碳化硅 mosfet 文章 進入碳化硅 mosfet技術(shù)社區(qū)
如何成為一個優(yōu)秀的硬件設(shè)計師
- 啟動一個硬件開發(fā)項目,原始的推動力會來自于很多方面,比如市場的需要,基于整個系統(tǒng)架構(gòu)的需要,應(yīng)用軟件部門的功能實現(xiàn)需要,提高系統(tǒng)某方面能力的需要等等,所以作為一個硬件系統(tǒng)的設(shè)計者,要主動的去了解各個方面的需求,并且綜合起來,提出最合適的硬件解決方案。比如A項目的原始推動力來自于公司內(nèi)部的一個高層軟件小組,他們在實際當(dāng)中發(fā)現(xiàn)原有的處理器板IP轉(zhuǎn)發(fā)能力不能滿足要求,從而對于系統(tǒng)的配置和使用都會造成很大的不便,所以他們提出了對新硬件的需求。根據(jù)這個目標(biāo),硬件方案中就針對性的選用了兩個高性能網(wǎng)絡(luò)處理器,然后還
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超薄雙管MOSFET
- 封裝的創(chuàng)新非常重要,尤其是在設(shè)計適用于支持更大電流的新一代便攜式設(shè)計所需的超薄的MOSFET時更顯得不可或缺。 計算機、工業(yè)及電信領(lǐng)域的電源應(yīng)用設(shè)計人員通常使用分立式 MOSFET 支持更高的軌道電路,以提升電源效率,但其難點是如何設(shè)計出盡可能小的外形尺寸。現(xiàn)在,設(shè)計人員可通過與德州儀器(TI)最新電源模塊 II 系列的同步 NexFET™ 電源雙管 MOSFET結(jié)合,同時實現(xiàn)高效率、低導(dǎo)通電阻以及業(yè)界最小尺寸的效果。 最新超薄電源塊 II 器件不僅可使產(chǎn)品變得更密集,同時還可
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宜普電源高性能氮化鎵功率晶體管已有現(xiàn)貨供應(yīng)
- 氮化鎵(eGaN?)功率晶體管繼續(xù)為電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)定業(yè)界領(lǐng)先的性能基準(zhǔn)。由于氮化鎵器件具有更低的導(dǎo)通電阻、更低的電容、更大的電流及卓越的熱性能,因此使得功率轉(zhuǎn)換器可實現(xiàn)超過98%的效率。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出六個新一代功率晶體管及相關(guān)的開發(fā)板。這些由30 V至200 V的產(chǎn)品在很多應(yīng)用可大大降低導(dǎo)通電阻(RDS(on))并可增強輸出電流性能,例如具高功率密度的直流-直流轉(zhuǎn)換器、負(fù)載點(POL)轉(zhuǎn)換器、直流-直流及交流-直流轉(zhuǎn)換器的同步整流器、馬達驅(qū)動器、發(fā)光二極管照明及工業(yè)自動化等廣
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DC/DC轉(zhuǎn)換器空間受限的解決方案
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字: DC/DC轉(zhuǎn)換器 寬電流 MOSFET 集成型穩(wěn)壓器
具高級輸入和負(fù)載保護功能的10A μModule降壓型穩(wěn)壓器
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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IR新品AUIRFN8403提供緊湊5x6mm PQFN封裝
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商——國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR)推出汽車級COOLiRFET功率MOSFET AUIRFN8403,適合需要極小占位面積和大電流性能的汽車應(yīng)用,包括泵電機控制和車身控制等。 使用緊湊5x6mm PQFN封裝的AUIRFN8403,是IR運用該公司最先進的COOLiRFET 40V溝道技術(shù)的全新器件系列的首款產(chǎn)品,具有3.3 mΩ超低導(dǎo)通電阻和95A大電流承載能力。PQFN封裝具有加長管腳,管腳的端口通過電鍍進行焊接,從而
- 關(guān)鍵字: IR MOSFET COOLiRFET
新日本無線變身綜合電子元器件供應(yīng)商
- ]新日本無線的MEMS傳感器累計出貨量突破1億枚,這是新日本無線執(zhí)行董事兼電子元器件事業(yè)部長村田隆明先生今年來訪時帶來的最新消息,同時在SAW濾波器、MOSFET、光電半導(dǎo)體器件、功率半導(dǎo)體器件和最新型運算放大器等各個方面都有了長足的進步。 記得去年七月份村田隆明來到本刊時,詳細(xì)介紹了新日本無線將向綜合電子元器件供應(yīng)商轉(zhuǎn)型的發(fā)展戰(zhàn)略,而今表明這一戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型已經(jīng)初步完成。 電子元器件業(yè)務(wù)已占贏收85% 縱觀新日本無線公司歷長達50多年的發(fā)展歷程,可以看到其業(yè)務(wù)構(gòu)成主要是獨特的模擬技術(shù)和微
- 關(guān)鍵字: MEMS MOSFET 濾波器
IR為工業(yè)應(yīng)用推出大罐式DirectFET MOSFET系列
- 球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出大罐式DirectFET MOSFET系列,適用于要求極低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的工業(yè)應(yīng)用,包括大功率直流電機,直流/交流逆變器,以及動態(tài)ORing熱插拔和電熔絲等大電流開關(guān)應(yīng)用。 全新7mm x 9mm x 0.7mm大罐式封裝器件提供卓越的導(dǎo)通電阻性能,從而實現(xiàn)較低的導(dǎo)通損耗和更理想的系統(tǒng)效率。這款大罐式產(chǎn)品與中罐式和小罐式DirectFET器件相似,具備
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EPC瞄準(zhǔn)氮化鎵功率器件市場興起機遇
- 功率器件一直都是由材料引導(dǎo)技術(shù)革新,硅材質(zhì)的MOSFET已經(jīng)應(yīng)用多年,現(xiàn)在面臨在功率密度、工作溫度和更高電壓方面的技術(shù)挑戰(zhàn),而解決這一問題最根本的辦法是采用更高性能的材料。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)是首家推出替代功率MOSFET器件的增強型氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)晶體管的公司,他們希望借助技術(shù)優(yōu)勢快速推廣其技術(shù)和產(chǎn)品,并于未來數(shù)年間取代硅功率MOSFET器件及IGBT,搶奪超過百億美元的功率轉(zhuǎn)換市場份額。 增強型氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)晶體管作為寬頻隙器件,其優(yōu)勢包括具有更高功率密度、更
- 關(guān)鍵字: MOSFET EPC eGaN 201406
首批6英寸碳化硅外延晶片在廈門投產(chǎn)
- 5月29日,國內(nèi)首批產(chǎn)業(yè)化6英寸碳化硅外延晶片在位于廈門火炬高新區(qū)的瀚天天成電子科技(廈門)有限公司投產(chǎn),并交付第一筆商業(yè)訂單產(chǎn)品, 成為國內(nèi)首家提供商業(yè)化6英寸碳化硅外延晶片的生產(chǎn)商。 據(jù)悉,碳化硅是繼第一代硅、鍺和第二代砷化鎵等材料之后的第三代新型半導(dǎo)體材料。碳化硅半導(dǎo)體儀器大禁帶寬度、高臨界場強和高熱導(dǎo)率等優(yōu)良特性,成為制作高溫、高頻和大功率電力電子器件的理想半導(dǎo)體材料。 瀚天天成電子科技(廈門)有限公司總經(jīng)理鄭忠惠介紹,6英寸碳化硅外延晶片相對于4英寸碳化硅外延晶片具有巨大
- 關(guān)鍵字: 碳化硅 外延晶片
Vishay榮獲《電子產(chǎn)品世界》2013年度電源產(chǎn)品獎
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,該公司的Si8851EDB TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET榮獲《電子產(chǎn)品世界》雜志的2013年度電源產(chǎn)品獎?! 峨娮赢a(chǎn)品世界》年度電源產(chǎn)品獎評選已經(jīng)舉行了11年,面向全球的電源供應(yīng)商征集參選產(chǎn)品。五個門類的最佳產(chǎn)品獎和最佳應(yīng)用獎的獲獎產(chǎn)品是通過在線投票,以及《電子產(chǎn)品世界》的編輯、專家和工程師的嚴(yán)格評審選出的。Vishay的Si8851EDB能夠在便攜式計算設(shè)備中顯著提高效率
- 關(guān)鍵字: Vishay MOSFET 電子產(chǎn)品世界
三菱電機攜六款新品亮相PCIM亞洲展2014
- 三菱電機今年以“創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來”為題,攜帶六款全新產(chǎn)品,于6月17至19日在上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展2014中隆重亮相。 今年展出的產(chǎn)品范圍跨越六大領(lǐng)域,包括:工業(yè)應(yīng)用、變頻家電應(yīng)用、可再生能源應(yīng)用、鐵路牽引和電力應(yīng)用、電動汽車應(yīng)用以及碳化硅器件應(yīng)用?! ≡谛庐a(chǎn)品方面,這次展出的全新第7代IGBT模塊,適合應(yīng)用在工業(yè)驅(qū)動和太陽能發(fā)電上。它采用了第7代IGBT硅片和二極管硅片;具有650V、1200V和1700V三種電壓等級;提高利用門極電阻優(yōu)化dv/dt的可控性;涵蓋模塊電流7
- 關(guān)鍵字: 三菱電機 PCIM 碳化硅
美高森美發(fā)布用于高壓工業(yè)應(yīng)用的創(chuàng)新SiC MOSFET系列 繼續(xù)保持在碳化硅解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位
- 致力于提供功率、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號:MSCC) 推出全新碳化硅(Silicon Carbide, SiC) MOSFET產(chǎn)品系列 ─ 1200V解決方案。這系列創(chuàng)新SiC MOSFET器件設(shè)計用于效率至關(guān)重要的大功率工業(yè)應(yīng)用,包括用于太陽能逆變器、電動汽車、焊接和醫(yī)療設(shè)備的解決方案?! ∶栏呱罁碛欣肧iC半導(dǎo)體市場增長的良好條件,據(jù)市場研究機構(gòu)Yole Développement預(yù)計,從201
- 關(guān)鍵字: 美高森美 MOSFET SiC
碳化硅 mosfet介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對碳化硅 mosfet的理解,并與今后在此搜索碳化硅 mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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