?半導(dǎo)體文章進(jìn)入?半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)

中科大半導(dǎo)體量子芯片開發(fā)取得重要進(jìn)展

　　近日，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)郭光燦院士領(lǐng)導(dǎo)的中科院量子信息重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室郭國平研究組在量子芯片開發(fā)領(lǐng)域取得一項(xiàng)重要進(jìn)展，首次在砷化鎵半導(dǎo)體量子芯片中成功實(shí)現(xiàn)了量子相干特性好、操控速度快、可控性強(qiáng)的電控新型編碼量子比特。成果發(fā)表在國際權(quán)威物理學(xué)雜志《物理評(píng)論快報(bào)》上。　　芯片是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)的核心，“量子芯片”則是未來量子計(jì)算機(jī)的“大腦”。郭國平研究組多年來致力于半導(dǎo)體量子芯片的開發(fā)，他們此次利用半導(dǎo)體量子點(diǎn)多電子態(tài)軌道的非對(duì)稱特性，首次在砷化鎵半導(dǎo)體系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)軌道
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韓半導(dǎo)體芯片產(chǎn)量落后臺(tái)灣漸失霸主地位

　　據(jù)韓聯(lián)社3月2日?qǐng)?bào)道，美國著名半導(dǎo)體市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights2日宣布的2015年12月環(huán)球重要國度和地域半導(dǎo)體芯片產(chǎn)量視察浮現(xiàn)，中國臺(tái)灣地域半導(dǎo)體芯片產(chǎn)量市場(chǎng)占據(jù)率達(dá)21.7%，位居榜首，以1.2%的薄弱差距領(lǐng)先韓國?！　≈档靡惶岬氖侵袊_(tái)灣地域的半導(dǎo)體晶片產(chǎn)量在2011年橫跨日本后，時(shí)隔4年又趕超韓國。臺(tái)灣半導(dǎo)體工業(yè)生長(zhǎng)郁勃的緣故起因之一是以臺(tái)灣積體為首的半導(dǎo)體代工企業(yè)的活潑?！　≈袊_(tái)灣和日本的主打產(chǎn)物為200mm晶圓芯片，韓國則是最大的300mm新型晶圓芯片出產(chǎn)國。連年來，半
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臺(tái)灣廠商半導(dǎo)體產(chǎn)能超越韓國成為全球第一

　　根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IC Insights的最新報(bào)告，臺(tái)灣廠商在2015年取代韓國同業(yè)，成為半導(dǎo)體晶圓廠產(chǎn)能全球第一;總計(jì)臺(tái)灣半導(dǎo)體廠商產(chǎn)能佔(zhàn)據(jù)全球總產(chǎn)能21.5%，高出韓國的20.5%?！　C Insights的統(tǒng)計(jì)是將各家晶片製造商位于海外據(jù)點(diǎn)的產(chǎn)能也計(jì)算在內(nèi);該機(jī)構(gòu)指出，以區(qū)域市場(chǎng)來看，2015年亞洲、北美、與歐洲對(duì)全球半導(dǎo)體產(chǎn)能的貢獻(xiàn)度與上一年度相較略有下滑，但其他區(qū)域包括新加坡、以色列與馬來西亞則有些微增加?！　≡?015年，臺(tái)灣、韓國、日本與中國半導(dǎo)體業(yè)者佔(zhàn)據(jù)全球半導(dǎo)體總
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半導(dǎo)體二極管參數(shù)常用符號(hào)及其意義

　　文章介紹了半導(dǎo)體二極管參數(shù)符號(hào)及其意義　　CT---勢(shì)壘電容　　Cj---結(jié)(極間)電容，表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容　　Cjv---偏壓結(jié)電容　　Co---零偏壓電容　　Cjo---零偏壓結(jié)電容　　Cjo/Cjn---結(jié)電容變化　　Cs---管殼電容或封裝電容　　Ct---總電容　　CTV---電壓溫度系數(shù)。在測(cè)試電流下，穩(wěn)定電壓的相對(duì)變化與環(huán)境溫度的絕對(duì)變化之比　　CTC---電容溫度系數(shù)　　Cvn---標(biāo)稱電容　　IF---正向直流電流(正向測(cè)試電流)。鍺檢波二
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運(yùn)用材料工程解決半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)拐點(diǎn)的挑戰(zhàn)

　　今年，半導(dǎo)體行業(yè)將迎來幾大重要的技術(shù)拐點(diǎn)。存儲(chǔ)器制造商正逐步轉(zhuǎn)向3D NAND技術(shù)，從而以更低的單位成本打造性能更出眾、密度更高的存儲(chǔ)設(shè)備。我們預(yù)計(jì)2016年所有主要存儲(chǔ)器制造商都將實(shí)現(xiàn)3D NAND器件的批量生產(chǎn)。　　由平面結(jié)構(gòu)向3D NAND器件的過渡將帶來一系列生產(chǎn)工藝上的新要求，促進(jìn)了由材料所推動(dòng)的芯片尺寸縮微，推升了對(duì)新材料、新工藝技術(shù)的需求。在這個(gè)背景下，對(duì)厚度和一致性能夠進(jìn)行精確的、原子級(jí)層到層控制的新型沉積和蝕刻設(shè)備，對(duì)于制造多層堆疊存儲(chǔ)單元來說至關(guān)重要。此外，隨著越來越多支持圖案
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2015年南韓半導(dǎo)體出口629億美元續(xù)創(chuàng)新高

　　2015年南韓半導(dǎo)體出口金額自2014年626億美元增加3億美元至629億美元，連續(xù)2年創(chuàng)新高，然因進(jìn)口金額自365億美元增加18億美元至383 億美元，在進(jìn)口增加金額大于出口增加金額的情況下，南韓半導(dǎo)體順差金額由261億美元減少至246億美元，DIGITIMES Research觀察，2016年南韓存在DRAM等記憶體價(jià)格不易止跌回穩(wěn)，及三星電子(Samsung Electronics)面臨臺(tái)積電搶攻蘋果(Apple)應(yīng)用處理器(Application Processor;AP)代工訂單等考驗(yàn)，將使
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中芯國際：半導(dǎo)體龍頭助力“中國芯”崛起

　　如今，中國已經(jīng)成為全球最大的智能手機(jī)制造國和市場(chǎng)。雖然，作為手機(jī)最核心部件的芯片，特別是最具盈利能力的中高端芯片，始終掌握在少數(shù)海外企業(yè)手中，但值得欣慰的是，依托中國龐大的市場(chǎng)和小步快走的加速度，以中芯國際為代表的半導(dǎo)體制造巨頭已經(jīng)開始在市場(chǎng)上嶄露頭角，成為代表中國半導(dǎo)體行業(yè)崛起的一只領(lǐng)頭羊。　　打造中國內(nèi)地最大集成電路晶圓制造企業(yè) 　　集成電路產(chǎn)業(yè)總體上分為設(shè)計(jì)、制造、封裝測(cè)試三大部分。其中在制造環(huán)節(jié)，外資跨國公司一直占據(jù)領(lǐng)先地位，十多年前，中國內(nèi)地在這一領(lǐng)域可謂一片空白。　　2000年4
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中國打造半導(dǎo)體大國的收購煩惱

　　月24日，中國紫光集團(tuán)發(fā)布公告放棄入股美國西部數(shù)據(jù)(WD)。原因?yàn)槊绹?dāng)局介入審查。這是又一起因美國當(dāng)局審查導(dǎo)致的中資企業(yè)并購失敗案例。　　紫光在2015年9月曾與西部數(shù)據(jù)達(dá)成協(xié)定，出資38億美元獲得西部數(shù)據(jù)15%的股份。但是，紫光稱在23日接到了美國外國投資委員會(huì)(CFIUS)介入調(diào)查的通知。　　提交西部數(shù)據(jù)參與構(gòu)建了美國政府和企業(yè)的信息系統(tǒng)，有可能會(huì)被美國當(dāng)局在事實(shí)上拒絕中國資本參與經(jīng)營。在紫光與西部數(shù)據(jù)在合同中約定，如果美國外國投資委員會(huì)介入調(diào)查就可以終止合同，因此紫光決定中止入股。
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2016年哪些物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)和方案會(huì)帶來驚喜？

　　未來幾年是物聯(lián)網(wǎng)沖向爆發(fā)的重要年份，你所擁有的一切設(shè)備，以及幾乎你能夠想到的任何事物，都將連接到在物聯(lián)網(wǎng)上。Gartner這張技術(shù)成熟度曲線圖說明了這一切，IoT的發(fā)展速度可能比預(yù)期的還要快!　　　　Gartner還預(yù)測(cè)，今年全球使用中的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備將達(dá)到64億，比去年增加30%。到2020年實(shí)現(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)的事物數(shù)量將增長(zhǎng)逾3倍，達(dá)到近210億。另據(jù)CB Insights統(tǒng)計(jì)，過去六年中，迅速發(fā)展的物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域吸引了近75億美元投資，發(fā)生近900起交易。201
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半導(dǎo)體業(yè)進(jìn)入成熟期，2016 年資本投資預(yù)估成長(zhǎng)減緩

　　IC Insight 最新報(bào)告指出，全球半導(dǎo)體資本投資繼 2015 年衰退 1%后，預(yù)期今年復(fù)蘇力道也不明顯，幅度可能介于 1-5% 之間。　　其實(shí)，2015 年半導(dǎo)體投資出現(xiàn)衰退相當(dāng)不尋常，由于與歷史軌跡有明顯落差，IC Insight 報(bào)告認(rèn)為，這可能為半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展趨近成熟的訊號(hào)。　　過去 33 年來，半導(dǎo)體業(yè)資本投資共曾經(jīng)歷 6 次衰退，時(shí)間 1-2 年不等，但走出衰退后，第二年支出成長(zhǎng)幅度均遠(yuǎn)勝于第一年，只有 2010-2011 年是例外。　　最近一次半導(dǎo)體資本投資衰退發(fā)生在 20
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中國廠商積極發(fā)展記憶體主控芯片

未來中國國產(chǎn)主控晶片產(chǎn)業(yè)與行業(yè)內(nèi)公司的發(fā)展將呈現(xiàn)百花爭(zhēng)鳴的態(tài)勢(shì)，產(chǎn)品應(yīng)用也有機(jī)會(huì)從企業(yè)級(jí)儲(chǔ)存產(chǎn)品，向下延伸至消費(fèi)性產(chǎn)品，這也是下一波國內(nèi)半導(dǎo)體的焦點(diǎn)。
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韓廠欲擺脫大陸半導(dǎo)體追擊　轉(zhuǎn)變體質(zhì)往系統(tǒng)芯片市場(chǎng)

　　大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)代表性企業(yè)清華紫光集團(tuán)，投資人民幣600億元興建DRAM工廠，將成為首間擁有DRAM工廠的大陸企業(yè)。該投資規(guī)模與全球DRAM龍頭廠三星電子(SamsungElectronics)及SK海力士(SKHynix)年度投資規(guī)模相當(dāng)。DRAM廠規(guī)模也不亞于三星全球最大半導(dǎo)體園區(qū)平澤園區(qū)。　　由南韓與美國企業(yè)瓜分的DRAM市場(chǎng)將迅速轉(zhuǎn)變。大陸憑藉價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力加入市場(chǎng)后，不僅將刺激產(chǎn)業(yè)地殼變動(dòng)，也將使主導(dǎo)DRAM市場(chǎng)的南韓地位出現(xiàn)變化。　　大陸其實(shí)早已預(yù)告將進(jìn)軍半導(dǎo)體、DRAM市場(chǎng)，進(jìn)入市場(chǎng)只
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全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈庫存降至低點(diǎn) 首波急單或在3~4月

　　全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈庫存水位已降至相對(duì)低點(diǎn)，然因全球經(jīng)濟(jì)走勢(shì)并不樂觀，加上匯率波動(dòng)依舊偏大，客戶拉貨將與新品上市鋪貨緊密相關(guān)，IC設(shè)計(jì)業(yè)者預(yù)期2016年上半恐只有智能手機(jī)、平板電腦等行動(dòng)裝置產(chǎn)品，會(huì)在第2季有一波新品問世熱潮，客戶急單出現(xiàn)時(shí)間點(diǎn)應(yīng)會(huì)落在3~4月之間，目前多家業(yè)者訂單能見度看來均是如此。　　盡管臺(tái)積電南科廠受到地震影響，傳出晶圓廠內(nèi)生產(chǎn)線幾乎全部晶圓報(bào)廢重做，然因臺(tái)積電表示已全面復(fù)工，影響范圍不到單月營收1~3%，首季財(cái)測(cè)目標(biāo)仍維持高檔水準(zhǔn)，臺(tái)系IC設(shè)計(jì)業(yè)者原本預(yù)期的庫存回補(bǔ)急單效應(yīng)，恐
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臺(tái)企為何衰落：半導(dǎo)體只是小小的驕傲臺(tái)企掙扎是天災(zāi)or人禍？

　　摘要臺(tái)灣科技正陷入掙扎，他們?nèi)狈?yōu)秀的品牌：宏碁、華碩聽上去就會(huì)有一種老舊的塵土味兒，宏達(dá)電(HTC)倒是個(gè)小鮮肉，只可惜生如夏花，在與蘋果、三星僅有的兩、三輪的競(jìng)爭(zhēng)中就輸?shù)靡粩⊥康亍? 　　臺(tái)企為何衰落：半導(dǎo)體只是小小的驕傲臺(tái)企掙扎是天災(zāi)or人禍? 　　不同的時(shí)代，總會(huì)出現(xiàn)不同的梟雄，戰(zhàn)爭(zhēng)領(lǐng)域如此，科技領(lǐng)域也如此，因消費(fèi)者的需求不會(huì)停滯，我們永遠(yuǎn)不用擔(dān)心沒有“科技英雄”去膜拜，唯一不同的是，這些科技英雄的技能不同、文化不同，還會(huì)滿世界地飛來飛去：　　移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)時(shí)代，科技
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