SiC功率半導(dǎo)體市場分析；廠商談IGBT大缺貨

根據(jù)TrendForce集邦咨詢旗下化合物半導(dǎo)體研究處最新報(bào)告《2023 SiC功率半導(dǎo)體市場分析報(bào)告-Part1》分析，隨著Infineon、ON Semi等與汽車、能源業(yè)者合作項(xiàng)目明朗化，將推動(dòng)2023年整體SiC功率元件市場規(guī)模達(dá)22.8億美元，年成長41.4%。

與此同時(shí)，受惠于下游應(yīng)用市場的強(qiáng)勁需求，TrendForce集邦咨詢預(yù)期，至2026年SiC功率元件市場規(guī)?？赏_(dá)53.3億美元，其主流應(yīng)用仍倚重電動(dòng)汽車及可再生能源

2全球車用MCU市場規(guī)模預(yù)估

2022年全球車用MCU市場規(guī)模達(dá)82.86億美元。過去2年全球新能源汽車產(chǎn)業(yè)快速增長，尤其中國市場2022年新能源汽車銷售量達(dá)到646萬輛，與同期相比成長89.5%，新能源汽車滲透率也從2021年14.3%提升至25.6%。

受新能源汽車產(chǎn)業(yè)爆發(fā)，以及供需關(guān)系的緊張，全球車用MCU規(guī)模也出現(xiàn)大幅度提升，2022年市場規(guī)模為82.86億美元，與同期相比成長11.4%。展望2023年，隨著新能源汽車?yán)^續(xù)成長和智慧化持續(xù)推進(jìn)，全球車用MCU將繼續(xù)成長到86.46億美元，同期相比成長4.35%。

整體而言，過去幾年中國車規(guī)級MCU發(fā)展迅速，已具備一定競爭力，從中長期來看，在中國國產(chǎn)替代與中國新能源汽車持續(xù)增長帶動(dòng)下，中國國產(chǎn)車規(guī)級MCU會繼續(xù)成長

3全球閃存市場需求將回暖？

3月23日，長江存儲首席運(yùn)營官程衛(wèi)華對外表示，預(yù)計(jì)2023年全球閃存需求將回暖，供需趨于平衡。

進(jìn)入2023年第一季度，集邦咨詢指出，鎧俠、美光產(chǎn)線持續(xù)低負(fù)載，西部數(shù)據(jù)、SK海力士將跟進(jìn)減產(chǎn)，有機(jī)會緩解目前供給過剩的情況，NAND Flash均價(jià)跌幅也將收斂至10~15%。

經(jīng)歷過2022年“寒冬”之后，存儲廠商在最新財(cái)報(bào)中普遍對2023年存儲市場抱有相對樂觀的展望。雖然預(yù)計(jì)宏觀經(jīng)濟(jì)的不確定性將持續(xù)存在，但三星預(yù)計(jì)需求將在下半年開始復(fù)蘇，主要集中在HPC和汽車行業(yè)

4廠商談IGBT大缺貨

當(dāng)下半導(dǎo)體周期下行，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈多細(xì)分領(lǐng)域均明顯邁入到庫存調(diào)整周期。然而，在電動(dòng)車與太陽能光伏兩大主流應(yīng)用需求大增助推下，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）近期出現(xiàn)較大程度缺貨，不僅價(jià)格連漲，業(yè)界更以“不是價(jià)格多高的問題，而是根本買不到”來形容缺貨盛況。

業(yè)者分析，IGBT大缺貨有2大原因，一是當(dāng)前太陽能逆變器采用IGBT的比重大幅提升，二是目前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于調(diào)整期，不僅產(chǎn)能有限，而且許多產(chǎn)能都被電動(dòng)車廠搶走，在排擠效應(yīng)下，導(dǎo)致IGBT大缺。

隨著新能源車興起，對高電壓需求大增，IGBT成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展焦點(diǎn)，一輛電動(dòng)車使用的IGBT數(shù)量高達(dá)上百顆，是傳統(tǒng)燃油車的七到十倍。在工業(yè)用途上，則有AC伺服馬達(dá)、變頻器、風(fēng)力及太陽能發(fā)電等綠電應(yīng)用，在高壓部分則是高速鐵路等軌道運(yùn)輸以及電網(wǎng)的應(yīng)用。

當(dāng)下SiC功率元件作為各家電動(dòng)汽車性能致勝的一大依賴技術(shù)，整車廠們爭相綁定未來幾年的SiC供應(yīng)，IGBT供應(yīng)商也不例外.

5深圳寶安新政出臺

據(jù)寶安日報(bào)報(bào)道，近日，深圳寶安區(qū)正式發(fā)布了《寶安區(qū)培育發(fā)展半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)集群實(shí)施方案（2023-2025年）》（以下簡稱《實(shí)施方案》）。

《實(shí)施方案》明確提出，到2025年，構(gòu)筑具有全球影響力的車規(guī)級、人工智能、穿戴芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新集聚高地，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)值突破1200億元，增加值突破280億元，培育5家以上產(chǎn)值超20億元的企業(yè)、10家以上產(chǎn)值超10億元的企業(yè)，涌現(xiàn)一批“專精特新”中小企業(yè)和優(yōu)質(zhì)新銳上市企業(yè)。

《實(shí)施方案》針對總量規(guī)模提升、產(chǎn)業(yè)生態(tài)完善、企業(yè)集聚發(fā)展三大工作目標(biāo)提出了先進(jìn)制造、第三代半導(dǎo)體、先進(jìn)封測、材料裝備配套、高端芯片、以及分銷服務(wù)等六大重點(diǎn)方向。同時(shí)，《實(shí)施方案》還謀劃了“2+4”千億級產(chǎn)業(yè)格局

6美光擴(kuò)產(chǎn)

據(jù)華爾街日報(bào)報(bào)道，存儲器大廠美光科技計(jì)劃在美國紐約州錫拉丘茲地區(qū)投資1000億美元建設(shè)一個(gè)半導(dǎo)體制造園區(qū)，該園區(qū)將于2024年起開始動(dòng)工興建，2045年完成所有建設(shè)后將雇用9000名員工。

針對人才供給方面，美光首席人事官April Arnzen表示，公司計(jì)劃通過投資當(dāng)?shù)嘏嘤?xùn)中心并向特定學(xué)校提供1000萬美元來加強(qiáng)其科學(xué)、技術(shù)、工程和數(shù)學(xué)課程，從而建立人才梯隊(duì)。其進(jìn)一步表示，美光還與當(dāng)?shù)厣鐓^(qū)學(xué)院和大學(xué)合作，以確保他們的畢業(yè)生直接到崗。

關(guān)于新廠建設(shè)內(nèi)容，美光暫時(shí)還未披露。美光的業(yè)務(wù)主要以DRAM和NAND Flash為主，據(jù)TrendForce集邦咨詢最新數(shù)據(jù)，2022年第四季度，美光在NAND Flash和DRAM領(lǐng)域的市占率分別為23%及10.7%，各排名第三和第五位