解析：中芯國(guó)際各制程技術(shù)節(jié)點(diǎn)

　　中芯國(guó)際近兩年發(fā)展迅猛，其在2016年?duì)I收更是達(dá)到29億美元，同比上升30.3%，增長(zhǎng)強(qiáng)勁。

　　2016年，中芯國(guó)際通過(guò)對(duì)市場(chǎng)的精準(zhǔn)判斷，不斷擴(kuò)大投資布局。入股長(zhǎng)電科技、收購(gòu)意大利LFoundry、分別在上海深圳和天津啟動(dòng)新12英寸生產(chǎn)線和8英寸生產(chǎn)線產(chǎn)能擴(kuò)充項(xiàng)目……這一些列動(dòng)都為中芯國(guó)際的未來(lái)發(fā)展夯實(shí)了基礎(chǔ)。

　　那么，作為中國(guó)大陸最大的晶圓代工廠商，中芯國(guó)際在制程技術(shù)上到底有哪些布局和產(chǎn)品組合呢?

　　下表是中芯國(guó)際各個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的技術(shù)布局，從表中可以看出中芯國(guó)際能夠提供0.35微米到28納米晶圓代工與技術(shù)服務(wù)。

　　事實(shí)上，中芯國(guó)際是世界上為數(shù)不多的幾個(gè)可以提供完整的從成熟制程到先進(jìn)制程的晶圓制造解決方案的純晶圓代工廠之一。中芯國(guó)際0.35微米到28納米工藝制程都已進(jìn)入量產(chǎn)，而且14納米FinFET工藝正在研發(fā)中。

　　下面是中芯國(guó)際各制程技術(shù)節(jié)點(diǎn)的詳細(xì)情況：

　　先進(jìn)技術(shù)產(chǎn)品

　　28納米：中芯國(guó)際的28納米技術(shù)包含傳統(tǒng)的多晶硅(PolySiON)和后閘極的高介電常數(shù)金屬閘極(HKMG)制程，于2013年第四季度推出，2015年良率方面取得了重大突破，成功為客戶制造出低功耗、高性能的手機(jī)處理器芯片。2015年第四季度，中芯國(guó)際宣布28納米進(jìn)入量產(chǎn)階段并開(kāi)始貢獻(xiàn)營(yíng)收。

　　45/40納米：中芯國(guó)際是中國(guó)大陸第一家提供40納米技術(shù)的晶圓廠，其40納米標(biāo)準(zhǔn)邏輯制程提供低功耗(LL)器件平臺(tái)，核心組件電壓1.1V，涵蓋三種不同閾值電壓，以及輸入/輸出組件1.8V、2.5V和3.3V電壓以滿足不同的設(shè)計(jì)要求。40納米邏輯制程結(jié)合了最先進(jìn)的浸入式光刻技術(shù)、應(yīng)力技術(shù)、超淺結(jié)技術(shù)以及超低介電常數(shù)金屬間介質(zhì)。

　　65/55納米：中芯國(guó)際的65/55納米工藝制程平臺(tái)可以廣泛支持包含邏輯、混合信號(hào)、射頻、BCD、NOR閃存、eFlash和CIS在內(nèi)的多種IC產(chǎn)品。2014年，中芯國(guó)際成為全球第一家可以為智能卡和SIM卡提供55納米嵌入式閃存(eFlash)解決方案的專業(yè)晶圓代工廠，并且在2014年第四季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

　　成熟技術(shù)產(chǎn)品

　　90納米：中芯國(guó)際的300毫米晶圓廠已有多個(gè)90納米工藝的產(chǎn)品進(jìn)入大規(guī)模的生產(chǎn)，中芯國(guó)際擁有豐富的制程開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)，可向全球客戶提供先進(jìn)的90納米技術(shù)。中芯國(guó)際的90納米制程采用Low-k材質(zhì)的銅互連技術(shù)，生產(chǎn)高性能的元器件。利用先進(jìn)的12英寸生產(chǎn)線進(jìn)行90納米工藝的生產(chǎn)能確保成本的優(yōu)化，為客戶未來(lái)技術(shù)的提升提供附加的資源。

　　0.13-0.11微米：中芯國(guó)際的0.13微米制程采用全銅制程技術(shù)，可在達(dá)到高性能設(shè)備的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)成本的優(yōu)化。0.13微米技術(shù)工藝使用8層金屬層寬度僅為0.08微米的門電路，能夠制作核心電壓為1.2V以及輸入/輸出電壓為2.5V或3.3V的組件。中芯國(guó)際的低電壓和低漏電制程產(chǎn)品已在廣泛生產(chǎn)中。

　　0.18微米：中芯國(guó)際0.18微米工藝技術(shù)包括邏輯、混合信號(hào)/射頻、高壓、電可擦除只讀存儲(chǔ)器以及一次可編程技術(shù)等，這些技術(shù)均有廣泛的單元庫(kù)和智能模塊支持。中芯國(guó)際在0.18微米技術(shù)節(jié)點(diǎn)上可提供低成本、經(jīng)驗(yàn)證的智能卡、消費(fèi)電子產(chǎn)品以及其它廣泛的應(yīng)用類產(chǎn)品，也在嵌入式內(nèi)存、混合信號(hào)及CMOS射頻電路等應(yīng)用方面為客戶提供了靈活性的解決方案及模擬。

　　0.35-0.25微米：中芯國(guó)際提供0.25微米邏輯電路以及3.3V/5V應(yīng)用的混合信號(hào)/射頻CMOS和成本優(yōu)化及通過(guò)驗(yàn)證的0.35微米工藝解決方案，可應(yīng)用于智能卡、消費(fèi)性產(chǎn)品以及其它多個(gè)領(lǐng)域。

　　SPOCULL特殊工藝：SPOCULLTM是中芯國(guó)際的重要特殊工藝。SPOCULL代表SMICPoly Contact for Ultra Low Leakage。SPOCULLTM包括95納米高壓工藝和95納米超低功耗工藝兩個(gè)技術(shù)平臺(tái)，分別針對(duì)高性能模擬/射頻產(chǎn)品和超低功耗的微控制芯片。95納米高壓工藝主要用于顯示驅(qū)動(dòng)器IC，95納米超低功耗工藝用于物聯(lián)網(wǎng)相關(guān)領(lǐng)域。