兆易創(chuàng)新融資43億研發(fā)國內(nèi)內(nèi)存 19/17nm工藝追平三星美光

2019年國產(chǎn)內(nèi)存實現(xiàn)了0的突破，合肥長鑫前不久宣布量產(chǎn)10nm級DDR4內(nèi)存，核心容量8Gb。除此之外，另外一家存儲芯片公司兆易創(chuàng)新也宣布研發(fā)內(nèi)存，10.1日該公司宣布融資43億元，主要用于研發(fā)1Xnm工藝的內(nèi)存芯片。

根據(jù)兆易創(chuàng)新的公告，本次非公開發(fā)行A股股票的發(fā)行對象為不超過10名特定投資者，發(fā)行的股票數(shù)量不超過本次發(fā)行前公司股份總數(shù)的20%，即不超過64,224,315股（含本數(shù)）。

預案顯示，兆易創(chuàng)新本次發(fā)行募集資金總額（含發(fā)行費用）不超過人民幣432,402.36萬元（含本數(shù)），扣除發(fā)行費用后的募集資金凈額將用于DRAM芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目及補充流動資金。

募集的資金中有39.92億元都會投入到內(nèi)存研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化中，主要用于研發(fā)1Xnm（19、17nm）制程工藝下的內(nèi)存芯片，設(shè)計、研發(fā)DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4等多種規(guī)格的內(nèi)存。

早在2017年的時候，兆易創(chuàng)新宣布與合肥長鑫合作，雙方將投資180億元研發(fā)國產(chǎn)內(nèi)存，其中兆易創(chuàng)新方面負責籌集36億元的資金。不過合肥長鑫量產(chǎn)內(nèi)存時表示該項目是他們獨立運營的，否認與兆易創(chuàng)新有關(guān)。

目前情況來看，兆易創(chuàng)新融資43億元是準備自行研發(fā)DDR內(nèi)存，而且制程工藝也是國際先進水平，17nm工藝目前與三星、美光工藝基本持平，不過后者已經(jīng)開始量產(chǎn)，兆易創(chuàng)新依然是研發(fā)階段。