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3d-nand
消息稱三星下代 400+ 層 V-NAND 2026 年推出,0a DRAM 采用 VCT 結(jié)構(gòu)
網(wǎng)絡(luò)與存儲
三星
存儲
V-NAND
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2024-10-29
TrendForce:預(yù)計 Q4 NAND Flash 合約價將下調(diào) 3% 至 8%
網(wǎng)絡(luò)與存儲
NAND 閃存
存儲
市場分析
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2024-10-15
臺積電OIP推3D IC設(shè)計新標(biāo)準(zhǔn)
EDA/PCB
臺積電
OIP
3D IC設(shè)計
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2024-09-30
三星電子開發(fā)出其首款基于第八代V-NAND的車載SSD
網(wǎng)絡(luò)與存儲
三星電子
V-NAND
車載SSD
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2024-09-24
三星首款!第八代V-NAND車載SSD發(fā)布:讀取4400MB/s
網(wǎng)絡(luò)與存儲
三星電子
NAND
PCIe 4.0
車載SSD
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2024-09-24
2024二季度NAND Flash出貨增長放緩,AI SSD推動營收季增14%
網(wǎng)絡(luò)與存儲
TrendForce
集邦咨詢
NAND Flash
AI SSD
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2024-09-09
TrendForce:今年 Q2 NAND 閃存出貨增長放緩,AI SSD 推動營收環(huán)比增長 14%
網(wǎng)絡(luò)與存儲
內(nèi)存
NAND Flash
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2024-09-09
消息稱三星電子確認(rèn)平澤 P4 工廠 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線投資,目標(biāo)明年 6 月投運(yùn)
網(wǎng)絡(luò)與存儲
NAND
閃存
三星電子
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2024-08-12
1000層3D NAND Flash時代即將到來
網(wǎng)絡(luò)與存儲
NAND Flash
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2024-08-12
存儲亮劍!NAND技術(shù)多點(diǎn)突破
網(wǎng)絡(luò)與存儲
存儲
NAND
TrendForce
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2024-08-09
為 1000 層 NAND 閃存制造鋪平道路,泛林推出新一代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0
網(wǎng)絡(luò)與存儲
NAND
閃存
泛林集團(tuán)
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2024-08-01
消息指 SK 海力士加速 NAND 研發(fā),400+ 層閃存明年末量產(chǎn)就緒
網(wǎng)絡(luò)與存儲
SK海力士
內(nèi)存
NAND
|
2024-08-01
消息稱 SK 海力士考慮推動 NAND 業(yè)務(wù)子公司 Solidigm 在美 IPO
網(wǎng)絡(luò)與存儲
SK海力士
內(nèi)存
NAND
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2024-07-29
長江存儲再度“亮劍”,在美國起訴美光侵犯其 11 項專利
網(wǎng)絡(luò)與存儲
長江存儲
NAND
美光
內(nèi)存
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2024-07-23
為什么QLC可能是NAND閃存的絕唱?
網(wǎng)絡(luò)與存儲
NAND
|
2024-07-16
三星發(fā)布了其首款60TB固態(tài)硬盤,能否搶占先機(jī)?
三星
固態(tài)硬盤
V-NAND
|
2024-07-08
內(nèi)存制造技術(shù)再創(chuàng)新,大廠新招數(shù)呼之欲出
網(wǎng)絡(luò)與存儲
HBM
3D DRAM
|
2024-07-08
鎧俠產(chǎn)能滿載 傳7月量產(chǎn)最先進(jìn)NAND Flash產(chǎn)品
EDA/PCB
鎧俠
NAND Flash
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2024-07-04
鎧俠公布藍(lán)圖:2027年實現(xiàn)1000層3D NAND堆疊
網(wǎng)絡(luò)與存儲
鎧俠
3D NAND堆疊
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2024-07-01
SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破:良品率已達(dá)56.1%
網(wǎng)絡(luò)與存儲
SK海力士
3D DRAM
|
2024-06-26
西門子推出Calibre 3DThermal軟件,持續(xù)布局3D IC市場
EDA/PCB
西門子
Calibre 3DThermal
3D IC
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2024-06-25
NAND市場,激戰(zhàn)打響
網(wǎng)絡(luò)與存儲
三星
第九代 V-NAND
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2024-06-20
鎧俠結(jié)束減產(chǎn)?兩座NAND工廠開工率提高至100%
網(wǎng)絡(luò)與存儲
鎧俠
NAND
|
2024-06-20
Omdia:2027 年 QLC 市場規(guī)模將占整體 NAND 閃存 46.4%,為去年 3.6 倍
網(wǎng)絡(luò)與存儲
QLC
NAND 閃存
|
2024-06-14
三星計劃到2030年推出1000層3D NAND新材料
網(wǎng)絡(luò)與存儲
三星
NAND
存儲
|
2024-05-29
邁向 3D 內(nèi)存:三星電子計劃 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型開發(fā)
網(wǎng)絡(luò)與存儲
3D 內(nèi)存
存儲
三星
|
2024-05-21
三星1000層NAND目標(biāo),靠它實現(xiàn)
網(wǎng)絡(luò)與存儲
三星
NAND
Flash
|
2024-05-15
三星1000層NAND目標(biāo),靠它實現(xiàn)?
網(wǎng)絡(luò)與存儲
三星
1000層
NAND
|
2024-05-14
SK海力士開發(fā)新一代移動端NAND閃存解決方案“ZUFS 4.0”
網(wǎng)絡(luò)與存儲
SK海力士
AI
存儲
NAND
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2024-05-09
SK海力士試圖用低溫蝕刻技術(shù)生產(chǎn)400多層的3D NAND
網(wǎng)絡(luò)與存儲
SK海力士
3D NAND
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2024-05-08
第二季DRAM合約價漲幅上修至13~18%;NAND Flash約15~20%
網(wǎng)絡(luò)與存儲
DRAM
NAND Flash
TrendForce
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2024-05-07
累計上漲100%還不停!消息稱SK海力士將對內(nèi)存等漲價 至少上調(diào)20%
網(wǎng)絡(luò)與存儲
SK海力士
三星
DDR5
NAND Flash
上漲
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2024-05-06
5G加速 聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案
EDA/PCB
5G
聯(lián)電
RFSOI
3D IC
|
2024-05-05
聯(lián)電:3D IC解決方案已獲得客戶采用,預(yù)計今年量產(chǎn)
EDA/PCB
聯(lián)電
3D IC
|
2024-05-05
美光率先量產(chǎn)面向客戶端和數(shù)據(jù)中心的200+層QLC NAND產(chǎn)品
網(wǎng)絡(luò)與存儲
美光
QLC NAND
|
2024-04-26
如何減少光學(xué)器件的數(shù)據(jù)延遲
模擬技術(shù)
3D-IC
|
2024-04-23
Zivid最新SDK 2.12:捕獲透明物體,最先進(jìn)的點(diǎn)云
機(jī)器人
Zivid
3D
機(jī)器人
|
2024-04-22
3D DRAM進(jìn)入量產(chǎn)倒計時
網(wǎng)絡(luò)與存儲
3D DRAM
|
2024-04-12
群聯(lián)3月營收年增73%,創(chuàng)歷史單月新高紀(jì)錄
網(wǎng)絡(luò)與存儲
群聯(lián)
SSD固態(tài)硬盤
NAND Flash
|
2024-04-11
3D NAND,1000層競爭加速
網(wǎng)絡(luò)與存儲
NAND Flash
存儲芯片
鎧俠
|
2024-04-09
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