EVG集團在融化晶圓鍵合領域取得重大突破，一舉掃清制造3D-IC硅片通道大容量設備的主要障礙

　　印刷設備的主要供應商，EVG集團今日公布了新一代融化晶圓鍵合平臺GEMINI®FB XT，該平臺匯集多項技術突破，令半導體行業(yè)向實現(xiàn)3D-IC硅片通道高容量生產的目標又邁進了一步。新平臺晶圓對晶圓排列精度是過去標準平臺的三倍，生產能力更是比先前高出50%，此外GEMINI FB XT平臺還為半導體行業(yè)應用3D-IC及硅片通道技術掃清了幾大關鍵障礙，使半導體行業(yè)能夠在未來不斷提升設備密度，強化設備機能，同時又無需求助于越發(fā)昂貴復雜的光刻工藝技術。

　　晶圓對晶圓鍵合是激活諸如堆疊式內存，邏輯記憶以及未來互補金屬氧化物半導體圖像感應器等3D裝置的一個關鍵步驟。與此同時，是實現(xiàn)各鍵合晶圓之間電接觸點的硅片通道尺寸的最小化，降低3D裝置成本，支持更高水平裝置性能及帶寬，減少裝置耗電量的一個關鍵方面。然而，只有實現(xiàn)了各晶圓之間緊密排列和套準精度，保證鍵合晶圓上互相連接的裝置維持高效電接觸，并且將鍵合面上的連接區(qū)域最小化，才能夠將更多的晶圓面積用于裝置生產。

　　對位精度是3D-IC融化鍵合的關鍵

　　根據2012年國際半導體技術藍圖顯示，應用高密度硅片通道必須在2015年以前達到鍵合晶圓對位精度500納米(3西格瑪)。而要實現(xiàn)混合鍵合高產量，則需要更高的精度規(guī)格。 GEMINI FB XT平臺包含了EVG集團新推出的SmartView® NT2鍵合對準機，能夠大幅提升晶圓對晶圓對位精度至200納米以下(3西格瑪)。這意味著，同過去大量使用的SmartView NT平臺——即先前的行業(yè)晶圓對位精度基準——相比，新平臺的晶圓對位精度將達到先前的三倍，突破最新的國際半導體技術藍圖標準，為正在考慮在產品設計中引入3D-IC及硅片通道技術的制造商清除一個關鍵障礙。一體化的計量模塊在預先鍵合后確定排列能夠使客戶在必要時迅速調整高容量生產加工的鍵和過程。

　　XT架構平臺是EVG集團在半導體行業(yè)廣泛使用的一款平臺，相比之下，GEMINI FB XT則是為了實現(xiàn)超高能吞吐量及性能而專門優(yōu)化設計的。額外添加的預先和事后加工模組所具備的晶圓清潔、平面準備、等粒子激活以及晶圓鍵合排列功能使得該平臺的吞吐量提高了50%。而除此之外，由于新平臺的晶圓排列更加緊密，IC制造商們得以將晶圓堆疊從半導體制造價值鏈的中后段加工推至最前端。而這又使得裝置制造商們能夠從晶圓層面為各自的產品添加更多功能，同時，高水平的并行加工又能夠大幅度降低3D-IC及硅片通道的制造成本，真可謂是一舉多得。

      “隨著EUV平板印刷技術不斷延期，3D-IC及硅片通道一體化已經逐漸成為未來半導體裝置延續(xù)摩爾定律的最具潛力的方式之一。不過，要在新興的記憶邏輯應用中融入3D-IC和硅片通道技術，首先必須實現(xiàn)晶圓對晶圓緊密排列。”EVG集團技術主管Paul Lindner如是說道。“EVG集團將繼續(xù)不斷改進旗下的3D-IC及硅片通道應用產品，以幫助客戶能盡早實現(xiàn)3D-IC技術的商業(yè)化，新一代的GEMINI FB XT平臺是實現(xiàn)這一目標的一個重要里程碑，我們期待與客戶們一道努力，爭取最大的發(fā)揮出3D-IC高產量制造的潛力。”