瑞薩第七代650V和1250V IGBT建立新技術標準

　　瑞薩電子公司(TSE: 6723)，高級半導體解決方案的主要供應商，日前宣布為其第七代具有業(yè)界領先性能的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)陣列增加13款新產(chǎn)品。新的IGBT包括采用650V電壓的RJH/RJP65S系列和采用1250V電壓的RJP1CS系列。新的IGBT作為功率半導體器件，用于將DC轉(zhuǎn)換成AC電源的系統(tǒng)中，設計用于對應高電壓和大電流的應用，如太陽能發(fā)電機和工業(yè)電機用功率調(diào)節(jié)器(功率轉(zhuǎn)換器)。第七代技術，采用增強型薄化晶圓工藝，在傳導、開關損耗以及耐受能力之間達到了低損耗平衡，以承受短路情況的發(fā)生?！　?/p>本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/135024.htm

 

　　與之前采用第六代技術的600V和1200V產(chǎn)品相比，第七代產(chǎn)品系列具有650V和1250V的更高額定電壓，以滿足低溫性能要求和過壓阻斷能力。

　　瑞薩IGBT適用于電機控制應用。在這些應用中，器件的短路保護性能是一個設計中的重要參數(shù)選擇。第七代IGBT系列具有了10 µs的額定短路耐受力，使其適用于通用電機。

　　最近，對環(huán)保和其它因素的關注推動了對于提高電子設備能效的要求，并且要求向著太陽能和風能等清潔能源進行轉(zhuǎn)換。在處理高電壓和大電流的設備(如太陽能逆變器、噴水泵，和大電流逆變控制電機)的領域，這種提高效率的努力尤為積極。對用于DC-AC功率轉(zhuǎn)換這類設備的IGBT產(chǎn)品，這促進了對其大幅降低損耗的需求。然而，在對于降低功耗至關重要的飽合電壓(注1)和處理大電流的設備所要求的高短路耐受力之間存在平衡。我們很難實現(xiàn)低功耗和大約10微秒的高短路耐受力(注2)，而這是在電機驅(qū)動等應用中至關重要的考慮因素?；诖?，瑞薩開發(fā)了這一高性能IGBT新產(chǎn)品。

　　新款IGBT的主要特性：

　　(1) 650V版本飽和電壓降為1.6V，1250V版本飽和電壓降為1.8V，從而實現(xiàn)更高的效率

　　獨有的超薄晶圓技術使飽和電壓從瑞薩早期版本產(chǎn)品的1.8V(標準值)降低到現(xiàn)在650V版本的1.6V(標準值)，從早期版本產(chǎn)品的2.1V降低至1250V版本的1.8V，分別降低了約12%和15%。這就降低了功耗并有助于提高效率。

　　(2) 10微秒的高短路耐受力，可實現(xiàn)更高的可靠性水平

　　對于大電流的應用設備中至關重要的高短路耐受力，通過最優(yōu)的單元結(jié)構技術，已經(jīng)從瑞薩相對早期產(chǎn)品的8微秒(µs)提高到10µs或者更高。這就保證了用于太陽能逆變器的功率調(diào)節(jié)器等系統(tǒng)具有出色的穩(wěn)定性和強勁的性能。