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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 碳化硅 mosfet

高功率LED照明驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的新方法

  • 摘要:傳統(tǒng)高功率LED驅(qū)動(dòng)電源大多采用直流并聯(lián)LED的方式工作,成本低,容易實(shí)現(xiàn),但目前高亮度LED消耗的電流可達(dá)350mA甚至更高,因此傳統(tǒng)方法的損耗極大,效率低;本文提出了一種串聯(lián)輸入多并聯(lián)驅(qū)動(dòng)電源的實(shí)現(xiàn)方法,具有高性價(jià)比,輸出電流大,失真度低,且具有優(yōu)異的串電流調(diào)節(jié)功能等優(yōu)點(diǎn)。
  • 關(guān)鍵字: LED  照明驅(qū)動(dòng)  DC/DC  SIMPLE  MOSFET  201312  

東芝電子攜“智慧社區(qū)”亮相第十五屆高交會(huì)

  • 2013年11月22日,日本半導(dǎo)體制造商株式會(huì)社東芝(Toshiba)旗下東芝半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司宣布,在第十五屆中國(guó)國(guó)際高新技術(shù)成果交易會(huì)(簡(jiǎn)稱高交會(huì))電子展上圍繞“智慧與科技的雙贏,盡在東芝智能社區(qū)”這一主題,重點(diǎn)展示了面向移動(dòng)終端、家用電器、汽車電子、工業(yè)電子以及存儲(chǔ)等五大應(yīng)用領(lǐng)域的創(chuàng)新技術(shù)與解決方案。
  • 關(guān)鍵字: 東芝  存儲(chǔ)卡  MOSFET  

針對(duì)IGBT和MOSFET可再生能源應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)

  • 引言對(duì)電能轉(zhuǎn)換而言,可再生能源電子細(xì)分市場(chǎng)是一個(gè)復(fù)雜且多樣化的競(jìng)技場(chǎng)。在一些負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用中,開關(guān)型功率轉(zhuǎn)換...
  • 關(guān)鍵字: IGBT  MOSFET  

MOS管驅(qū)動(dòng)電路總結(jié)

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字: MOS管  驅(qū)動(dòng)電路  MOSFET  導(dǎo)通特性  AN799  

把握LED設(shè)計(jì)關(guān)鍵 實(shí)現(xiàn)情調(diào)照明

  • 一、LED的出現(xiàn)打破了傳統(tǒng)光源的設(shè)計(jì)方法與思路,目前有兩種最新的設(shè)計(jì)理念。1.情景照明:是2008年由飛...
  • 關(guān)鍵字: LED    MOSFET  

淺析MOSFET的UIS及雪崩能量

  • 在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中,通常包括單脈沖雪崩能量EAS,雪崩電流IAR,重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù),而許多電子工...
  • 關(guān)鍵字: MOSFET  電源設(shè)計(jì)  

Power Integrations的高頻率雙管正激IC可大幅降低系統(tǒng)成本和尺寸

  • 用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者 Power Integrations公司(納斯達(dá)克股票代號(hào):POWI)日前宣布推出HiperTFS?-2系列IC - 一款同時(shí)集成了高壓MOSFET、雙管正激和反激電源控制器的IC。如此高的集成度可節(jié)省超過20個(gè)元件,從而減小外形尺寸并提高功率密度。
  • 關(guān)鍵字: Power  MOSFET  HiperTFS-2  

飛兆集成式智能功率級(jí)(SPS)模塊具有更高的功率密度和更佳的效率

  • 在電路板尺寸不斷縮小的新一代服務(wù)器和電信系統(tǒng)供電應(yīng)用中,提高效率和功率密度是設(shè)計(jì)人員面臨的重大挑戰(zhàn)。
  • 關(guān)鍵字: 飛兆  MOSFET  SPS  驅(qū)動(dòng)器  

德州儀器超小型 FemtoFET? MOSFET 支持最低導(dǎo)通電阻

  • 日前,德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機(jī)與平板電腦等空間有限手持應(yīng)用推出業(yè)界最小型低導(dǎo)通電阻 MOSFET。該最新系列 FemtoFET? MOSFET 晶體管采用超小型封裝,支持不足 100 毫歐的導(dǎo)通電阻。
  • 關(guān)鍵字: TI  MOSFET  導(dǎo)通電阻  

怎么能使Simulink的仿真速度更快?

  • 現(xiàn)在的專業(yè)軟件都是越做越大,功能成倍成倍地增加,而處理的對(duì)象也是越來越復(fù)雜,特別是使用一些仿真軟件在高精度下建模仿真的時(shí)候,因?yàn)镻C上硬件的發(fā)展速度慢于軟件功能復(fù)雜化的速度,就造成了我們的仿真看起來是越跑越慢了。
  • 關(guān)鍵字: Simulink  仿真速度  操作系統(tǒng)  MOSFET  

東芝擴(kuò)充碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管系列

  • 東京—東芝公司(TOKYO:6502)日前宣布將擴(kuò)充其650V碳化硅(SiC)肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)系列,為其現(xiàn)有的6A、8A和12A產(chǎn)品陣容中增添一款10A產(chǎn)品。該產(chǎn)品將于即日起批量交付。
  • 關(guān)鍵字: 東芝  碳化硅  

深入淺出常用元器件系列——MOSFET

  • MOSFET,中文名金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。
  • 關(guān)鍵字: MOSFET  晶體管  datasheet  漏極電流  

安森美用于辦公自動(dòng)化設(shè)備應(yīng)用的高能效步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器方案

  • 電機(jī)的應(yīng)用非常廣泛,遍及人們工作及生活的各個(gè)領(lǐng)域,如打印機(jī)、復(fù)印機(jī)、傳真機(jī)、投影儀、電冰箱、洗衣機(jī)、空調(diào)、燃?xì)庠?、照相機(jī)、ATM機(jī)、電動(dòng)縫紉機(jī)、保安攝像機(jī)、自動(dòng)售貨機(jī)、熱水供應(yīng)系統(tǒng)、園林灌溉系統(tǒng)及工業(yè)自動(dòng)化等。
  • 關(guān)鍵字: 安森美  電機(jī)驅(qū)動(dòng)  步進(jìn)電機(jī)  MOSFET  驅(qū)動(dòng)器  

Vishay 聯(lián)袂中國(guó)電源學(xué)會(huì)舉辦電源專題研討會(huì)

  • 2013 年 10 月14 日,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,將與中國(guó)電源學(xué)會(huì)合作于10月16日舉辦電源專題研討會(huì),該研討會(huì)內(nèi)容涵蓋功率MOSFET、電源模塊、光電器件和二極管,同期還將有多位業(yè)內(nèi)專家出席并做宣講。研討會(huì)將在中國(guó)武漢的長(zhǎng)江大酒店召開。
  • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  

在ZVS拓?fù)渲羞x擇最優(yōu)的死區(qū)時(shí)間

  • 摘要:通過本文的分析來優(yōu)化中壓和高壓功率MOSFET在各種隔離式轉(zhuǎn)換器拓?fù)涫褂脮r(shí)的死區(qū)時(shí)間,能夠幫助工程師發(fā)現(xiàn)各種器件技術(shù)的優(yōu)點(diǎn),甚至使那些過時(shí)的設(shè)計(jì)方案也能達(dá)到更好的性能。
  • 關(guān)鍵字: ZVS  MOSFET  DC-DC  IBC  柵極  201311  
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碳化硅 mosfet介紹

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