　　1)、無論是否使用模擬部分和AD部分，MCU外圍出去VCC和GND，VDDA、VSSA、Vref(如果封裝有該引腳)都必需要連接，不可懸空;　　2)、對(duì)于每組對(duì)應(yīng)的VDD和GND都應(yīng)至少放置一個(gè)104的陶瓷電容用于濾波，并接該電容應(yīng)放置盡量靠近MCU; 3)、用萬用表測(cè)試供電電壓是否正確。調(diào)試時(shí)最好用數(shù)字電源供電，以便過壓或過流燒壞板子。電壓最好一步一步從進(jìn)線端測(cè)試到芯片供電端。　　二、復(fù)位、啟動(dòng)選擇　　1)、Boot引腳與JTAG無
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基于DBL結(jié)構(gòu)的嵌入式64kb SRAM的低功耗設(shè)計(jì)

針對(duì)嵌入式系統(tǒng)的低功耗要求，采用位線分割結(jié)構(gòu)和存儲(chǔ)陣列分塊譯碼結(jié)構(gòu)，完成了64 kb低功耗SRAM模塊的設(shè)計(jì)。
關(guān)鍵字： SRAM DBL 64 kb

SDR SDRAM（理論篇）

由于SDRAM本身就是一個(gè)比較復(fù)雜的東西，之前小墨在學(xué)這方面東西的時(shí)候感覺很是吃力，于是那時(shí)候便暫時(shí)放下了，知道年后這段時(shí)間，小墨又重新拾起這個(gè)知識(shí)點(diǎn)，想要一口氣把它調(diào)通了，再往下看其他的東西。學(xué)SDRAM，理
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賽普拉斯的異步SRAM產(chǎn)品系列又添新丁

具有片上錯(cuò)誤校正代碼的低功耗MoBL器件橫空出世。與沒有ECC功能的SRAM相比，16 Mb SRAM的數(shù)據(jù)可靠性提高了幾千倍，同時(shí)可延長(zhǎng)手持式設(shè)備的電池工作時(shí)
關(guān)鍵字：賽普拉斯 SRAM MoBL

SRAM在新一代IoT和可穿戴嵌入式設(shè)計(jì)中的作用

上世紀(jì)90年代中期，英特爾決定把SRAM整合到自己的處理器中，這給世界各地的獨(dú)立式SRAM供應(yīng)商帶來“滅頂之災(zāi)”。最大的SRAM市場(chǎng)(PC 高速緩存)一
關(guān)鍵字：可穿戴設(shè)備物聯(lián)網(wǎng) SRAM

SRAM簡(jiǎn)介及與DRAM/SDRAM的比較

RAMRAM是指通過指令可以隨機(jī)的、個(gè)別的對(duì)各個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行訪問的存儲(chǔ)器，一般訪問時(shí)間基本固定，而與存儲(chǔ)單元地址無關(guān)。RAM的速度比較快，但其保
關(guān)鍵字： SRAM DRAM SDRAM 比較

從Flash和SRAM中觸發(fā)中斷的過程示例

使用LPC2106的Timer 1 進(jìn)行的簡(jiǎn)單的中斷處理。示例代碼中Timer1分為FIQ和IRQ，用戶可以從Flash或者SRAM中運(yùn)行這些代碼。示例展示了ARM構(gòu)架中中斷是如何操作
關(guān)鍵字： Flash SRAM 觸發(fā)中斷

替代閃存的存儲(chǔ)新技術(shù)有哪些？

不同存儲(chǔ)器都有其各自的優(yōu)勢(shì)和缺點(diǎn)，由消費(fèi)類產(chǎn)品驅(qū)動(dòng)的存儲(chǔ)器市場(chǎng)在呼喚性能更優(yōu)存儲(chǔ)器技術(shù)，當(dāng)然也要價(jià)格便宜。
關(guān)鍵字： MRAM SRAM

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sram介紹

　　SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。不像DRAM內(nèi)存那樣需要刷新電路，每隔一段時(shí)間，固定要對(duì)DRAM刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點(diǎn)，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，所以在主板上SRAM存儲(chǔ)器要占用一 [ 查看詳細(xì) ]