碳化硅 mosfet 文章進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區(qū)

IGBT掃盲文，IGBT基礎(chǔ)與運(yùn)用知識(shí)學(xué)習(xí)

　　IGBT基礎(chǔ)與運(yùn)用　　IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET(輸入級(jí))和PNP晶體管(輸出級(jí))復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開關(guān)速度快的特點(diǎn)(控制和響應(yīng))，又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(diǎn)(功率級(jí)較為耐用)，頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz 頻率范圍內(nèi)?！　±硐氲刃щ娐放c實(shí)際等效電路如圖所示：　　IGBT 的靜態(tài)特性一般用不到，暫時(shí)不用考慮，重點(diǎn)考慮動(dòng)態(tài)特性(開關(guān)特性)。　　動(dòng)態(tài)特性的簡(jiǎn)易過程可從下面的表格和圖形中獲取
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宜特跨攻MOSFET晶圓后端處理集成服務(wù)

　　隨著電子產(chǎn)品功能愈來愈多元，對(duì)于低功耗的要求也愈來愈高， MOSFET成為車用電子、電動(dòng)車勢(shì)不可擋的必備功率組件，而在目前市面上產(chǎn)能不足，客戶龐大需求下，電子產(chǎn)品驗(yàn)證服務(wù)龍頭-iST宜特科技今宣布，正式跨入「MOSFET晶圓后端處理集成服務(wù)」，目前已有20多家海內(nèi)外廠商，包括全球知名晶圓廠、IDM廠商、IC設(shè)計(jì)企業(yè)已于今年第一季底，前來宜特進(jìn)行工程試樣，并于第二季初開始進(jìn)行小量產(chǎn)，并在下半年正式量產(chǎn)?！　∫颂囟麻L 余維斌指出，在車用可靠度驗(yàn)證分析本業(yè)上，已做到亞洲龍頭，然而在服務(wù)客戶的同時(shí)，發(fā)現(xiàn)了此
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意法半導(dǎo)體推出離線轉(zhuǎn)換器提高5-30V電源的雪崩耐量、能效和靈活性

　　意法半導(dǎo)體的VIPer11離線轉(zhuǎn)換器內(nèi)置800V耐雪崩MOSFET，可幫助設(shè)備制造商設(shè)計(jì)更耐用的輔助電源和電源適配器，其26Vdc漏極啟動(dòng)電壓允許超寬的線路輸入電壓，并提高諸多消費(fèi)和工業(yè)電源的靈活性?！　∵壿嫾?jí)原邊MOSFET讓VIPer11能夠在4.5V至30V的寬電源電壓范圍內(nèi)工作，可用于設(shè)計(jì)高效的5V輸出開關(guān)電源。結(jié)合內(nèi)部高壓?jiǎn)?dòng)、誤差放大器和降低EMI干擾的抖動(dòng)振蕩器等功能，這種優(yōu)勢(shì)可簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，節(jié)省空間和物料清單成本。　　VIPer11高壓轉(zhuǎn)換器可實(shí)現(xiàn)由整流的AC線或其它直流電源直接供電的反激
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體，MOSFET

工業(yè)設(shè)備輔助電源驅(qū)動(dòng)用的SiC電源解決方案

　　前言　　包括光伏逆變器、電氣驅(qū)動(dòng)裝置、UPS及HVDC在內(nèi)的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，需要柵極驅(qū)動(dòng)器、微控制器、顯示器、傳感器及風(fēng)扇來使系統(tǒng)正常運(yùn)行。這類產(chǎn)品需要能夠提供12V或24V低電壓電源的輔助電源。輔助電源則需要輸入通常工業(yè)設(shè)備所使用的三相400/480V AC電源、或太陽能光伏逆變器所使用的高電壓DC電源才能工作。本文將介紹融入了ROHM的SiC技術(shù)優(yōu)勢(shì)且設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單、性價(jià)比高的電源解決方案?！　⌒⌒洼o助電源用SiC MOSFET　　圖1是輔助電源所用的普通電路。在某些輸入電壓條件下，MOSFET的最高耐壓
關(guān)鍵字： SiC，MOSFET

計(jì)算MOSFET非線性電容

　　最初為高壓器件開發(fā)的超級(jí)結(jié)MOSFET，電荷平衡現(xiàn)在正向低壓器件擴(kuò)展。雖然這極大地降低了RDS(ON) 和結(jié)電容，但電荷平衡使后者非線性進(jìn)一步加大。MOSFET有效儲(chǔ)存電荷和能量減少，而且顯著減少，但計(jì)算或比較不同MOSFET參數(shù)以獲得最佳性能變得更加復(fù)雜?！　OSFET三個(gè)相關(guān)電容不能作為VDS的函數(shù)直接測(cè)量，其中有的需要在這個(gè)過程中短接或懸空。數(shù)據(jù)手冊(cè)最終測(cè)量給出的三個(gè)值定義如下：　　CiSS = CGS + CGD COSS = CDS + CDG CRSS = CGD　　三者中，輸入電容CG
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國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金總裁丁文武一行調(diào)研基本半導(dǎo)體

　　4月9日上午，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金總裁丁文武一行蒞臨基本半導(dǎo)體考察調(diào)研?！　』景雽?dǎo)體董事長汪之涵博士向丁文武介紹了公司自主研發(fā)的碳化硅功率器件產(chǎn)品，包括性能達(dá)到國際一流水平的碳化硅JBS二極管和MOSFET三極管，以及6英寸的3D碳化硅外延和晶圓片?！　‰S后丁文武一行聽取了基本半導(dǎo)體總經(jīng)理和巍巍博士對(duì)公司發(fā)展情況的匯報(bào)。丁文武對(duì)基本半導(dǎo)體的技術(shù)創(chuàng)新和戰(zhàn)略定位予以充分肯定，并鼓勵(lì)公司團(tuán)隊(duì)再接再厲，立足創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)，不斷發(fā)展壯大，成為中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)?！　壹呻娐樊a(chǎn)業(yè)投資基金是為促進(jìn)集
關(guān)鍵字：基本半導(dǎo)體碳化硅功率芯片集成電路

SiC將與IGBT或MOSFET共存

雖然碳化硅有成本方面的問題，但是其眾所周知的在各個(gè)高端應(yīng)用中所表現(xiàn)出的高性能也能夠彌補(bǔ)其在價(jià)格方面的短板，尤其是在電動(dòng)車與再生能源越來越受到重視，將為中功率、高功率應(yīng)用領(lǐng)域帶來大量需求。氮化鎵技術(shù)能夠降低成本，又能夠保持半導(dǎo)體器件的優(yōu)越性能，在中、低功率應(yīng)用領(lǐng)域具備擁有巨大潛力。但也并不是說將來所有的功率器件都會(huì)被碳化硅替代，我們認(rèn)為碳化硅和現(xiàn)存的IGBT或MOSFET都能在其有優(yōu)勢(shì)的領(lǐng)域中共同發(fā)揮所長，共生共棲。
關(guān)鍵字：瑞薩，碳化硅

重磅消息！深圳第三代半導(dǎo)體研究院正式啟動(dòng)

　　3月31日，在深圳市委市政府的大力支持下，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、基本半導(dǎo)體和南方科技大學(xué)等單位發(fā)起共建的深圳第三代半導(dǎo)體研究院在五洲賓館宣布正式啟動(dòng)。深圳第三代半導(dǎo)體研究院的成立具有里程碑意義，將對(duì)中國乃至全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響?！　】萍疾吭辈块L、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟決策委員會(huì)主任、深圳第三代半導(dǎo)體研究院理事長曹健林，廣東省委常委、深圳市委書記王偉中，深圳市委副書記、市長陳如桂，科技部高新司原司長、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟決策委員會(huì)副主任、深圳第三代半
關(guān)鍵字：青銅劍科技半導(dǎo)體碳化硅功率器件

電源設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)之MOS管驅(qū)動(dòng)電路篇

　　MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動(dòng)常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路。　　在使用MOSFET設(shè)計(jì)開關(guān)電源時(shí)，大部分人都會(huì)考慮MOSFET的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時(shí)候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個(gè)好的設(shè)計(jì)方案。更細(xì)致的，MOSFET還應(yīng)考慮本身寄生的參數(shù)。對(duì)一個(gè)確定的MOSFET，其驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會(huì)影響MOSFET的
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Littelfuse在2018年APEC大會(huì)上推出超低導(dǎo)通電阻1200V碳化硅MOSFET

　　全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)Littelfuse,?Inc.與從事碳化硅技術(shù)開發(fā)的德州公司Monolith?Semiconductor?Inc.今天新推出兩款1200V碳化硅(SiC)?n通道增強(qiáng)型MOSFET，為其日益擴(kuò)展的第一代電源半導(dǎo)體器件組合注入新鮮血液。?Littelfuse與Monolith在2015年結(jié)成戰(zhàn)略合作關(guān)系，旨在為工業(yè)和汽車市場(chǎng)開發(fā)電源半導(dǎo)體。這種新型碳化硅MOSFET即為雙方聯(lián)手打造的最新產(chǎn)品。?這些產(chǎn)品在應(yīng)用電力電子
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)的專家攜手與工程師發(fā)揮氮化鎵器件及集成電路的最高性能，不僅替代MOSFET器件，更為市場(chǎng)帶來創(chuàng)新設(shè)計(jì)

　　EPC公司的管理及技術(shù)團(tuán)隊(duì)將在中國深圳及上海于3月14至16日舉行的各大業(yè)界論壇及展會(huì)上，與工程師會(huì)面并作技術(shù)交流。屆時(shí)，EPC團(tuán)隊(duì)將分享如何發(fā)揮氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)及集成電路的最高性能、創(chuàng)新設(shè)計(jì)，從而為工程師及其客戶，打造共創(chuàng)共贏新局面?！　irFuel無線充電大會(huì)暨開發(fā)者論壇 2018 (中國深圳 - 3月14至16日)　　首屆AirFuel無線充電大會(huì)暨開發(fā)者論壇將于3月14至16日在深圳南山凱賓斯基酒店舉行。由AirFuel?
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高性能ZVS降壓穩(wěn)壓器消除在寬輸入范圍負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用中提高功率吞吐量的障礙

　　當(dāng)前具有更高整體效率的電子系統(tǒng)需要更高的功率密度，這為非隔離負(fù)載點(diǎn)穩(wěn)壓器(niPOL)?帶來了大量變革。為了提高整體系統(tǒng)效率，設(shè)計(jì)人員選擇避免多級(jí)轉(zhuǎn)換，以獲得他們所需要的穩(wěn)壓負(fù)載點(diǎn)電壓。這就意味著niPOL需要支持更高的工作輸入電壓，提供更高的轉(zhuǎn)換率。除此之外，niPOL還需要在保持最高效率的同時(shí)，繼續(xù)縮小電源解決方案的總體尺寸。而且隨著產(chǎn)品性能的提升，niPOL的功率需求會(huì)進(jìn)一步提高?！　‰娫葱袠I(yè)通過對(duì)niPOL進(jìn)行多項(xiàng)技術(shù)升級(jí)來應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)。過去幾年，行業(yè)已經(jīng)看到器件封裝、半導(dǎo)體集成和M
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MOSFET芯片需求加劇缺貨之勢(shì)持續(xù)蔓延

MOSFET缺貨潮來勢(shì)洶洶，看著突然實(shí)則必然，畢竟消費(fèi)電子的更新迭代速度加快以及新能源汽車飛速發(fā)展已成必然之勢(shì)。
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一種具有后臺(tái)校正功能的電流舵DAC

　　隨著工藝水平的提高，MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor?Field-Effect?Transistor，即金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)閾值電壓的失配常數(shù)Avt越來越小，電流源之間的匹配程度越來越高，然而隨著DAC(Digital?to?Analog?Converter，即數(shù)模轉(zhuǎn)換器)分辨率的提高，?DAC對(duì)電流源誤差的要求越來越高[1]。其中閾值電壓失配不僅與Avt有關(guān)，由于閾值電壓的溫度系數(shù)存在，DAC工作
關(guān)鍵字： DAC MOSFET

通過電源模塊提高電動(dòng)工具設(shè)計(jì)的性能

　　電動(dòng)工具、園藝工具和吸塵器等家電使用低電壓(2至10節(jié))鋰離子電池供電的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。這些工具使用有刷直流(BDC)或三相無刷直流(BLDC)電機(jī)。BLDC電機(jī)效率更高、維護(hù)少、噪音小、使用壽命更長。　　驅(qū)動(dòng)電機(jī)功率級(jí)的最重要的性能要求是尺寸小、效率高、散熱性能好、保護(hù)可靠、峰值電流承載能力強(qiáng)。小尺寸可實(shí)現(xiàn)工具內(nèi)的功率級(jí)的靈活安裝、更好的電路板布局性能和低成本設(shè)計(jì)。高效率可提供最長的電池壽命并減少冷卻工作。可靠的操作和保護(hù)可延長使用壽命，有助于提高產(chǎn)品聲譽(yù)?！　樵趦蓚€(gè)方向上驅(qū)動(dòng)BDC電機(jī)，您
關(guān)鍵字： BLDC MOSFET