三星：12寸廠到2015年將不符經(jīng)濟(jì)效益

　　三星電子(Samsung Electronics)高層近期表示，2010年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)成長(zhǎng)最快的是亞洲地區(qū)，消化全球70%芯片產(chǎn)出，未來(lái)包括PRAM 、OXRAM、STT-MRAM、Polymer Memory等技術(shù)，皆有助于提升效率并降低成本，都是存儲(chǔ)器技術(shù)的明日之星，而現(xiàn)在位居主流地位的12寸晶圓廠，預(yù)計(jì)到2015年將不符合經(jīng)濟(jì)效益，屆時(shí)將迎接18寸晶圓廠時(shí)代來(lái)臨。

　　三星電子資深副總裁文周泰(Joo-Tai Moon)日前參加首爾SEMICON國(guó)際半導(dǎo)體展時(shí)指出，在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)中，亞洲地區(qū)成長(zhǎng)最快，預(yù)計(jì)在2011年底前會(huì)消化全球70%芯片產(chǎn)出。他同時(shí)認(rèn)為，包括PRAM (Phase change memory)、OXRAM (Oxide-based memory)、STT-MRAM (Electro-resistant magneto-tunnel affect)等新興技術(shù)，將成為存儲(chǔ)器技術(shù)的明日之星，預(yù)計(jì)現(xiàn)在居主流地位的12寸晶圓廠，到2015年便將不符合經(jīng)濟(jì)效益。

　　事實(shí)上，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣逐漸回春，臺(tái)積電和聯(lián)電分別提高2010年資本支出至48億及12億~15億美元，其中，大部分都是用于擴(kuò)充12寸晶圓廠，晶圓雙雄 2010年資本支出皆超過(guò)金融海嘯前2008年的水平;三星電子2010年半導(dǎo)體資本支出則約8.5兆韓元(約73億美元)，較2008年60億美元成長(zhǎng)逾20%。

　　在臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)方面，以臺(tái)塑集團(tuán)旗下南亞科和華亞科2010年資本支出規(guī)模最為可觀，2家合計(jì)將支出達(dá)新臺(tái)幣720億元。以整個(gè)臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來(lái)看，2010年設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)59.2億美元，2011年上看77.6億美元，而2010年半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模可達(dá)78.5億美元，2011年上看85.5億美元。

　　未來(lái)在科技新產(chǎn)品應(yīng)用上，三星認(rèn)為，醫(yī)療照護(hù)、機(jī)器人和車(chē)用市場(chǎng)相當(dāng)受到關(guān)注，其中，聲音辨識(shí)加上空間視覺(jué)處理、人工智能等技術(shù)精進(jìn)，對(duì)于機(jī)器人技術(shù)有很大挹注。另外，在存儲(chǔ)器領(lǐng)域，未來(lái)發(fā)展恐將面臨瓶頸。

　　目前存儲(chǔ)器業(yè)者最煩惱的問(wèn)題是，NAND Flash技術(shù)恐面臨制程微縮極限，雖然業(yè)者聲稱NAND Flash技術(shù)在10奈米是可行的，但目前僅止于實(shí)驗(yàn)室階段，未來(lái)3D技術(shù)可望解決此瓶頸障礙，因此，不少存儲(chǔ)器大廠如三星、東芝(Toshiba)等都投入開(kāi)發(fā)3D技術(shù)，近期新的電荷擷取快閃存儲(chǔ)器(Charge Trap Flash;CTF)便逐漸崛起。

　　根據(jù)CTF架構(gòu)，NAND Flash元件由鉭金屬(Ta)、氧化鋁(Aluminum Oxide)、氮化物(Nitride)、氧化物(Oxide)和矽晶層(Silicon)組成，因此，亦稱為T(mén)ANOS架構(gòu)，其運(yùn)作方式是不使用浮動(dòng)閘，而是從氧化層間的絕緣氮化矽層中擷取電荷，可控制所儲(chǔ)存電流，避免資料流失。