意法半導(dǎo)體（st）文章進(jìn)入意法半導(dǎo)體（st）技術(shù)社區(qū)

Metalenz和意法半導(dǎo)體首創(chuàng)光學(xué)超表面技術(shù)metasurface，瞄準(zhǔn)消費(fèi)電子設(shè)備

率先實(shí)現(xiàn)元鏡（meta-optics）商用的公司Metalenz與服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體( (STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)宣布，2021 年 6 月披露的雙方將合作開發(fā)的元鏡現(xiàn)已上市。作為該備受矚目的技術(shù)首秀，意法半導(dǎo)體剛剛發(fā)布的 VL53L8 直接飛行時(shí)間 (dToF) 傳感器已搭載這一突破技術(shù)隆重登場(chǎng)。Metalenz的元鏡技術(shù)是哈佛大學(xué)的科研成果，可以替代現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)復(fù)雜的多鏡片鏡頭。在嵌入一顆元鏡后，3D 傳感器模塊大
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意法半導(dǎo)體新NFC讀取器加快支付和消費(fèi)應(yīng)用設(shè)計(jì)

意法半導(dǎo)體的 ST25R3916B-AQWT 和ST25R3917B-AQWT NFC Forum讀取器芯片輸出功率大，能效高，價(jià)格具有競(jìng)爭(zhēng)力，支持 NFC 發(fā)起設(shè)備、目標(biāo)設(shè)備、讀取和卡模擬四種模式，目標(biāo)應(yīng)用包括非接支付、設(shè)備配對(duì)、無線充電、品牌保護(hù)以及其他工業(yè)和消費(fèi)類應(yīng)用。新器件引入了靈活性更高的主動(dòng)波形整形 (AWS)改進(jìn)技術(shù)，可以簡(jiǎn)化射頻輸出調(diào)整過程，方便優(yōu)化過沖和下沖問題。射頻調(diào)整操作非常容易，先在支持的圖形界面軟件上修改寄存器設(shè)置，然后再用示波器進(jìn)行快速驗(yàn)證。這項(xiàng)技術(shù)簡(jiǎn)化了EMVCo 3.1a和
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意法半導(dǎo)體推出首款集成在一個(gè)封裝中的硅基驅(qū)動(dòng)器和GaN晶體管

　　瑞士意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）推出了MasterGaN，是第一個(gè)嵌入硅基半橋驅(qū)動(dòng)芯片以及一對(duì)氮化鎵（GaN）晶體管的平臺(tái)。這個(gè)集成化的解決方案將加速下一代緊湊高效的充電器和電源適配器的開發(fā)，并用于高功率電子和工業(yè)應(yīng)用?！　∫夥ò雽?dǎo)體（ST）表示，其MasterGaN方法可縮短了產(chǎn)品上市時(shí)間，并確保了預(yù)期的性能，同時(shí)使封裝變得更小、更簡(jiǎn)單、電路組件更少、系統(tǒng)可靠性更高。據(jù)估計(jì)，借助GaN技術(shù)和ST的集成產(chǎn)品，充電器和適配器將比普通硅基解決方案的尺寸縮小80％，將重量減少70％?！?/li>
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巨頭搶灘第三代半導(dǎo)體

長(zhǎng)期以來，英飛凌、意法半導(dǎo)體等功率半導(dǎo)體Top級(jí)廠商更多的產(chǎn)品是硅基器件，如硅基IGBT、硅基MOSFET等，隨著5G、新能源汽車等一系列技術(shù)迭代和市場(chǎng)需求推動(dòng)之下，第三代半導(dǎo)體憑借各自高頻、高壓等優(yōu)...延續(xù)了一年的第三代半導(dǎo)體發(fā)展熱潮并未止息，多家功率半導(dǎo)體國(guó)際巨頭競(jìng)相在公布2022年財(cái)報(bào)前后宣布了新建工廠計(jì)劃。如Infineon（英飛凌）、STMicroelectronics（意法半導(dǎo)體）都表示將在全球不同國(guó)家建設(shè)碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）相關(guān)工廠。雖然在目前階段來看，碳化硅的應(yīng)用和技術(shù)發(fā)展
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意法半導(dǎo)體連手MACOM 攻射頻硅基氮化鎵有成

意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）和電信、工業(yè)、國(guó)防和數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體解決方案供貨商MACOM技術(shù)解決方案控股有限公司（那斯達(dá)克股票代碼：MTSI」）宣布，已成功制造出射頻硅基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型芯片。有鑒于此佳績(jī)，意法半導(dǎo)體與MACOM將繼續(xù)合作，并加強(qiáng)雙方的合作關(guān)系。射頻硅基氮化鎵為5G和6G基礎(chǔ)建設(shè)之應(yīng)用帶來巨大的發(fā)展?jié)摿ΑＴ缙谑来纳漕l功率放大器（Power Amplifier，PA）主要采用橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（Laterally-Diffused Metal
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意法半導(dǎo)體與MACOM成功生產(chǎn)射頻硅基氮化鎵原型

5月13日，意法半導(dǎo)體和MACOM宣布宣布成功生產(chǎn)射頻硅基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型。RF GaN-on-Si為5G和6G基礎(chǔ)設(shè)施提供了巨大潛力。長(zhǎng)期存在的射頻功率技術(shù)橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)主導(dǎo)了早期射頻功率放大器(PA)。對(duì)于這些射頻功率放大器，GaN可以提供比LDMOS更高的射頻特性和顯著更高的輸出功率。此外，它可以在硅或碳化硅(SiC)芯片上制造。由于高功率應(yīng)用對(duì)SiC晶圓的競(jìng)爭(zhēng)以及其非主流半導(dǎo)體加工，RF GaN-on-SiC可能會(huì)更昂貴。目前，意法半導(dǎo)體和
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意法半導(dǎo)體和Leti合作開發(fā)硅基氮化鎵功率轉(zhuǎn)換技術(shù)1

合作研制先進(jìn)的硅基氮化鎵功率二極管和晶體管架構(gòu),并將其量產(chǎn)利用IRT納電子技術(shù)研究所的研究結(jié)果，工藝技術(shù)將會(huì)從Leti的200mm研發(fā)線轉(zhuǎn)到意法半導(dǎo)體的200mm晶圓試產(chǎn)線，2020年前投入運(yùn)營(yíng)中國(guó) / 24 Sep 2018橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）和CEA Tech下屬的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化鎵（GaN）功率開關(guān)器件制造技術(shù)。該硅基氮化鎵功率技術(shù)將讓意法半導(dǎo)體能
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意法半導(dǎo)體為什么看好硅基氮化鎵技術(shù)?

日前，意法半導(dǎo)體和CEATech旗下之研究所Leti宣布合作研發(fā)硅基氮化鎵(GaN)功率切換元件制造技術(shù)。該硅基氮化鎵功率技術(shù)將讓意法半導(dǎo)體滿足高效能、高功率的應(yīng)用需求，包括混動(dòng)和電動(dòng)汽車車載充電器、無線充電和伺服器?！　”竞献饔?jì)劃之重點(diǎn)是在200mm晶圓上開發(fā)和驗(yàn)證制造先進(jìn)硅基氮化鎵架構(gòu)的功率二極體和電晶體。研究公司HIS預(yù)測(cè)，該市場(chǎng)將在2024年前將保持超過20%的年復(fù)合成長(zhǎng)率。意法半導(dǎo)體和Leti利用IRT奈米電子研究所的框架計(jì)劃，在Leti的200mm研發(fā)線上開發(fā)制程技術(shù)，預(yù)計(jì)在2019年完成可供
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意法半導(dǎo)體和MACOM成功開發(fā)射頻硅基氮化鎵原型芯片，取得技術(shù)與性能階段突破

產(chǎn)品達(dá)到成本和性能雙重目標(biāo)，現(xiàn)進(jìn)入認(rèn)證測(cè)試階段實(shí)現(xiàn)彈性量產(chǎn)和供貨取得巨大進(jìn)展服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)和世界排名前列的電信、工業(yè)、國(guó)防和數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商MACOM技術(shù)解決方案控股有限公司(納斯達(dá)克股票代碼:MTSI，以下簡(jiǎn)稱“MACOM”) 宣布，射頻硅基氮化鎵(RF GaN-on-Si)原型芯片制造成功?；谶@一成果，意法半導(dǎo)體和MACOM將繼續(xù)攜手，深化合作。射頻硅基氮化鎵可為5G和
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基于ST主動(dòng)鉗位反馳式控制器：ST-ONE與MasterGaN2的65W高效能數(shù)位智能充電器方案

ST-ONE 簡(jiǎn)介ST-ONE 是一款具有二次側(cè)數(shù)位控制的離線數(shù)位控制器，專門用于采用包括 USB-PD 在內(nèi)的智慧充電解決方案的主動(dòng)鉗位反馳式轉(zhuǎn)換器，獨(dú)特的完整 SiP(System in Package)、高壓能力、跨電流隔離的數(shù)字電源控制，可實(shí)現(xiàn)極高的性能和功率密度，允許接口協(xié)議、電源控制算法和故障系統(tǒng)管理的演進(jìn)和定制。該器件在初級(jí)側(cè)包括一個(gè)主動(dòng)鉗位反激式控制器及其啟動(dòng)，在次級(jí)側(cè)包括一個(gè)微控制器以及控制轉(zhuǎn)換和通信所需的所有周邊設(shè)備。兩側(cè)通過嵌入式電氣隔離通信通道連接，出廠時(shí)已載入固件，該固件可處理
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基于ST意法半導(dǎo)體SPC560P34的EPS轉(zhuǎn)向助力系統(tǒng)方案

一款基于ST PowerPC SPC560P34L1以及predriver L9907, 低壓MOSFET STP120N4F6等的EPS電機(jī)驅(qū)動(dòng)板設(shè)計(jì)方案。
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基于ST STNRG011+MASTERGAN1的120W PD電源方案

如今人們的生產(chǎn)生活一刻也離不開電子產(chǎn)品，電子產(chǎn)品儼然已經(jīng)成了一種剛需，比如手機(jī)、電腦、智能家電等。特別是手機(jī)，幾乎是每個(gè)人的標(biāo)配，衣食住行樣樣都離不開手機(jī)的輔助。而這種高頻次的使用背后定然也離不開充電器的加持，因?yàn)槭謾C(jī)是電子產(chǎn)品，而電子產(chǎn)品需要電能才能使用。說起手機(jī)充電器，人們最關(guān)心的是充電速度，以前的5V1A/2A普通充電器充電很慢，充滿一部手機(jī)往往需要一個(gè)多小時(shí)甚至更久，而現(xiàn)在的快充充電器能把充電時(shí)間縮短至半個(gè)小時(shí)以內(nèi)，這大大節(jié)省了人們寶貴的時(shí)間。充電五分鐘，通話兩小時(shí)，這就是PD電源的真實(shí)寫照。我們
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下一個(gè)自動(dòng)化時(shí)代的新網(wǎng)宇實(shí)體系統(tǒng)影響

工業(yè)發(fā)展的驅(qū)動(dòng)力為何？決策者應(yīng)該注意些什么？當(dāng)許多人開始揣測(cè)時(shí)，意法半導(dǎo)體（ST）以創(chuàng)新的網(wǎng)宇實(shí)體系統(tǒng)如何開啟下一個(gè)自動(dòng)化時(shí)代為依據(jù)推導(dǎo)結(jié)論。在2022年國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議（ISSCC 2022）上，意法半導(dǎo)體模擬、MEMS和傳感器產(chǎn)品部總裁Marco Cassis發(fā)表ST在傳感器、人工智能、通訊等領(lǐng)域取得的技術(shù)突破。同時(shí)，ST正思考以「下一個(gè)自動(dòng)化時(shí)代」為背景探討的新趨勢(shì)。何謂下一個(gè)自動(dòng)化時(shí)代？第一個(gè)自動(dòng)化時(shí)代自動(dòng)化時(shí)代的概念非常廣泛，并涉及許多基礎(chǔ)性的問題。作為信息時(shí)代的產(chǎn)物，自動(dòng)化時(shí)代指的是機(jī)器開始執(zhí)
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意法半導(dǎo)體與賽米控合作,在下一代電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中集成碳化硅功率技術(shù)

服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)近日宣布，為世界排名前列的電源模塊系統(tǒng)廠商賽米控（Semikron）的eMPack?電動(dòng)汽車電源模塊提供碳化硅(SiC)技術(shù)。該供貨協(xié)議是兩家公司為期四年的技術(shù)合作開發(fā)成果。采用意法半導(dǎo)體先進(jìn)的 SiC 功率半導(dǎo)體，雙方致力于在更緊湊的系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)卓越的能效，并在性能方面達(dá)到行業(yè)標(biāo)桿。SiC 正迅速成為汽車行業(yè)首選的電動(dòng)汽車牽引驅(qū)動(dòng)的電源技術(shù)，有助于提高行駛里程和可靠性。賽米控最近宣布已獲得一筆價(jià)值 1
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基于ST25DV04K的NFC功能血壓計(jì)改造方案，可與手機(jī)快速配對(duì)

本文以智能設(shè)備中的血壓計(jì)為例子，來一起探究加入NFC功能的血壓計(jì)對(duì)比傳統(tǒng)的藍(lán)牙連接血壓計(jì)可以在使用過程中實(shí)現(xiàn)怎樣的便利，以及在傳統(tǒng)的血壓計(jì)如何快速加入NFC功能，硬件設(shè)計(jì)該如何做。
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